蝕刻過程重要的一點是要求整個晶圓必須有一個均勻的蝕刻速率，或好的晶圓內均勻性，以及高的重複性，好的晶圓對晶圓均勻性。
本研究利用田口實驗設計法配合計算流體力學軟體Fluent探討蝕刻劑反應室之設計對於蝕刻劑在晶圓表面速度分布之影響，藉由改變氣體入口速度、不同氣體入口速度之比例、晶圓與反應室直徑之比例、晶圓距離反應室出口之級距、氣體入射反應室之角度以及出口閥門之開閉程度作為田口實驗設計法的變音，利用Fluent數值模擬蝕刻反應室內部流場，探討蝕刻反應室在不同田口設計組合下，晶圓表面之蝕刻劑速度分布的影響。
結果顯示，各控制因子對晶圓表面速度分布均勻度的影響力依序為晶圓與反應室直徑之比例＞中心入流與邊緣入流速率比＞邊緣入流之入射角度。而模擬結果顯示最佳田口組合之蝕刻不均勻性相較十八組田口實驗之平均值50%下降了12%。

The purpose of this study is for flow optimization on a silicon wafer and for increasing the yield of the semiconductor manufacturing process by CFD simulation and experiments.
Through Taguchi design and by changing the boundary conditions, the flow fields inside the wafer etching chamber are simulated by CFD using Fluent. The quality goal is to achieve a uniform velocity distribution on the surface of the wafer.
Simulation results show that non-uniformity from the best combination of the controllable factors is 33%; whereas the experimental results of the best combination is 20%.

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