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| 研究生： |
張翊軒 Chang, Yi-Hsuan |
|---|---|
| 論文名稱： |
以閘極蝕刻結合場板及氧化鉿鋁介電層之高性能氮化銦鋁鎵／氮化鎵高電子遷移率電晶體以提升巴利加優值 High-Performance Recessed Gate InAlGaN/GaN HEMTs with HfAlO Gate Dielectric and Field Plate Design for Enhanced BFOM |
| 指導教授： |
許渭州
Hsu, Wei-Chou |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 微電子工程研究所 Institute of Microelectronics |
| 論文出版年： | 2025 |
| 畢業學年度： | 113 |
| 語文別： | 英文 |
| 論文頁數： | 75 |
| 相關次數： | 點閱：16 下載：0 |
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校內：2030-07-13公開校外：2030-07-13公開