本論文利用共電鍍技術取代傳統的物理氣相沉積法來製備銅銦鎵先驅層於鍍有鉻阻障層及鉬背電極的可撓式不鏽鋼基板上，再使用高溫硒化法形成銅銦鎵二硒(CuInGaSe2)吸收層。其中電鍍具有低成本、製程簡單、可大面積製造等優點，而可撓式太陽能電池可使產品多樣化，使其普及到民生用途上並擴大太陽能電池的需求，此研究對於業界量產及發展皆有很大的助益。
在實驗中發現：電鍍液濃度、電鍍之電壓、電鍍時間、硒化溫度與時間等實驗參數皆會影響銅銦鎵二硒薄膜之品質及太陽能電池特性。本實驗透過掃描式電子顯微鏡(SEM)、能量分散光譜儀(EDX)、X光繞射分析儀(XRD)、X射線光電子能譜儀(XPS)，對製備的薄膜進行表面形貌、晶體結構、分子結構、元素縱深分佈進行分析。
本實驗最後成功做出CIGS薄膜太陽能電池，由電流電壓特性曲線顯示，該元件具有顯著之二極體特性，目前最佳元件之數據分別為VOC＝210 mV、JSC＝4.98 mA/cm2、F.F.＝24 %、η＝0.246 %。

In this dissertation, I used co-electro-deposition technique instead of traditional physical vapor deposition to deposit Cu-In-Ga precursors on a Cr and Mo coated flexible stainless steel substrate, followed by a high temperature selenization process to form CuInGaSe2 (CIGS) absorber layer. Electroplating has many advantages such as low cost, simple process, and available for large-scale production. Solar cell using flexible substrate can apply portable devices and have the potential to boost the demand of photovoltaic module. It has considerable benefits to the photovoltaic industry.
In this study is found that：Concentration of the plating solutions, co-plating voltage, plating time, selenization temperature, and selenization duration, can significantly influence on the quality of the CIGS absorber layer. The study used SEM, EDX, XRD, and XPS to analyze film’s morphology, element composition, crystalline phase and it’s orientation, depth profile (distribution) of the element.
CIGS thin film solar cells have been successfully fabricated after CdS/i-ZnO/ AZO and the metal grids were deposited. From the current-voltage test result, it indicates that the device has remarkable diode characteristics. Currently, the best solar cell has following photovoltaic parameters: Voc=210 mV, Jsc = 4.98 mA/cm2, F.F.=24 % and η=0.246 % .

【1】翁敏航，太陽能電池：原理、元件、材料、製程與檢測技術，台灣東華書局股份有限公司，台灣，2010年。
【2】黃惠良，鄭百亨，太陽電池，五南圖書出版公司，2008年。
【3】莊嘉琛，太陽能工程-太陽電池篇，全華科技圖書，台灣，2003年。
【4】濱川圭弘原著，張紅梅譯，光電太陽電池設計與應用，五南圖書出版公司，2009年。
【5】翁敏航，太陽能電池：原理、元件、材料、製程與檢測技術，台灣東華書局股份有限公司，台灣，P.13-17，2010年。
【6】顧鴻濤，太陽能電池元件導論，全威書局有限公司，2009年。
【7】林明獻，太陽電池技術入門，全華圖書股份有限公司，2008年。
【8】翁敏航，太陽能電池：原理、元件、材料、製程與檢測技術，台灣東華書局股份有限公司，台灣，2010年。
【9】S.O.Kasap原著，黃俊達等譯，光電半導體元件，2006年。
【10】翁敏航，太陽能電池：原理、元件、材料、製程與檢測技術，台灣東華書局股份有限公司，台灣，2010年。
【11】戴寶通，鄭晃忠，太陽能電池技術手冊，台灣電子材料與袁健協會發行出版，台灣，2008年。
【12】翁敏航，太陽能電池：原理、元件、材料、製程與檢測技術，台灣東華書局股份有限公司，台灣，2010年。
【13】楊德仁，太陽能電池材料，五南圖書出版公司，台灣，2008年。
【14】陳頤承，郭昭顯，陳俊亨，太陽能電池量測技術，工業材料雜誌258期，台灣，2006年。
【15】翁敏航，太陽能電池：原理、元件、材料、製程與檢測技術，台灣東華書局股份有限公司，台灣，2010年。
【16】濱川圭弘原著，張紅梅譯，光電太陽電池設計與應用，五南圖書出版公司，2009年。
