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研究生： 高雅君
kao, Ya-chun
論文名稱： 錯合劑對電沉積二硒化銅銦薄膜的影響研究
A Study on Influence of Complexing Agent for Electrodeposition of CuInSe2 Thin Film
指導教授： 黃守仁
Whang, Thou-Jen
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 化學系
Department of Chemistry
論文出版年： 2008
畢業學年度： 96
語文別： 中文
論文頁數： 105
中文關鍵詞： 錯合劑 、太陽能電池 、電沉積 、CuInSe2
外文關鍵詞： electrodeposition, solar cells, CuInSe2, complexing agent
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    • 本研究以電沉積的方法製備二硒化銅銦(CuInSe2，CIS )太陽能電池的主吸收層；在許多種製備方法中，電沉積法受到廣泛注意，在於它的設備裝置簡易具有製造大面積材料的潛力。
    主吸收層薄膜的生長為CuInSe2 /ITO/Glass，電解液中添加不同的錯合劑三乙醇胺( triethanolamine，TEA )、檸檬酸鈉( Na-citrate acid )、酒石酸( tartaric acid )個別探討沉積過程中電壓、離子濃度、電鍍時間、退火溫度對於CuInSe2薄膜的影響。
    這三種錯合劑，主要以檸檬酸鈉對於沉積CuInSe2薄膜有明顯的錯合效果，銅、硒還原電位會隨著檸檬酸鈉濃度的增加而往陰極移動，不影響銦的還原電位，並且可以改善薄膜結晶性；因此，薄膜沉積的電位範圍往陽極移動至-0.5 V。其他錯合劑雖然沒有明顯錯合效果，沉積電位沒有改變，但在電解液中與離子間存在靜電吸引力，退火後的繞射峰(112)的強度明顯，進一步改良薄膜的均勻性，提高薄膜的品質。

    Copper indium diselenide, CuInSe2 (CIS), has become one of the potential materials for photovoltaic applications. There are many methods such as sputtering, three source coevaporation, spray pyrolysis and electrodeposition for preparing CuInSe2 thin films. Among these, electrodeposition becomes more importance due to its low-cost, ease of large scale production and safe method.
    Formation of CuInSe2 thin films from aqueous solution including Na-citrate acid, triethanolamine and tartaric acid as complexing agent is reported. In order to deposit the three elements simultaneously, the individual potentials must be brought closer by using a complexing agent or by adjusting the concentrations of individual ions or electrolysis time and annealed temperature.
    These three kinds of complexing agents, sodium citrate have obviously effect for electrodeposition of CuInSe2 thin films. Cathodic shifts of the copper and selenium electrodeposition potentials with increasing citrate concentration are observed. On the contrary, the presence of citrate in the electrolyte does not change the indium electrodeposition potential but improves its crystallinity. The films electrodeposited between -0.5V and -0.6V vs Ag/AgCl led to the formation of (112) orientation. Therefore the deposited potential does not changed in other complexing agent, the electrostatic interaction between electrolyte and ion makes CuInSe2 films with a (112) preferential orientation thus their crystallinity is improved.

