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研究生： 曾展晧
Tseng, Chan-Hao
論文名稱： 以貴金屬奈米粒子-氧化鋅奈米柱複合光觸媒分解甲基橙之研究
Photodegradation of methyl orange using Noble metal loaded ZnO nanorods
指導教授： 吳季珍
Wu, Jin-Jen
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 工學院 - 化學工程學系
Department of Chemical Engineering
論文出版年： 2005
畢業學年度： 93
語文別： 中文
論文頁數： 121
中文關鍵詞： 氧化鋅 、光化學還原法 、濺鍍法 、光催化 、貴金屬
外文關鍵詞： noble metal, Sputtering, photocatalysis, Photoreduction, ZnO
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    • 　　本研究分別利用光化學還原法(photoreduction method)與濺鍍法(sputtering method)於氧化鋅奈米柱上成長貴金屬，形成金屬－氧化鋅奈米柱光觸媒複合材料，並藉由光分解甲基橙之光催化實驗，來探討沉積不同貴金屬於氧化鋅奈米柱上，對光催化活性之影響。在光化學還原法中，藉由控制含有貴重金屬溶液之濃度與光照時間，可成功調節貴重金屬之粒徑大小與分佈密度，並得知金屬奈米粒子大多分布於氧化鋅奈米柱之頂部。由XRD與TEM結構分析得知，所還原出之Ag與Au奈米粒子具有單晶之cubic 結構。在濺鍍法中，藉由控制濺鍍電流大小與濺鍍時間可成長不同密度與粒子大小之金屬粒子(Au與Pt)於氧化鋅奈米柱上，其中Au奈米粒子是分佈於氧化鋅奈米柱之頂部，此與光化學還原法之情況類似；然而，Pt奈米粒子是包覆於整個氧化鋅奈米柱上。透過XRD分析得知Au與Pt奈米粒子也具有cubic結構。
    　　在光分解甲基橙之光催化實驗中，發現沉積Ag與Au奈米粒子時，在其適當之粒徑大小與分布密度於氧化鋅奈米柱的條件下，具有最佳的光催化效率。但Pt金屬奈米粒子卻無促進光催化效率之結果。此符合文獻中所提及Ag或Au奈米粒子具有儲存光電子於其中之能力，而降低半導體內所產生的光電子電洞對再結合機率的結果(意即增加電子電洞對之分離效率)；然而，Pt金屬粒子卻無此能力。另外，藉由催化反應動力之分析，顯示本實驗異相光催化反應是符合一階反應動力模式。

    　Nobel metal nanoparticles have been formed on the surface of ZnO nanorods via photoreduction method and sputtering method. Using photoreduction method, the metal particles are mainly formed on the top of the nanorods. The sizes and densities of the metal particles can be controlled by deposition times and the concentrations of the noble metal precursor solutions. Structure analyses reveal that the Ag and Au nanoparticles possess single crystal cubic structure. In the case of sputtering method, the sizes and densities of the Au and Pt particles can be controlled by sputtering current and deposition times. Au nanoparticles are formed on the top of the nanorods whereas Pt nanoparticles are deposited on the whole surface of the nanorods. XRD analyses show that they both possess cubic crystal structures. The nano-metal/ZnO nanorods composites were employed to investigate the effects of the metal nanoparticles on the photocatalytic activities for methyl orange (MO) degradation. It reveals that photocatalytic activities of the nano-metal/ZnO nanorod composites for MO degradation depend on the size and the densities of the metal particles. The MO degradation is enhanced using Ag/ZnO nanorod and Au/ZnO nanorod composites in comparison with the bare ZnO nanorods. However, the enhancement is absent in the case of Pt/ZnO nanorods composites. The results suggest that the Ag and Au nanoparticles on the ZnO nanorods enhance the charge separation of the excited electron-hole pairs in the ZnO nanorods. In addition, kinetic data for MO degradation are well fit to the 1st-order kinetic model.

