本論文研究的主題，是在ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)鍍膜後於後續沉積氮化矽薄膜的CVD(化學氣相沉積)製程影響下所產生的缺陷分析。在TFT-LCD面板需求精緻化的現在，提高開口率與廣視角往往成為面板廠商的重要課題。
因此，在LTPS(Low Temperature Poly-Si 低溫多晶矽)的TFT製程中是在金屬層與保護層之間新增一道Bottom ITO製程。但是在完成Bottom ITO製程，進入CVD製程沉積氮化矽薄膜製程後，ITO與氮化矽薄膜之間有高的或然率會形成球型結晶粒。此球型結晶粒會使得氮化矽薄膜 (SiNx film)破裂造成產品良率損失(約2~3%)。本論文以實驗設計法尋找新的ITO 和CVD 製程參數，以改善ITO球型結晶粒缺陷的發生率。
實驗結果顯示減少SiH4及HN3氣體流量和增加製程壓力，能降低ITO球型結晶粒缺陷。在最佳製程條件下，可以減少ITO球型結晶粒缺陷70%。

The thesis examines the causes of defect generation during Chemical Vapor Deposition (CVD) after Indium Tin Oxide (ITO) deposition by the Taguchi method. Control factors selected in the Taguchi method include both ITO and CVD process parameters; namely, ITO Power, Ar/H2 flow, O2 flow, and deposition pressure; and CVD SiH4 flow, HN3 flow, deposition pressure, and RF power. In order to improve the yield loss of this defect. on ITO spherical crystal defect.
The results show that the spherical crystal defect is mainly the ITO. And reducing the flow rates of SiH4 and HN3 gases can decrease the number of defects. This is because the excessive H atoms lead to hydrogenation reaction with ITO on the substrate to produce the spherical crystal grains. Moreover, increasing the deposition pressure can reduce the number of defects; whereas, the RF power has no significant effect on defects. With the improved process condition, the number of defect is reduced from 350 to about 100 with an improvement of about 70%.

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