    目錄 中文摘要………………………………………………………………..Ⅰ 英文摘要………………………………………………………………..Ⅱ 致謝…………………………………………………………………..…..Ⅲ 目錄……………………………………………………………………..Ⅳ 表目錄…………………………………………………………………..Ⅷ 圖目錄…………………………………………………………………..Ⅸ 第一章 緒論………………………………………………………….1 1.1 研究動機…………………………………………………… 1 1.2 研究目的……………………………………………………. 3 1.3 文獻回顧…………………………………………………......5 第二章 原理………………………………………………………… 11 2.1 太陽能電池……………………………………………………… 11 2.1.1 太陽能電池的工作原理………………………………… 11 2.2 CuInSe2薄膜太陽能電池……………………………………….. 13 2.2.1 CuInSe2薄膜材料特性…………………………………… 13 2.2.2 CuInSe2薄膜反應機制…………………………………… 14 2.3 電化學原理……………………………………………………… 15 2.3.1電化學簡介……………………………………………….. 15 V 2.3.2循環伏安法( Cyclic Voltammery )………………….......... 16 2.3.3 定電流電解法( Chronopotentiometry )………………….. 17 2.3.4 定電流電解法( Chronopotentiometry )………………...... 17 第三章 實驗方法與步驟……………………………………………. 25 3.1 實驗流程圖……………………………………………………… 26 3.2 實驗藥品與材料…………............................................................ 26 3.3 實驗裝備與儀器………................................................................ 26 3.3.1實驗裝備……….................................................................. 26 3.3.2 儀器………......................................................................... 27 3.4 實驗步驟.……….............………................................................. 27 3.5 薄膜性質測試……….................................................................... 28 3.5.1 晶格結構性質分析………................................................. 28 3.5.2 表面觀測………................................................................. 28 3.5.3 組成分析…………………………………………………. 29 第四章 結果與討論…………………………………………………. 31 4.1 不外加錯合劑下電鍍CuInSe2 薄膜之觀察…………………... 31 4.1.1 CuInSe2 循環伏安法的分析…………………….……….. 31 4.1.2 施加定電位電鍍CuInSe2 薄膜影響………………….… 32 4.2 錯合劑檸檬酸鈉( Na – citrate acid )與CuInSe2 薄膜之觀察…. 35 VI 4.2.1 CuInSe2 與檸檬酸鈉(Na – citrate acid)循環伏安法分析.. 35 4.2.2錯合劑濃度對薄膜影響…………………………….……. 42 4.2.3 銅離子濃度對薄膜影響…………………………….…… 42 4.2.4 施加定電位電鍍CuInSe2 薄膜影響…………………..... 43 4.2.5 電鍍時間的影響……………………………………….… 44 4.2.6 退火溫度的影響……………………………………….… 45 4.3 錯合劑三乙醇胺( TEA ) 與CuInSe2 薄膜之觀察…………….. 56 4.3.1 CuInSe2 與三乙醇胺( TEA )循環伏安法的分析…….….. 56 4.3.2 錯合劑濃度對薄膜影響…………………………………. 62 4.3.3銅離子濃度對薄膜影響………………………………….. 62 4.3.4 施加定電位電鍍CuInSe2 薄膜影響……………………. 63 4.3.5 電鍍時間的影響…………………………………………. 64 4.3.6 退火溫度的影響…………………………………………. 65 4.4 錯合劑酒石酸( tartaric acid )與CuInSe2 薄膜之觀察……….… 76 4.4.1 CuInSe2 與酒石酸( tartaric acid )循環伏安法的分析…... 76 4.4.2錯合劑濃度對薄膜影響………………………………….. 81 4.4.3銅離子濃度對薄膜影響………………………………….. 82 4.4.4 施加定電位電鍍CuInSe2 薄膜影響……………….…… 83 4.4.5 電鍍時間的影響…………………………………………. 84 VII 4.4.6 退火溫度的影響…………………………………………. 84 第五章 結論…………………………………………………….…… 97 參考文獻……………………………………………………….……… 99 附錄 A CuInSe2 x-ray 繞射峰對照圖…………………………….. 102 附錄 B ITO玻璃x-ray 繞射峰分析圖………………………….. 104 VIII 表目錄 表2.1 不同種類太陽能電池效率發展狀態…………………………. 18 表2.5 常見參考電極及電位……......................................................... 