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研究生: 黃俊霖
Huang, Jyun-Lin
論文名稱: 超低溫共燒陶瓷材料(Mg1-xZnx)V2O6 及 Na_2(Mg_(5-x)Zn_x)(MoO_4)_6(x= 0 – 0.09)之微波介電特性與應用
Microwave Dielectric Properties and Applications of Ultra-Low Temperature Co-fired Ceramics Using (Mg1-xZnx)V2O6 and Na_2(Mg_(5-x)Zn_x)(MoO_4)_6 (x= 0 – 0.09)
指導教授: 黃正亮
Huang, Cheng-Liang
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 電機資訊學院 - 電機工程學系
Department of Electrical Engineering
論文出版年: 2020
畢業學年度: 108
語文別: 中文
論文頁數: 153
中文關鍵詞: 微波介電特性超低溫共燒陶瓷低損耗高品質因子
外文關鍵詞: Microwave dielectric properties, ULTCC, low-loss, High-Q
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  • 本篇論文主要分別介紹三大部分,第一和二部分將介紹新開發的微波介電材料;第三部分將設計一個濾波器使用在FR4、Al_2 O_3以及0.99Na_2 (Mg_4.93 Zn_0.07 ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2三種不同基板上,進而分析其模擬與實測的結果。
    首先,第一部分將會介紹 (Mg1-xZnx)V2O6 (x=0–0.09)陶瓷之微波介電特性,由實驗結果發現,在燒結溫度為610℃、x=0.07持溫4小時下,可得到最佳的微波介電特性ε_r~9.3、Q×f~15,300 GHz、τ_f~-3.4 ppm⁄℃ ; Na2(Mg5-xZnx)(MoO4)6 (x= 0–0.09) 陶瓷之微波介電特性,由實驗結果發現,在燒結溫度為570℃、x=0.07持溫4小時下,可得到最佳的微波介電特性ε_r~7.6、Q×f~46,000 GHz、τ_f~-25.4 ppm⁄℃。
    第二部分為添加少量TiO_2使材料之τ_f趨近於0,探討此材料(1-x)Na2(Mg4.93Zn0.07)(MoO4)6 -xTiO2 (x=0.5–1.5 mol%)陶瓷之微波介電特性,由實驗結果可以發現,當燒結溫度為570℃、x=1.0%的0.99Na2(Mg4.93Zn0.07)(MoO4)6 -0.01TiO2擁有最趨近於0ppm⁄℃的τ_f,而其微波介電特性ε_r~8.8、Q×f~33,100 GHz、τ_f~-4.29 ppm⁄℃ 。
    最後,第三部分使用HFSS模擬濾波器電路,並將模擬出的電路實作於FR4、Al_2 O_3以及0.99Na2(Mg4.93Zn0.07)(MoO4)6 -0.01TiO2三種不同的基板上,由結果互相比較可以發現,低介電損耗的陶瓷材料能增加濾波器的表現,而較高的Q×f值則可以提高濾波器在頻率選擇上的表現。

    A novel ultra-low-firing microwave dielectric ceramics of (Mg1-xZnx)V2O6 and Na2(Mg5-xZnx)(MoO4)6 (x= 0–0.09) were investigated as potential materials for Ultra-Low-semperature Co-fired Ceramics(ULTCC) . Both materials were synthesized using the solid state reaction. The experimental results show that the ceramics (Mg0.93Zn0.07)V2O6 has best microwave dielectric properties ε_r~9.3, Q×f~15,300 GHz and τ_f~-3.4 ppm⁄℃ when sintered at 610℃ for 4 hours﹔the ceramics Na2(Mg5-xZnx)(MoO4)6 has best microwave dielectric properties ε_r~7.6,Q×f~46,000 GHz and τ_f~-25.4 ppm⁄℃ when sintered at 570℃ for 4 hours and the ceramics 0.99Na2(Mg4.93Zn0.07)(MoO4)6 -0.01TiO2 has best microwave dielectric properties ε_r~8.8,Q×f~33,100 GHz and τ_f~-4.29 ppm⁄℃ when sintered at 570℃ for 4 hours.
    Moreover, the band-pass filter with Square open-loop resonator which contains Open-stub was made into the substrate in this paper. According to the results of measurements, the performance of the filter was improved by using low-loss dielectric ceramics as the substrate, and its wave propagation delay of devices for high frequency applications was decreased by using low dielectric constant ceramics and using high Qxf values ceramics can improve the frequency selection of the filters.