    目錄 中文摘要……………………………………………………………........I 英文摘要…………………………………………………………….…..II 致謝……………………………………………………………………..III 目錄……………………………………………………………………...V 表目錄………………………………………………………………......IX 圖目錄………………………………………………………………........X 第一章 緒論……………………………………………….……….……1 1.1 前言……………………………………………………….……1 1.2 光觸媒催化反應………………………………………….……2 1.3 氧化鋅(ZnO) ……………….…………………………….……6 1.4 一維奈米材料…………….……………………...……….……7 1.5 研究動機…………….……………..…………...……….……12 第二章 理論基礎……………………………………….…..…….……13 2.1 光催化理論…………………………………....…..…….……13 2.1.1 催化反應………………………………....…..…..……13 2.1.2 異相催化反應…………………………....…..…..……14 2.1.3 半導體光催化…………………………......……..……15 2.1.4 影響光催化效率之因素………………....…..…..……16 2.1.4.1 能隙(Band-gap) ………………....…..……..…16 2.1.4.2 能帶彎曲( Band Bending ) …....…………..…17 2.1.4.3 電子電洞之捕捉效應(Scavenging) ……….…19 2.1.4.5 量子效應…………………………………...…20 2.1.5 反應動力模式……………………………...…....…….21 2.2 光觸媒改質…………………………………....…..…….……23 2.2.1 摻雜(Doped) ……………………………...…....…..….23 2.2.2 複合半導體……………………………...…......…..….25 2.2.3 貴重金屬之表面改質…………………...…......…..….26 2.2.4 表面敏化………………………………...…......…..….34 2.3 化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition) ……..…….……35 2.4 成長一維奈米材料之方法………………………..…….……36 2.4.1非等方向性之晶體成長…………………..……...……37 2.4.2 以VLS方法成長………………………....……...……37 2.4.3 以Solution-Liquid-Solid & Solid-Liquid-Solid 方法成長………………………………………………………39 2.4.4 使用具有奈米級孔洞之模具成長……………………40 2.4.5以界面活性劑來控制不同晶面具有不同的成長速度…………………………………..…………………..40 2.4.6 氧化物促進一維奈米線成長(Oxide assisted growth) ………..…………………………………...…42 2.4.7 其他一維結構之成長方式………………..……..……44 2.4.7.1 以螺旋差排方式成長(Screw dislocation growth) …………………….…………..……..……44 2.4.7.2氣相蝕刻成長一維奈米結構……..……..…..44 第三章 實驗步驟與研究方法………………………………..…..……46 3.1 實驗設計流程………………………………...……..…..……46 3.2 系統設計………………………………...……..………..……47 3.2.1 反應氣體輸送裝置……………...….…..………..……47 3.2.2 Thermal CVD反應器…………….....….…..………..…47 3.2.3 真空及排氣裝置…………………...….…..………..…47 3.2.4 光化學反應與光催化系統……...….……..………..…48 3.3 實驗材料………………………...………...….…..………..…50 3.3.1 反應物………………………...……….…..………..…50 3.3.2 基板材料……………………...……….…..………..…50 3.4 實驗步驟………………...…………...……….…..………..…51 3.4.1 基板前處理……...…………...……….…..….……..…51 3.4.2 氧化鋅奈米柱之成長……...…………...…………..…51 3.4.3 貴金屬-氧化鋅奈米柱複合材料之成長……...………51 3.4.4 甲基橙之分解………………………………....………52 3.5 分析與鑑定……………………...…………………....………52 3.5.1 掃描式電子顯微鏡分析(SEM) ……………....………52 3.5.2 穿透式電子顯微鏡(TEM) …………………....………53 3.5.3 X光繞射分析儀(XRD) ………………….........………54 3.5.4紫外線-可見光吸收光譜儀(UV-Visible Absorption Spectrometer ) …………………....………………..…54 3.5.7 螢光光譜儀(PL) …………………....…………………54 第四章 貴金屬奈米粒子－氧化鋅奈米柱複合光觸媒之成長………56 4.1 成長氧化鋅奈米結構……………………………………...…56 4.2 以光還原法成長貴金屬奈米粒子-氧化鋅複合光觸媒......…58 4.2.1 Ag-ZnO複合材料.......................................................…58 4.2.2 Au-ZnO複合材料.......................................................