22 IX 圖目錄 圖1-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物(閃鋅礦)結構.....................................................10 圖1-2 Ⅰ-Ⅲ-VI族化合物(黃銅礦)結構……………......................... 10 圖2-2 太陽能電池之反應機制 (a) 太陽電池之剖面反應示意圖， (b)太陽能電池在不同波長之反應示意圖，(c) 電子 – 電洞對 數目隨著距離呈現 e-αx 減少，其α是衰退常數……………. 19 圖2-3 太陽電池之I – V 特性曲線 (a)從未照光( Dark )，照光及二 被照光能量I – V特性之變化，(b)外加一負載R之I – V特 性曲線………………………………………………………… 20 圖2.4 不同CIS太陽電池量子效率…………………………………. 21 圖2.6 循環伏安圖圖……………………………………………….…. 22 圖2.7 定電流電電沉積原理分解圖………………………………….. 23 (a)離子沉積於工作電極上之電流 (b)量測溶液系統中所產生的電位 圖2.8 定電位電沉積原理分解圖…………………………………….. 24 (a)離子沉積於工作電極上之電位 (b)量測溶液系統中所產生的電流 圖3.1 電鍍過程之裝置與儀器……………………………………...... 30 圖4.1 CuCl2 = 5 mM 、 InCl3 = 22 mM 、 SeO2 = 22 mM，pH = 2 的 X CV圖，掃描速率為 50 mV / s，25℃。…………………… 31 圖4.2 施加不同電位電鍍之鍍層X光繞射分析結果，分別為 -0.5 V 至-0.8 V 條件………………………………………………… 33 圖4.3 施加不同電位電鍍之鍍層 SEM 表面結構圖，分別為 (a) -0.6 V 和 (b) -0.8 V 條件。…………………………….. 34 圖4.4 5 mM CuCl2水溶液添加錯合劑檸檬酸鈉 (a) 0 M，(b) 0.1 M， (c) 0.3 M，(d) 0.5 M檸檬酸鈉環境下，掃描速率為 50 mV / s，25 ℃………………………………………………………. 39 圖4.5 檸檬酸鈉( sodium citrate )的分子結構……………………….. 39 圖4.6 22 mM InCl3水溶液添加錯合劑檸檬酸鈉 (a) 0 M，(b) 0.1 M， (c) 0.3 M，(d) 0.5 M檸檬酸鈉環境下，掃描速率為 50 mV / s，. 25℃…………………………………………………………… 40 圖4.7 22 mM SeO2水溶液添加錯合劑檸檬酸鈉 (a) 0 M，(b) 0.1 M， (c) 0.3M，(d) 0.5M檸檬酸鈉環境下，掃描速率為 50 mV / s， 25℃…………………………………………………………… 40 圖4.8 放大圖4.7虛線區域觀察檸檬酸鈉的濃度對硒的影響，(b) 0.1 M，(c) 0.3 M，(d) 0.5 M 檸檬酸鈉………………………… 41 圖4.9 CuCl2 = 5 mM、InCl3 = 22 mM、SeO2 = 22 mM混合溶液在 pH = 2 的CV圖，掃描速率為 50 mV / s，25℃……………… 41 XI 圖4.10 添加不同濃度的檸檬酸鈉電鍍之鍍層X光繞射分析結果， 分別為 0.4 M 與0.5 M條件……………………………….. 47 圖4.11 溶液中加入0.4 M的檸檬酸鈉電鍍之鍍層之SEM圖……. 47 圖4.12 溶液中添加不同濃度的銅離子電鍍之鍍層X光繞射分析結 果……………………………………………………………… 48 圖4.13 分析圖4.12的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖。….. 48 圖4.14 改變沉積電位電鍍後鍍層X光繞射分析結果，依序分別為 -0.4 V、-0.5 V、-0.6 V與 -0.7 V………………………….… 49 圖4.15 分析圖4.14的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖…….. 49 圖4.16 在不同電位下的鍍層之SEM圖(a) -0.4 V (b) -0.5 V (c) -0.7 V……………………………………………………… 50 圖4.17 改變電位，依序分別為 -0.4 V、-0.5 V、-0.6 V與 -0.7 V。 條件下鍍層之組成比例分析結果…………………………… 51 圖4.18 改變電鍍時間，依序分別為 500s、600s、700s、800s和900s 條件下鍍層之X光繞射分析結果…………………………... 51 圖4.19 分析圖4.18的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖…..… 52 圖4.20 退火前後條件下鍍層之X光繞射分析結果(a)無退火情況下， (b)退火溫度225 ℃/30 min…………………………………... 52 圖4.21 在不同退火溫度下，依序分別為200 ℃/30min、225 ℃/30min、 250 ℃/30min 和275 ℃/30min ……………………………… 53 XII 圖4.22 沉積電位為-0.5 V / 800s，pH = 2，在不同退火溫度下之SEM (a) 200 ℃/30min，(b)225 ℃/30min，(c)275 ℃/30min ….….. 54 圖4.23 改變退火溫度，依序分別為200 ℃、225 ℃、250 ℃與 275 ℃的條件下鍍層之組成比例分析結果………………… 55 圖4.24 5 mM CuCl2水溶液添加錯合劑三乙醇胺 (a) 0.1 M，(b) 1 M， (c) 2 M三乙醇胺環境下，掃描速率為 50 mV / s，25 ℃。. 