本研究目標是利用AZO/Si異質結構製作高崩潰電壓之蕭特基二極體，為了改善矽表面所造成的缺陷與減少蕭特基二極體漏電流，本研究提出使用氫電漿對矽進行處理達到更乾淨的表面，並增加保護環(guard ring)與退火(annealing)來增加崩潰電壓與減少漏電流密度。此研究成功製造出高崩潰電壓(>200V)與低漏電流密度(≤72μA/mm2@100V)的蕭特基二極體，並透過量測閃爍雜訊(flicker noise)，可以確定經過氫電漿處理的蕭特基二極體可以改善矽與氧化層介面的懸浮鍵，進而降低載子在介面缺陷上的複合(recombination)。然而蕭特基二極體的逆向飽和電流與順向導通電壓主要由蕭基位障高度(ФB)來決定，所以低順向壓降與之逆向飽和電流是背道而馳的兩個目標。在IC中須考慮最小功率損耗的操作，蕭特基二極體的蕭特基能障則在兩者間取得平衡，以達到兼顧高崩潰電壓與低漏電流要求。

In this thesis, the design and fabrication of AZO/Si Schottky barrier diodes (SBDs) with hydrogen plasma treatment on silicon surface and AlxOx guard ring are presented. Experimental results show that the reverse leakage current was reduced and the breakdown voltage increased with an addition of the AlxOx guard ring. It was found that the diode and fabrication technology developed in the present thesis is applicable to the realization of SBDs with a high breakdown voltage (>200V), a low reverse leakage current density (≤72μA/mm2@100V), and an Schottky barrier height 1.095eV.

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