…62 4.2.3 Pt-ZnO複合材料.........................................................…66 4.2.4 反射電子影像(BEI)之分析.......................................…70 4.3 結構分析...............................................................................…75 4.3.1 XRD分析....................................................................…75 4.3.2 金屬粒子-氧化鋅奈米柱之TEM微結構分析.........…78 4.3.3 元素分析....................................................................…83 4.4 以濺鍍法成長ZnO-Au與ZnO-Pt複合材料.......................…86 4.5 金屬－氧化鋅奈米柱複合材料之形成...............................…90 4.6 結論.......................................................................................…95 第五章 光分解甲基橙之研究............................................................…96 5.1 甲基橙之全光譜圖與濃度校正曲線...................................…96 5.2 不同半導體氧化物之UV分析圖譜與其光催化反應之結果………..……………………………………………………98 5.3 ZnO nanorods與ZnO film光催化效果之比較…………..…101 5.4 以光還原法成長貴重金屬－氧化鋅奈米柱複合材料之光催化反應…………………………………………………....…103 5.5 以濺鍍法成長之ZnO-Au與ZnO-Pt複合光觸媒之光催化反應……………………………………………………………..108 5.6 光催化反應動力與其機制之探討………………………….111 5.7 結論………………………………………………………….115 第六章 總結論…………………………………………….………….116 第七章 參考文獻………………………………………….………….118 表目錄 表1.1 ZnO之物理性質...........................................................................6 表5.1 以光還原法及濺鍍法成長貴金屬－氧化鋅奈米柱複合材料， 其光催化反應之擬一階反應速率常數……………………..114 圖目錄 圖1.1 (a)Top down及Bottom up之示意圖；(b)精細製程技術發展趨勢………………………………………..…………………..3 圖1.2 一些半導體與水溶液電解質接觸之能隙位置………...……..5 圖1.3 ZnO wurtzite結構………………………………………….......6 圖1.4 奈米量子尺寸效應(a)電子集體效應與(b)波干涉效應……....8 圖1.5 電子能態密度與材料尺度之關係圖……………………….....8 圖1.6 奈米碳管捲曲行為 (A) armchair (n = m) (B) zigzag (n or m = 0)(C) chiral (any other n or m)。…………...…………….…....9 圖1.7 以奈米線所製作之光電元件(a)使用ZnO所作成之奈米雷射(b) 以矽奈米線所做成之氣體感測器...................................10 圖1.8 以奈米線所製作之電子元件(a)BJT(b)CMOS........................11 圖2.1 反應系統能量變化圖...............................................................14 圖2.2 半導體經光激發後產生電子傳遞之反應...............................16 圖2.3 半導體與電解質平衡時之能帶彎曲圖：(a) n型半導體；(b) p型半導體..................................................................................18 圖2.4 施加不同電位( E )對n-type半導體與電解液之能帶邊緣之影響：(a) E＞Efb；(b) E = Efb；(c) E＜Efb................................19 圖2.5 TiO2與TiO2-xNx之Optical properties的比較..........................24 圖2.6 利用可見光激發metal-doped TiO2之光激發過程: (a) Ti1-xVxO2；(b) Ti1-xFexO2；(c) Ti1-xCrxO2 .............................25 圖2.7 不同複合半導體受光激發之電子轉移能量圖: (A)單一能隙較小之半導體受光激發產生之電子，傳遞到未激發之半導體，(B)兩種半導體皆受光激發而電子電洞互相傳遞.............................................................................................27 圖2.8 半導體-貴金屬複合系統之電荷分佈與費米能階之平衡.....29 圖2.9 4mM 含有ZnO nanoparticles水溶液於乙醇中之放射光譜，照射UV光時間分別為：(a) t = 0；(b) t =10；(c) t = 20；(d) t = 30 min ...................................................................................29 圖2.10 監測不同時間下，ZnO nanoparticles (4 mM)在以UV光照射下還原不同金屬之530 nm放射強度：(a) 20 μM H2PtCl6與(b) 20 μM HAuCl4 solution ...........................................................30 圖2.11 光誘導電荷分離與電荷分佈：(a)ZnO-Pt and (b)ZnO-Au 奈米複合材料。