本研究目的在於探討半導體先進P製程中閘極(Poly gate)、閘極側壁薄(Space1)保護層、閘極側壁厚保護層(Space2)的特徵值(CD, critical dimension)對於電性量測(WAT, Wafer acceptance test)的關聯性，以及電性量測對於IDDQ靜態耗電流的關聯性，透過QC stoty (品質改善歷程)手法建立與執行專案步驟，有系統與有邏輯的來解決漏電問題並達到改善半導體P製程的閘極均勻度進而改善減少晶片的靜態耗電流。
本研究實證結果發現閘極、閘極側壁薄保護層對於電性量測與IDDQ測試皆有顯著的影響，研究顯示閘極角度與閘極側壁薄保護層有著高度的正相關性，而閘極側壁薄保護層相對電性測試與IDDQ 有著高度的負相關性，所以改善閘極角度特徵值就會改善IDDQ 的測試結果，改善閘極特徵值的均勻度就會改善IDDQ的均勻度進而改善晶圓的良率，可使晶圓良率提高，增加客戶滿意度，使公司競爭力提升。
綜合實證分析結果，本研究主要結論如下：
1. 載盤溫度為閘極角度的主要影響因子
2. 腔頂能量為閘極角度的次要影響因子
3. 閘極角度對閘極側壁薄保護層(Space1)為正相關。
4. 閘極側壁薄(Space1)保護層對WAT為負相關。
5. WAT對IDDQ為正相關。

The purpose of this study is to explore the associations of advanced P process among profile and CD (critical dimension) of poly gate, spacer1 , spacer2, and WAT behavioral to IDDQ. We applied QC story methodology to build up & implement this project for improving poly gate uniformity of P process and solve IDDQ leak problem in systematic and logical way.
From the result of this study, it found that the side-wall angle (SWA) value of poly gate has the significantly positive effect on space1 width and space1 width has the significantly negative effect on WAT and IDDQ. This study found the higher and uniform value of poly side-wall angle can make IDDQ less and leakage lower. It could improve quality and yield of wafer to increase satisfaction of customer, it could upgrade competitiveness of company.
To summarize the result from empirical analysis, the conclusion of this study is as follow:
1. Temperature of ESC(Electric-Static Chuck) is the major effective factor to poly side-wall angle
2. Top power of chamber is the secondary effective factor to poly side-wall angle
3. Poly gate side-wall angle has a positive effect on space1 width.
4. Space1 width has a negative effect on WAT.
5. WAT has a positive effect on IDDQ.

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2. https://ryanwu.pixnet.net/blog
3. 電子製造，工作狂人，https://www.researchmfg.com/