太陽能電池在近幾年被熱烈的討論與研究,從研究指出二六族半導體化合物ZnO/ZnSe之奈米柱可在第三代的太陽能電池中當作緩衝層之應用。本研究主要探討為在ITO玻璃基板上濺鍍ZnO薄膜,然後利用電鍍法成長ZnO奈米柱,再經由硒化與硫化製程轉換成ZnSe/ZnS之奈米柱。此方法之優點為ZnO薄膜之濺鍍製程容易控制,電鍍ZnO奈米柱相對於ZnS或ZnSe奈米柱來說也較容易。
從實驗完成之TEM及EDS結果確定我們可以藉由硒化與硫化ZnO奈米柱完成ZnS/ZnSe奈米柱結構；另外ZnO薄膜也確定可由硒化或硫化製程轉換為ZnSe或ZnS薄膜。此實驗驗證了ZnSe及ZnS之半導體化合物可利用較為簡單之方法得到(將濺鍍之ZnO薄膜及奈米柱利用硒化或硫化法轉換成為ZnSe或ZnS薄膜及奈米柱),提供後續研究人員選擇。

Recently, Photovoltaic have became a critical issue due to the increasing demand for renewable energy sources. Many research have show that ZnO/ZnSe coaxial nanowires could be as buffer layer of third generation nano-structured solar cells. The objective of this thesis is focus on investigating ZnO nanowires transformed to ZnSe/ZnS nanowires using selenization and sulfurization processes. The ZnO thin film will be prepared on ITO-glass substrate by using RF sputtering. Subsequently, the ZnO nanowires was growth by electrochemical plating method. the structure was converted into ZnSe/ZnS nanowires via the selenization and sulfurization processes. The results show that this method was an easy way to produce the ZnS/ZnSe nanowires. The formation of ZnS/ZnSe nanowires were confirmed by TEM and EDS results. The results also demonstrate an alternative approach to apply ZnS/ZnSe in photovoltaic applications.

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