Ef與Ef’為電荷重新分佈前與後之費米能階........30 圖2.12 Au膠體之TEM圖像：(a) 3 nm；(b) 5nm；(c) 8 nm ..........32 圖2.13 不同濃度之TiO2-Au solution照射UV光，其675 nm之吸收度變化：(a) 8 nm diameter Au particles；(b) 5 nm diameter Au particles.....................................................................................32 圖2.14 TiO2懸浮液(5.5 mM)照射UV光120分鐘之吸收圖譜：(a)未加入與(b)加入8 nm diameter Au奈米粒子。(c)-(f)在TiO2－Au系統平衡後，加入不同濃度之C60：(c)5.9；(d)11.7；(e)17.5；(f)23.2 μM ..................................................................33 圖2.15 TiO2粒子受激發後，由TiO2至Au至C60之階梯式電子轉移之示意圖..................................................................................33 圖2.16 直接光解與光敏化反應光解之示意圖...................................34 圖2.17 化學氣相沈積之主要步驟示意圖...........................................36 圖2.18 各種成長一維奈米結構方式之示意圖...................................38 圖2.19 以Au為觸媒利用VLS機制成長Ge奈米線(A)成長機制示意圖(B)Au與Ge之相圖.........................................................39 圖2.20 以Solution-LS機制成長一維結構之示意圖..........................39 圖2-21 (A) 具有孔洞的AAO材料 (B) 依材料填入孔洞的完全或不完全密實可分別製作出奈米線或奈米管之示意圖..............41 圖2-22 (a)以界面活性劑形成微胞或逆微胞來成長奈米線或奈米碳管示意圖(b)以界面活性劑控制CdSe長寬比(A)長寬比1(B)長寬比4 (C) 長寬比10........................................................42 圖2-23 Oxide-assisted Growth 和Metal-Catalyzed Growth...............43 圖2.24 氧化物促進一維奈米結構之成長示意圖(a) 氣相中的先趨物成核後並產生Si包理於SiOX內之複合結構(b)晶核成長形成奈米線或鏈狀結構之奈米線.............................................44 圖2-25 螺旋差排導致一維成長(a)螺旋差排示意圖(b)以螺旋差排機構成長In2O3奈米線...............................................................45 圖2-26 Si奈米尖錐的 (a) SEM及(b) TEM圖................................45 圖3.1 實驗流程...................................................................................46 圖3.2 Thermal CVD實驗裝置圖.......................................................48 圖3.3 光化學反應及光催化反應系統裝置圖...................................49 圖3.4 JEOL JSM-7000之場發射型掃描式電子顯微鏡...................53 圖3.5 雙光紫外-可見光光譜儀結構示意圖.....................................55 圖4.1 (a)ZnO nanorods之SEM morphology；(b) ZnO film之SEM 圖；(c) ZnO nanorods之PL光譜圖；(d) ZnO film之PL光譜圖..............................................................................................57 圖4.2 為10-3 M之AgNO3溶液10ml光還原反應成長ZnO-Ag複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins；(d)60mins...............................................................59 圖4.3 為10-4 M之AgNO3溶液10ml光還原反應成長ZnO-Ag複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30min；(d)60mins.................................................................60 