59 圖4.25 三乙醇胺( triethanolamone )的分子結構……………………. 59 圖4.26 22 mM InCl3水溶液添加錯合劑三乙醇胺 (a) 0.1 M， (b) 1 M，(c) 2 M三乙醇胺環境下，掃描速率為 50 mV / s， 25℃…………………………………………………………… 60 圖4.27 22 mM SeO2水溶液添加錯合劑三乙醇胺 (a) 0 M，(b) 0.1 M，(c) 1 M，(d) 2 M三乙醇胺環境下，掃描速率為 50 mV / s，25℃……………………………………………………… 60 圖4.28 CuCl2 = 5 mM、InCl3 = 22 mM、SeO2 = 22 mM混合溶液在 pH = 2 的CV圖，掃描速率為 50 mV / s，25℃…………. 61 圖4.29 添加不同濃度的三乙醇胺電鍍之鍍層X光繞射分析結果， 分別為 0.05 M 、0.1 M與1 M條件………………………. 67 圖4.30 溶液中加入(a )0.05 M (b) 0.1 M 三乙醇胺電鍍之鍍層之 SEM圖………………………………………….…………….. 67 XIII 圖4.31 溶液中添加不同濃度的銅離子電鍍之鍍層X光繞射分析結 果……………………………………………………………… 68 圖4.32 分析圖4.31的X光繞射結果，強度量化後的曲線…….…. 68 圖4.33 改變沉積電位電鍍後鍍層X光繞射分析結果，依序分別為 -0.6 V、-0.7 V、-0.8 V、-0.9 V與 -1.0 V…………………... 69 圖4.34 分析圖4.33的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖。….. 69 圖4.35 在不同電位下的鍍層之SEM圖(a) -0.6 V (b) -0. 8 V (c) -1.0 V……………………………………………………… 70 圖4.36 改變電鍍時間，依序分別為 500 s、600 s、700 s和800 s條 件下鍍層之X光繞射分析結果……………………………... 71 圖4.37 分析圖4.36的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖。…. 71 圖4.38 退火前後條件下鍍層之X光繞射分析結果(a)無退火情況下， (b)退火溫度250 ℃/30min…………………………………… 72 圖4.39 在不同退火溫度下，依序分別為200 ℃/30min、225 ℃/30min、 250 ℃/30min 和275 ℃/30min ……………………………… 73 圖4.40 沉積電位為-0.8 V /600 s，pH = 2，在不同退火溫度下之SEM 圖(a)未退火前的表面形態，(b) 225 ℃/30min，(c)250 ℃/30min ，(d)275 ℃/30min……………………………………………. 75 圖4.41 改變退火溫度，依序分別為200 ℃、225 ℃、250 ℃與 275℃的條件下鍍層之組成比例分析結果………………….. 75 XIV 圖4.42 5 mM CuCl2水溶液添加錯合劑檸檬酸鈉 (a) 0 M，(b) 0.15 M，(c) 0.35 M，(d) 0.55 M檸檬酸鈉環境下，掃描速率 為 50 mV / s，25℃………………………………………….. 79 圖4.43 22 mM InCl3水溶液添加錯合劑檸檬酸鈉 (a) 0.15 M，(b) 0.35M，(c) 0.55 M檸檬酸鈉環境下，掃描速率為 50 mV / s， 25 ℃…………………………………………………………... 79 圖4.44 22 mM SeO2水溶液添加錯合劑檸檬酸鈉 (a) 0.15 M，(b) 0.35 M，(c) 0.55 M檸檬酸鈉環境下，掃描速率為 50 mV / s， 25 ℃…………………………………………………………... 80 圖4.45 CuCl2 = 5 mM、InCl3 = 22 mM、SeO2 = 22 mM混合溶液在 pH = 2 的CV圖，掃描速率為 50 mV / s，25℃…….……. 80 圖4.46 酒石酸( tartaric acid )的分子結構……………….…..... 86 圖4.47 添加不同濃度的酒石酸之鍍層X光繞射分析結果，分別為 0.15 M 、0.25 M 、0.35 M、0.45 M與0.55 M條件…….... 86 圖4.48 分析圖4.47的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖…….. 87 圖4.49 改變酒石酸濃度，依序分別為0.15 M 、0.25 M 、0.35 M、 0.45 M與0.55 M的條件下鍍層之組成比例分析結果…….. 87 圖4.50 溶液中添加不同濃度的銅離子電鍍之鍍層X光繞射分析結 果……………………………………………………………… 88 XV 圖4.51 改變銅離子濃度下鍍層之SEM圖，(a) CuCl2 = 5 mM，(b) CuCl2 = 7 mM，(c) CuCl2 = 9 mM，薄膜上層，(d) CuCl2 = 9 mM，薄膜下層。………………………………………….. 89 圖4.52 改變沉積電位電鍍後鍍層X光繞射分析結果，依序分別為 -0.7V、-0.9 V、-1.0 V與 -1.1 V……………………………. 90 圖4.53 分析圖4.52的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖……. 90 圖4.54 在不同電位下的鍍層之SEM圖(a) -0.7 V (b) -0. 9 V (c) -1.2 V……………………………………………………… 91 圖4.55 改變不同電位下依序分別為-0.7 V、-0.8 V、-0.9 V、-1.0 V、 -1.1 V的條件下鍍層之組成比例分析結果…………………. 