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研究生：	葉修銘 Yeh, Hsiu-Ming
論文名稱：	畫素電極銦錫氧化物結構於蝕刻後殘渣行為研究 Study of Pixel ITO Etch Residue in TFT ITO Process
指導教授：	蔡明田 Tsai, Ming-Tien
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	工學院 - 工程管理碩士在職專班 Engineering Management Graduate Program
論文出版年：	2021
畢業學年度：	109
語文別：	中文
論文頁數：	54
中文關鍵詞：	氧化銦錫、草酸、田口方法、實驗設計、蝕刻、殘渣、ITO
外文關鍵詞：	Indium tin oxide, oxalic acid, Taguchi method, experimental design, etching, residue
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本文主要探討TFT-LCD產業中畫素電極銦錫氧化物(ITO) ，在等向性草酸濕式蝕刻的反應下，觀察SEM製程損失的變化取得最佳蝕刻製程參數。第一部分，採用蝕刻時間(時間變化)的實驗方式。從等向性蝕刻行為來觀察殘渣行為實驗結果，由於蝕刻濃度、蝕刻溫度、蝕刻時間是影響蝕刻製程最重要因素。
第二部分，故後續從ITO鍍膜參數條件，利用田口方法，由實驗設計的結果，找出控制因子中的重要因子，並執行確認實驗，最終選擇一組最佳製程參數配方，使異常變異因素的干擾降低至最小，尋找殘渣最少的製程參數，來達到強健製程(robust process)。

This article mainly explores the pixel electrode indium tin oxide (ITO) in the TFT-LCD industry to observe the changes in the process loss from the SEM, and under the reaction of isotropic oxalic acid wet etching, to obtain the best etching process parameters. As the etching concentration, temperature, and the etching time are the most important factors to affect the etching process, the first part of the article applies the experimental method of etching time (time change), observing from the perspective of isotropic etching behavior to obtain the experiment results of the residue behavior.
In the second part of the article, following up from the parameter conditions of ITO coating, by using Taguchi method, from the results of experimental design, find out the most important factors in the control ones, by doing empirical experiments, and select a set of optimal process parameters formulas to minimize the abnormal variation and obtain the process parameters with the minimum residue to make a robust process.

摘要	I
目錄	VII
表目錄	X
圖目錄	XI
符號說明	XIII
第1章 緒論	1
前言  1
研究動機與目的	2
1-2.1研究動機	2
1-2.2研究目的	4
論文架構  7
第2章 理論基礎  9
TFT-LCD的原理及製程介紹  9
2-1.1蝕刻技術介紹  11
2-1.2薄膜成膜技術介紹	13
2-2文獻回顧與實驗  16
2-3驗證實驗	19
2-4田口方法介紹	25
2-4.1直交表	26
2-4.2訊號與雜訊比(S/N比) 27
2-4.3因子反應分析 29
2-4.4變異分析  29
第3章 研究方法與實驗設備 32
3-1濕式蝕刻機台介紹	33
3-2 物理沉積機台介紹  33
3-3 田口方法實驗設計  34
第4章 結果與討論  37
4-1.1實驗紀錄表及實驗數據(Experiment Log/Data)	39
4-1.2信號雜訊比(S/N比，S/N Ratio，signal-to-noise ratio) 40
4-1.3因子效應(Factor Effects)	41
4-1.4反應表(Response Table)	42
4-1.5反應圖(Response Graph)	42
4-1.6品質特性的反應表及反應圖	43
4-2兩階段最佳化 44
4-2.1控制因子的分類(Classification of Control Factors)  44
4-2.2製程最佳化(Process Optimization)  45
4-2.3加法模式預測(Prediction Using the Additive Model)  46
4-3確認實驗(CONFIRMATION EXPERIMENT)  46
第5章 結論與建議  50
5-1結論  50
5-2建議  51
參考文獻  53
                                    

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2026-09-24公開

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