圖4.4 為10-5 M之AgNO3溶液10ml光還原反應成長ZnO-Ag複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins；(d)60mins...............................................................61 圖4.5 為10-3 M之HAuCl4溶液10ml光還原反應成長ZnO-Au複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins..................................................................................63 圖4.6 為10-4 M之HAuCl4溶液10ml光還原反應成長ZnO-Au複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins；(d)60mins..............................................................64 圖4.7 為10-5 M之HAuCl4溶液10ml光還原反應成長ZnO-Au複合 材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins；(d)60mins..............................................................65 圖4.8 為10-3 M之H2PtCl6溶液10ml光還原反應成長ZnO-Pt複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins；(d)60mins..............................................................67 圖4.9 為10-4 M之H2PtCl6溶液10ml光還原反應成長ZnO-Pt複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins；(d)60mins..............................................................68 圖4.10 為10-5 M之H2PtCl6溶液10ml光還原反應成長ZnO-Pt複合材料之SEM圖，反應時間分別為(a)10mins；(b)20mins；(c)30mins；(d)60mins..............................................................69 圖4.11 Ag-ZnO複合材料之SEI(圖左)與BEI圖(圖右)，條件分別為：(a)10-3 M AgNO3，照光10分鐘；(b)10-3 M AgNO3，照光30分鐘；(c)10-4 M AgNO3，照光10分鐘；(d)10-5M AgNO3，照光30分鐘。…………………………………………….....72 圖4.12 Au-ZnO複合材料之SEI(圖左)與BEI圖(圖右)，條件分別為：(a)10-3 M HAuCl4，照光10分鐘；(b)10-4 M HAuCl4，照光10分鐘；(c)10-4 M HAuCl4，照光30分鐘；(d)10-4M HAuCl4，照光60分鐘。………………………………………73 圖4.13 Pt-ZnO複合材料之SEI(圖左)與BEI圖(圖右)，條件分別為：(a)10-3 M H2PtCl6，照光10分鐘；(b)10-3 M H2PtCl6，照光30分鐘；(c)10-4 M H2PtCl6，照光10分鐘；(d)10-5M H2PtCl6，照光30分鐘。………………...………………………………74 圖4.14 Ag-ZnO複合材料之低掠角繞射圖譜：(a)10-3 M AgNO3，照光10mins；(b)10-3 M AgNO3，照光30mins；(c)10-4 M AgNO3，照光30mins；(d)10-5 M AgNO3，照光30mins…………..……76 圖4.15 Au-ZnO複合材料之低掠角繞射圖譜：(a)10-3 M HAuCl4，照光30mins；(b)10-4 M HAuCl4，照光30mins；(c)10-5 M HAuCl4，照光30mins；(d)純氧化鋅奈米柱………..…..……76 圖4.16 Pt-ZnO複合材料之低掠角繞射圖譜：(a)10-3M H2PtCl6，照光10mins；(b)10-3 M H2PtCl6，照光30mins；(c)10-4 M H2PtCl6，照光30mins；(d)10-5 M H2PtCl6，照光30mins……..77 圖4.17 以10-4 M HAuCl4 solution照光30mins成長Au-ZnO複合材料：(a) TEM image；(b) High Resolution image與選區繞射圖譜…..…………………………………………………....……79 圖4.18 以10-5 M HAuCl4 solution照光30mins成長Au-ZnO複合材料：(a) TEM image；(b) ZnO奈米柱之High Resolution image與選區繞射圖譜；(c) Au之High Resolution image與選區繞射圖譜…………..……………………………………....……81 圖4.19 以10-4 M AgNO3 solution照光30mins成長Ag-ZnO複合材料：(a)與(b) ZnO奈米柱之TEM images與選區繞射圖譜；(c) Ag之High Resolution image與選區繞射圖譜…….......……82 圖4.20金屬粒子-氧化鋅奈米柱複合材料之EDS元素分析：(a)Ag-ZnO；(b)Au-ZnO：(c)Pt-ZnO……………...….......