92 圖4.56 改變電鍍時間，依序分別為 600s、700s、800s、900s和1000s 條件下鍍層之X光繞射分析結果………………………….... 92 圖4.57 分析圖4.56的X光繞射結果，強度量化後的曲線圖….…. 93 圖4.58 CuCl2 = 5 mM、InCl3 = 22 mM、SeO2 = 22 mM，沉積電位 -0.9V，電鍍時間900秒下的SEM表面形態圖……………. 93 圖4.59 在不同退火溫度下，依序分別為200 ℃/30min、225 ℃/30min、 250 ℃/30min 和275 ℃/30min ……………………………… 94 圖4.60 沉積電位為 -0.9 V /600s，pH = 2，在不同退火溫度下之SEM 圖 (a)200 ℃/30min，(b)250 ℃/30min，(c)275 ℃/30min….. 95 圖4.61 改變退火溫度，依序分別為200 ℃、225 ℃、250 ℃與 XVI 275 ℃的條件下鍍層之組成比例分析結果………………… 96

    (1) Dimmler, B.; Wächter, R. Thin Solid Films 2007, 515, 5973.
    (2) Ihlal a, A.; Bouabid, K.; Soubane, D.; Ait-Taleb-Ali, O.; Amira, Y.; Outzourhit , A.; Nouet, G. Thin Solid Films 2007, 515, 5852.
    (3) Rockett, A.; Lommasson, T. C.; Campos, P.; Yang, L. C.; Talieh, H. Thin Solid Films 1989, 171, 109.
    (4) Schumann, B.; Georgi, C.; Tempel, A.; Kühn, B. S. a. G. Thin Solid Films 1978, 52, 45.
    (5) Neumann, H.; Nowak, H.; Schumann, B.; Kühn, G. Thin Solid Films 1980, 74, 197.
    (6) Murakami, T.; Shirakata, S.; Isomura, S. Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 1993, 32, 71.
    (7) Gringle, S. P.; Clark, A. H.; Rezaie-Serej, S.; Falconer, E.; McNeliy, J. Journal of Applied Physics 1980.
    (8) Pattabi, M.; Sebastian, P. J.; Mathew., X.; Bhattacharya, R. N. Solar Energy Materials & Solar Cells 2000, 63, 315.
    (9) Kaupmees, L.; Altosaar, M.; Volubujeva, O.; Mellikov, E. Thin Solid Films 2007, 515, 5891.
    (10) lhlal a, A.; Bouabid, K.; Soubane, D.; Ait-Taleb-Ali, O.; Amira, Y.; Outzourhit , A.; Nouet, G. Thin Solid Films 2007, 515, 5852.
    (11) Sigeyuk, N. Japanese Journal of Applied Physics 2005, 44, 1923.
    (12) De Silva, K. T. L.; Priyantha, W. A. A.; Jayanetti, J. K. D. S.; Chithrani, B. D.; Siripala, W.; Blake, K.; Dharmadasa, I. M. Thin Solid Films 2001, 382, 158.
    (13) Ugartea, R.; Schreblerb, R.; CoÂrdovab, R.; Dalchielec, E. A.; GoÂmez, H. Thin Solid Films 1999, 340, 117.
    (14) Singh, R. P.; Singh, S. L.; Chandra, S. Journal of Applied Physics 1986, 19, 1299.
    (15) Ramanathan, K.; Contreras, M. A.; Perkins, C. L.; Sally Asher, F. S. H.; Keane, J.; Young, D.; Romero, M.; Metzger, W.; Noufi, R.; Ward, J.; Duda, A. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 11, 225.
    (16) Laboratory), N. N. R. E. Lab to Large Scale Transition for Non-Vacuum Thin Film CIGS Solar Cells, 2003-2004.
    (17) Kemell, M. Electrodeposition of CuInSe2 and doped ZnO thin films for solar cells, 2003.
    (18) 邱立仁 A study on CuInSe2 Thin Film Solar Cells by Electrodeposition Process; 國立成功大學化學研究所碩士論文, 2007.