    目錄 第一章 緒論 1 1-1 前言 1 1-2 研究目的 4 第二章 文獻回顧 8 2-1 微波技術與共振器發展 9 2-2 陶瓷材料的燒結 12 2-2-1 陶瓷材料燒結之擴散方式 12 2-2-2 陶瓷材料燒結之過程 14 2-2-3 燒結的種類 15 2-3 介電共振器原理 18 2-4 微波介電材料之特性 21 2-4-1 介電係數(Dielectric Constant, ε_r) 21 2-4-2 品質因數(Quality Factor, Q) 26 2-4-3 共振頻率溫度飄移係數(τ_f) 28 2-4-4 介電特性影響因素 30 2-5 拉曼光譜與分子振動模態簡介 32 2-5-1 拉曼光譜(Raman spectra) 32 2-5-2 分子的振動模態(Vibrational modes) 32 2-6 低溫共燒陶瓷(LTCC)技術簡介 34 2-7 超低溫共燒陶瓷(ULTCC)技術簡介 35 第三章 微帶線及濾波器原理 38 3-1 濾波器原理 38 3-1-1 濾波器的簡介 38 3-1-2 濾波器之種類及其頻率響應 40 3-2 微帶線原理 44 3-2-1 微帶傳輸線的簡介 44 3-2-2 微帶線的傳輸模態 45 3-2-3 微帶線各項參數公式計算與考量 46 3-2-4 微帶線的不連續效應 48 3-2-5 微帶線的損失 56 3-3 微帶線諧振器的種類 58 3-3-1 λ/4短路微帶線共振器 59 3-3-2 λ/2開路微帶線共振器 60 3-4 共振器間的耦合形式 62 3-4-1 電場耦合(Electric Coupling) 62 3-4-2 磁場耦合(Magnetic Coupling) 67 3-4-3 混和耦合(Mixed Coupling) 71 3-5 濾波器設計 74 3-5-1 正方形開迴路共振器 74 3-5-2 具兩個傳輸零點之帶通濾波器 76 第四章 實驗程序與量測儀器 77 4-1 微波介電材料的製備 77 4-1-1 粉末的製備與球磨 78 4-1-2 粉末的煆燒 78 4-1-3 加入黏著劑、過篩 79 4-1-4 壓模成形、去黏著劑及燒結 79 4-2 微波介電材料的量測與分析 80 4-2-1 密度測量 80 4-2-2 X-Ray分析 80 4-2-3 SEM分析 81 4-2-4 拉曼光譜儀分析 82 4-2-5 熱分析(TG-DSC) 82 4-2-6 微波介電特性量測方法 84 4-3 濾波器的製作過程 92 第五章 實驗結果與討論 94 5-1 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的微波介電特性 96 5-1-1 MgV_2 O_6的TG-DSC分析 96 5-1-2 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的XRD相組成分析 98 5-1-3 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的晶格常數 102 5-1-4 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的SEM與EDS分析 105 5-1-5 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的相對密度分析 108 5-1-6 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的介電係數(ε_r)分析 109 5-1-7 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的品質因數與共振頻率乘積(Q×f)分析 110 5-1-8 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0-0.09)的共振頻率溫度飄移係數(τ_f)分析 112 5-1-9 (〖Mg〗_(0.93) 〖Zn〗_(0.07) ) V_2 O_6與Al共燒 113 5-2 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的微波介電特性 115 5-2-1 〖Na〗_2 〖〖Mg〗_5 (MoO_4 )〗_6的TG-DSC分析 115 5-2-2 〖Na〗_2 〖〖Mg〗_5 (MoO_4 )〗_6的拉曼光譜分佈 117 5-2-3 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的XRD相組成分析 118 5-2-4 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的晶格常數 122 5-2-5 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的SEM與EDS分析 125 5-2-6 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的相對密度分析 128 5-2-7 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的介電係數(ε_r)分析 129 5-2-8 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的品質因數與共振頻率乘積(Q×f)分析 130 5-2-9 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0-0.09)的共振頻率溫度飄移係數(τ_f)分析 133 5-2-10 〖(1-x)Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-xTiO_2 (x=0.5-1.5mol%)在燒結溫度為570℃時的微波介電特性 135 5-2-11 〖0.99Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2在燒結溫度為570℃時與Al共燒的EDS