……84 圖4.21 金屬粒子-氧化鋅奈米柱複合材料之微區EDS元素分析：(a)Au-ZnO複合材料：以10-4 M HAuCl4 solution照光30mins，(b)Ag-ZnO複合材料：10-4 M AgNO3 solution照光30mins…...………………………………………….......……85 圖4.22 為利用濺鍍法成長ZnO-Au複合材料之SEM圖，分別為(a)10 mA，45s；(b)10 mA，90s；(c)10 mA，135s；(d)10 mA，180s.…87 圖4.23 為利用濺鍍法成長ZnO-Pt複合材料之SEM圖，分別為(a)10 mA，120s；(b)30 mA，10s；(c)30 mA，30s；(d)20 mA，90s..….88 圖4.25 為利用濺鍍法成長ZnO-Pt複合材料之低掠角繞射圖譜，其中條件：(a)電流10 mA、時間120s；(b)電流20 mA、時間30s；(c)電流20 mA、時間90s……………………….......……89 圖4.26 光還原法成長金屬粒子之成長機制示意圖……….......……90 圖4.27光化學還原貴重金屬於氧化鋅奈米柱上之對照組實驗，其SEM圖與實驗條件分別為：(a)AgNO3：10-3M；10 mins(b)HAuCl4：10-3M；10 mins；(c)H2PtCl6：10-3M；30 mins…………………………………………………………..92 圖4.28 氧化鋅奈米柱之不同晶面成長方向……………….......……93 圖4.29 以CaRIne Crystallography軟體分析氧化鋅各晶面之原子排列情形：(a) ZnO-(0ī11)；(b) ZnO-(01ī1)；(c) ZnO-(01ī0) …94 圖5.1 甲基橙UV-absorption之全光譜掃描圖譜……….......……...97 圖5.2 甲基橙之濃度校正曲線……………………….….......……...97 圖5.3 不同半導體氧化物之UV-Vis吸收光圖譜….…..........……...99 圖5.4 不同半導體氧化物之光分解甲基橙圖譜…….…….....…...100 圖5.5 不同反應時間下，氧化鋅光分解甲基橙之去色(bleaching)之UV-Vis吸收光譜…………………………………...………100 圖5.6 氧化鋅奈米柱(a)與氧化鋅薄膜(b)之UV-Vis吸收光圖譜..102 圖5.7 氧化鋅薄膜(b)與氧化鋅奈米柱(c)之光分解甲基橙圖，(a)為無任何光觸媒下之純甲基橙溶液(15 ppm)照光反應。…..102 圖5.8 ZnO－Ag複合光觸媒光分解甲基橙之催化反應圖：(■) Bare Experiment；(●)純氧化鋅奈米柱；其中ZnO-Ag複合材料成長條件分別為(▲) 10-3 M AgNO3，照光30分鐘； (◆) 10-4 M AgNO3，照光30分鐘； (★) 10-5 M AgNO3，照光30分鐘；(☆) 10-4 M AgNO3，照光10分鐘； (◇) 10-4 M AgNO3，照光60分鐘； (△) 10-3 M AgNO3，照光10分鐘；(▼) 不照光之ZnO-Ag複合材料。……………………………….105 圖5.9 ZnO－Au複合光觸媒光分解甲基橙之催化反應圖：(■) Bare Experiment；(●)純氧化鋅奈米柱；其中ZnO-Au複合材料成長條件分別為(▲) 10-3 M HAuCl4，照光30分鐘； (▼) 10-4 M HAuCl4，照光30分鐘； (★) 10-5 M HAuCl4，照光30分鐘；(◆) 10-4 M HAuCl4，照光10分鐘； (☆) 10-4 M HAuCl4，照光20分鐘； (△) 10-5 M HAuCl4，照光60分鐘；(◇)不照光之ZnO-Au複合材料。………………….....…...106 圖5.10 ZnO－Pt複合光觸媒光分解甲基橙之催化反應圖：(■) Bare Experiment；(●)純氧化鋅奈米柱；其中ZnO-Pt複合材料成長條件分別為(▲) 10-3 M H2PtCl6，照光30分鐘； (▼) 10-4 M H2PtCl6，照光30分鐘； (◆) 10-5 M H2PtCl6，照光30分鐘；(★) 10-3 M H2PtCl6，照光10分鐘……………..….....…...107 圖5.11 以濺鍍法成長ZnO－Au複合光觸媒光分解甲基橙之催化反應圖：(■) Bare Experiment；(●)純氧化鋅奈米柱；其中ZnO-Au複合材料成長條件分別為(▲) 電流10 mA，濺鍍時間45秒；(◆) 電流10 mA，濺鍍時間90秒；(★) 電流10 mA，濺鍍時間135秒；(○) 電流10 mA，濺鍍時間180秒……..…...…………………………………………...…..109 圖5.12 以濺鍍法成長ZnO－Pt複合光觸媒光分解甲基橙之催化反應圖：(■) Bare Experiment；(●)純氧化鋅奈米柱；其中ZnO-Pt複合材料成長條件分別為(▲) 電流30 mA，濺鍍時間10秒；(▼) 電流30 mA，濺鍍時間30秒；(◆) 電流10 mA，濺鍍時間120秒；(★) 電流20 mA，濺鍍時間90秒……..…...…………………………………………...…..110 圖5.13 各種不同貴金屬－氧化鋅奈米柱複合光觸媒材料之光催化反應動力圖，其對一階反應動力模式fitting之結果，條件分別為：(●) 光還原法之ZnO-Au [10-5 M HAuCl4，照光30分鐘] ；(▲) 光還原法之ZnO-Ag [10-4 M AgNO3，照光30分鐘]；(◆) 光還原法之ZnO-Pt [10-5 M H2PtCl6，照光30分鐘]； (★) ZnO-Au電流10 mA，濺鍍時間90秒；(○) ZnO-Pt：電流30 mA，濺鍍時間10秒……..…...…………………………………………...…..113

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    下載圖示 校內：2008-07-14公開
    校外：2008-07-14公開
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