    (19) Pottier, D.; Maurin, G. Journal of Applied Electrochemistry 1989, 19, 361.
    (20) Chraibi, F.; Fahoume, A.; Ennaoui; Delplancke, J. L. M. J. CONDENSED MATTER 2004, 5.
    (21) Chraibi, F.; Fahoume, M.; Ennaoui, A.; Delplancke, J. L. Physica Status Solidi a-Applied Research 2001, 186, 373.
    (22) YANG, M. H. 1987, Thin Solid Films 1987, 155, 317.
    (23) Tohru Yukawa; Katsumi Kuwabara; Koumoto, K. Thin Solid Films 1996, 280.
    (24) Pathan, H. M.; Lokhande, C. D. Applied Surface Science 2005, 245.
    (25) Ganchev, M. G.; Kochev, K. D. Solar Energy Materials and Solar Cells 1993, 31, 163.
    (26) Tzvetkova, E. Thin Solid Films 1997, 311, 101.
    (27) Kemell, M. Journal of The Electrochemical Society 2000, 147.
    (28) Kemell, M. The Journal of The Electrochemical Society 2001, 148, c110.
    (29) Bhattocharya, R. N. The Journal of The Electrochemical Society 1983, 130.
    (30) Yoshihiro Sudo; Endo, S.; Irie, T. Japanese Journal of Applied Physics 1993, 32, 1562.
    (31) 工業技術研究院太陽光電科技中心 從pv的創新與挑戰案太電中心的角色與任務, 2007.
    (32) Huang., C. J.; T.H. Meen; M.Y. Lai; Chen., W. R. Solar Energy Materials and Solar Cells 2004, 82, 553.
    (33) Oliveiraa., M. C. F.; Azevedob., M.; Cunha. Thin Solid Films 2002, 405, 129.
    (34) Murata, K.; Sano, K.; Fukuyama, H.; Kosugi, T.; Nakamura, M.; Sugahara, H.; Tokumitsu, M.; Enoki, T. Thin Solid Films 2007, 515, 4313.
    (35) Ng, C. W.; Wang, H. Thin Solid Films 2007, 515, 4390.
    (36) Zhao, J.; Chen, J.; Feng, Z. C.; Chen, J. L.; Liu, R.; Xu, G. Thin Solid Films 2006, 498, 179.
    (37) Yamamoto, T.; Luck, I. V.; Scheer, R. Applied Surface Science 2000, 159, 350.
    (38) 劉博文 光電元件導論; 高立圖書有限公司, 2003.
    (39) Horig, W.; Neumann, H.; Sobotta, H.; Schumann, B.; Kuhn, G. Thin Solid Films 1978, 48, 67.
    (40) Rife, J. C.; Dexter, R. N.; Bridenbaugh, P. M.; Veal, B. W. Physical Review B 1977, 16, 4491.
    (41) 曾衍彰 太陽能電池原理與材料技術; 經濟部工業局, 2004.
    (42) Shay, J. L.; Wernick, J. H. Ternary Chalcopyrite Semiconductoes:Growth Electronic Properties and Applications Pergamon ,New York, 1975.
    (43) 英明與崎浩平, 喜. 基本電化學; 復漢出版社, 1984.
    (44) 昭與澤益男, 藤. 電化學測定方法; 北京大學出版社, 1995.
    (45) Carbonnelle, P.; Lamberts, L. Electrochimica Acta 1992, 37, 1321.
    (46) Moreau, A. Electrochimica Acta 1981, 26, 497.
    (47) Moreau, A. Electrochimica Acta 1981, 26, 1609.
    (48) Li, J.; Kohl, P. A. Journal of the Electrochemical Society 2003, 150, C558.
    (49) Gorantla, V. R. K.; Assiongbon, K. A.; Babu, S. V.; Roy, D. Journal of the Electrochemical Society 2005, 152, G404.
    (50) Jarzabek, G.; Kublik, Z. Journal of Electroanalytical Chemistry 1980, 114, 165.
    (51) Espinosa, A. M.; Tascon, M. L.; Vazquez, M. D.; Batanero, P. S. Electrochimica Acta 1992, 37, 1165.
    (52) Wei D; Bingcai P; Peijuan J; Qingrui Z; Weiming Z; Bingjun P; Qingjian Z; Z, Q. Chemical Engineering Journal 2008.

    下載圖示 校內：2018-07-15公開
    校外：2018-07-15公開
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