line scan 分析 138 5-3 濾波器的模擬與實作 140 5-3-1 玻璃纖維基板(FR4)之模擬與實作結果 141 5-3-2 氧化鋁基板之濾波器模擬與實作結果 143 5-3-3 〖0.99Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2自製基板之濾波器模擬與實作結果 145 第六章 結論 148 參考文獻 150 圖目錄 圖 2.1 F.Vreeland在1908年所發表的共振器[6] 10 圖 2.2被E.Habann所改良的分辨陽極磁控管構想[7] 11 圖 2.3 H.E.Hollmann所構想的多腔磁控管[9] 11 圖 2.4 顆粒間的接觸介面[13] 13 圖 2.5 電磁波入射、反射、透射關係圖 18 圖 2.6 電磁波在介質二中發生全反射之圖 19 圖 2.7 圓柱型介電共振器中mode之外部與內部功率傳輸比[19] 20 圖 2.8 圓柱型介電共振器電場分布圖[20] 20 圖 2.9 極化機構與頻率之關係圖 22 圖 2.10 空間電荷極化示意圖 22 圖 2.11 電偶極極化示意圖 23 圖 2.12 離子極化示意圖 23 圖 2.13 電子極化示意圖 24 圖 2.14 分子的震動模態示意圖 33 圖 3.1 射頻通訊系統前端架構 39 圖 3.2 各頻帶濾波器頻率響應示意圖 41 圖 3.3 三種濾波器的低通原理 43 圖 3.4 微帶線之外觀圖[33] 44 圖 3.5 微帶線之電場分佈圖 45 圖 3.6 步階阻抗效應電路及等效模型 50 圖 3.7 直角彎折效應電路及等效模型 51 圖 3.8 微帶線開路端效應電路及等效圖 52 圖 3.9 微帶線T型分岔步連續效應 54 圖 3.10 串聯微帶線間距效應電路及等效圖 56 圖 3.11 四分之一波長微帶線短路傳輸線 59 圖 3.12 指叉型濾波器 59 圖 3.13 二分之一波長微帶線諧振器的傳輸線示意圖 60 圖 3.14 平行耦合線濾波器 60 圖 3.15 U型諧振器與U型濾波器 61 圖 3.16 正方形開迴路諧振器與開迴路諧振濾波器 61 圖 3.17 微帶線共振器之電場強度分布圖 63 圖 3.18 三種電場耦合的共振器佈局 63 圖 3.19 兩電場耦合的共振器之等效電路 64 圖 3.20 當Y11=Y22和Y12=Y21的等效π型網路 65 圖 3.21 表示電場耦合使用導納反轉子的另一種等效電路圖 65 圖 3.22 微帶線共振器之磁場強度分布圖 67 圖 3.23 幾種磁場耦合的共振器佈局 67 圖 3.24 兩磁場耦合的共振器之等效電路圖 68 圖 3.25 當Z11=Z22和Z12=Z21的等效T型網路 69 圖 3.26 表示磁場耦合使用阻抗反轉子的另一種等效電路圖 69 圖 3.27 三種混合耦合的共振器佈局 71 圖 3.28 兩混合耦合的共振器之等效電路圖 72 圖 3.29 使用J-inverter&K-inverter分別代表電場、磁場耦合的另一種電路圖 72 圖 3.30 直微帶線共振器的等效電路示意圖 74 圖 3.31 摺疊微帶線形成U型共振器 74 圖 3.32 具兩個傳輸零點之帶通濾波器電路佈局圖 76 圖 3.33 具兩個傳輸零點之帶通濾波器頻率響應模擬圖 76 圖 4.1 製備流程圖 77 圖 4.2 探針迴圈耦合方式(a)水平放置耦合 (b)垂直放置耦合 85 圖 4.3 TE0np模態之場型圖 86 圖 4.4 共振腔的實體結構[40] 90 圖 4.5 介電共振器量測示意圖(a)單顆DR量測示意圖 (b)雙顆DR量測示意圖 91 圖 4.6 濾波器量測架構示意圖 93 圖 5.1 MgV_2 O_6的TG-DSC分析 97 圖 5.2 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6(a)x=0.07在520-640℃下持溫4小時XRD繞射(b)x=0–0.09在610℃下持溫4小時XRD繞射 99 圖 5.3 (〖Mg〗_(0.93) 〖Zn〗_(0.07) ) V_2 O_6在燒結溫度為610℃時的XRD繞射精修圖 100 圖 5.4 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0.07)燒結溫度在 (a) 520℃ (b) 550℃ (c) 580℃ (d) 610℃ (e) 640℃ 和(〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6(x=0–0.09)燒結溫度在610℃ (f) x=0 (g) x=0.01 (h) x=0.03 (i) x=0.05 (j) x=0.07 (k) x=0.09的SEM圖 107 圖 5.5 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0–0.09)相對密度與燒結溫度的關係圖 108 圖 5.6 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0–0.09)在不同燒結溫度下介電係數(ε_r)的關係圖 109 圖 5.7 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0–0.09)在不同燒結溫度下Q×f與相對密度的關係圖 111 圖 5.8 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6 (x=0–0.09)的共振頻率溫度飄移係數與燒結溫度關係圖 112 圖 5.9 (〖Mg〗_(0.93) 〖Zn〗_(0.07) ) V_2 O_6結溫度為610℃時與Al共燒的SEM與EDS line scan圖 114 圖 5.10 〖Na〗_2 〖〖Mg〗_5 (MoO_4 )〗_6的TG-DSC分析 116 圖 5.11 〖Na〗_2 〖〖Mg〗_5 (MoO_4 )〗_6在最佳燒結溫度570oC持溫4小時的拉曼光譜圖 117 圖 5.12 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6(a)x=0.07在540-660℃下持溫4小時XRD繞射(b)x=0-0.09在570℃下持溫4小時XRD繞射 