【17】林明獻，太陽電池技術入門，全華圖書股份有限公司，2008年。
【18】A. Luque and S. Hegedus, “Handbook of Photovoltaic Science and Engineering”, John Wiley & Sons, 2003
【19】黃惠良，鄭百亨，太陽電池，五南圖書出版公司，2008年。
【20】林明獻，太陽電池技術入門，全華圖書股份有限公司，2008年。
【21】F.Abuo-Elfotouh, D.J.Dunlavy and T.J.Coutts, Solar Cells, 27, 1989, 237
【22】林明獻，太陽電池技術入門，全華圖書股份有限公司，2008年。
【23】M.A.Contreras, B.Egaas, K.Ramanathan, J.Kiltner, A.Swartzlander, F.Hasoon, R.Noufi, Prog.Photovolt.：Res.Appl., 7, 1999, 311
【24】R. Schaffler and H.W. Schock, “High mobility ZnO:Al thin films grown by reactive DC magnetron sputtering”, CONFERENCE RECORD IEEE, 93, p.1026, (1993)
【25】翁敏航，太陽能電池：原理、元件、材料、製程與檢測技術，台灣東華書局股份有限公司，台灣，2010年。
【26】林明獻，太陽電池技術入門，全華圖書股份有限公司，2008年。
【27】蕭宏，半導體製程技術導論，台灣培生教育出版公司， p.461，2007年。
【28】黃惠良，鄭百亨，太陽電池，五南圖書出版公司，2008年。
【29】Y.Hamakawa, Thin-Film Solar Cells：Next Generation Photovoltaic and Its Applications, Springer, 2004
【30】Michael Bass, “Handbook of Optics, Third Edition Volume II: Design, Fabrication and Testing, Sources and Detectors, Radiometry and Photometry”, vol.2, 2nd ed., McGraw Hill Professional, New York, 1994.
【31】S. Ishizuka, K. Sakurai, A. Yamada, K. Matsubara, P. Fons, K. Iwata, S. Nakamura, Y. Kimura, T. Baba, H. Nakanishi, T. Kojima and S. Niki, ”Fabrication of wide-gap Cu(In1-xGax)Se2 thin film solar cells: a study on the correlation of cell performance with highly resistive i-ZnO layer thickness”, Solar Energy Materials & Solar Cells, 87, P.541, 2005.
【32】M. E. Calixto, R. N. Bhattacharya, P. J. Sebastian, A. M. Fernandez, S. A.Gamboa and R. N. Noufi,“Cu(In,Ga)Se2 based photovoltaic structure by electrodeposition and processing”, Solar Energy Materials and Solar Cells, 55, p.23, 1998.
【33】尤光先，電鍍工程學，徐氏基金會出版，1976年。
【34】賴耿陽，實用電鍍技術全集，復漢出版社，1981。
【35】蕭宏，半導體製程技術導論，台灣培生教育出版公司，台灣，2007年。
【36】蘇炎坤，二次離子質譜儀之分析及應用，科儀新知第44期，1988年。
【37】B.V.Crist, Annotated Handbooks of Monochromatic XPS Spectra, PDF of Volumes 1 and 2, XPS International LLC, Mountain View, CA, USA, 2005.
【38】J.T.Grant and D.Briggs, Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy, IM Publications, Chichester, UK, 2003.
【39】D.S. ALBIN, J.R. TUTTLE and R. NOUFI, “The Formation of Large-Grain CulnSe2 Films by Selenization by High-Rate Se Transport under Moderate Vacuum Conditions”, Journal of Electronic Materials, 24, No.4, 1995.
【40】N. Kohara, T. Negami, M. Nishitani and T. Wada,“Preparation of Device-Quality Cu(In,Ga)Se2 Thin Films Deposited by Co-evaporation with Composition Monitor”, Japan Journal of Applied Physics, 34, P.L1141, 1995.