119 圖 5.13 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6在燒結溫度為610℃時的XRD繞射精修圖 120 圖 5.14 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0.07)燒結溫度在 (a) 540℃ (b) 570℃ (c) 600℃ (d) 630℃ (e) 660℃和〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0–0.09)燒結溫度在610℃ (f) x=0 (g) x=0.01 (h) x=0.03 (i) x=0.05 (j) x=0.07 (k) x=0.09的SEM圖 127 圖 5.15 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0–0.09)相對密度與燒結溫度的關係圖 129 圖 5.16 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0–0.09)在不同燒結溫度下介電係數(ε_r)的關係圖 130 圖 5.17 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (x=0–0.09)在不同燒結溫度下Q×f的關係圖 132 圖 5.18 Na_2 (Mg_(5-x) Zn_x ) (MoO_4 )_6 (x=0–0.09)在燒結溫度為610℃下Qxf、τ_f與Cell Volume之關係圖132 圖 5.19 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6x=0–0.09)的共振頻率溫度飄移係數與燒結溫度關係圖 134 圖 5.20 〖(1-x)Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-xTiO_2 (x=0.5–1.5mol%)燒結溫度為570℃時,添加不同比例TiO_2的介電係數(ε_r)關係圖 135 圖 5.21 〖(1-x)Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-xTiO_2 (x=0.5–1.5mol%)燒結溫度為570℃時,添加不同比例TiO_2的Qxf關係圖 136 圖 5.22 〖(1-x)Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-xTiO_2 (x=0.5–1.5mol%)燒結溫度為570℃時,添加不同比例TiO_2的共振頻率溫度飄移係數關係圖 137 圖 5.23 〖0.99Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2燒結溫度為570℃時與Al共燒的SEM與EDS line scan圖 139 圖 5.24 濾波器之電路佈局圖 140 圖 5.25 FR4基板濾波器之頻率響應圖 141 圖 5.26 FR4基板濾波器之實作142 圖 5.27 氧化鋁基板濾波器之頻率響應圖 143 圖 5.28 氧化鋁基板濾波器之實作圖144 圖 5.29 〖0.99Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2自製基板濾波器之頻率響應圖 145 圖 5.30 〖0.99Na〗_2 (Mg_4.93 Zn_0.07 ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2自製基板濾波器之實作圖147 表目錄 表 1.1 無線網路技術規格表 3 表 1.2 釩酸鹽與鉬酸鹽類的化合物 7 表 4.1 Raman Spectrometer 之操作條件整理表 81 表 5.1 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6(a)x=0.07 T_s=520-640℃ (b)x=0-0.09 T_s=610℃之晶格常數 101 表 5.2 (〖Mg〗_(1-x) 〖Zn〗_x ) V_2 O_6(a)x=0.07 T_s=520-640℃ (b)x=0-0.09 T_s=610℃的各項數值 103 表 5.3 為圖5.4(d)中(a)(b)兩點之EDS分析 107 表 5.4 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6 (a)x=0.07 T_s=540-660℃ (b)x=0-0.09 T_s=570℃之晶格常數121 表 5.5 〖Na〗_2 (〖Mg〗_(5-x) 〖Zn〗_x ) (MoO_4 )_6(a)x=0.07 T_s=540-660℃ (b)x=0-0.09 T_s=570℃的各項數值127 表 5.6 為圖5.13(b)中(a)(b)兩點之EDS分析 127 表 5.7 FR4基板濾波器之電路佈局參數 141 表 5.8 FR4基板濾波器之模擬與實作特性比較 142 表 5.9 氧化鋁基板濾波器之電路佈局參數(mm) 143 表 5.10 氧化鋁基板濾波器的模擬與實作特性比較 144 表 5.11 〖0.99Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2自製基板濾波器之電路佈局參數(mm) 145 表 5.12 〖0.99Na〗_2 (〖Mg〗_(4.93) 〖Zn〗_(0.07) ) (MoO_4 )_6-0.01TiO_2自製基板濾波器的模擬與實作特性比較 146 表 5.13 不同基板濾波器在5.0 GHz的模擬與實作特性比較 147

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    校外:2023-09-01公開
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