簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表
研究生： 葉德夫
Yeh, Te-Fu
論文名稱： 不同氧化程度石墨烯光觸媒由水產氫及氧之研究
Graphite Oxide with Different Oxygenated Levels for Hydrogen and Oxygen Production from Water under Illumination
指導教授： 鄧熙聖
Teng, Hsi-Sheng
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 工學院 - 化學工程學系
Department of Chemical Engineering
論文出版年： 2011
畢業學年度： 99
語文別： 中文
論文頁數： 120
中文關鍵詞： 氧化石墨烯 、光觸媒 、分解水 、產氫 、電子結構
外文關鍵詞： Graphite oxide, photocatalysis, water splitting, hydrogen production, electronic structure.
相關次數： 點閱：133  下載：8 
分享至:
查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報

    • 本研究利用改進式 Hummers 法製備氧化石墨烯(GO)半導體光觸媒。由石墨的氧化所製備之氧化石墨烯光觸媒隨著氧化程度不同而具有不同的電子特性。吸收光譜顯示，氧化石墨烯之含氧量將直接影響能隙大小，含氧量越多具有較大之能隙。電化學分析搭配Mott-Schottky公式可定出氧化石墨烯之價帶、導帶以及費米能階。結果顯示，適當氧化程度之氧化石墨烯同時具有氧化及還原水之電子結構。導帶能階位置並未受到氧化程度不同有劇烈的位移，而主導能隙大小為價帶能階之位移。
    不同氧化程度之氧化石墨烯分別在甲醇及硝酸銀水溶液測試其產氫及產氧之光催化活性。在照光期間，氫氣隨著時間大量且穩定產生。由於互相的光催化還原，使氧化石墨烯之價帶往上移動，因此氧氣產量非常小。然而，利用碘酸鈉當犧牲試劑做光化學反應，可以抑制氧化石墨烯互相還原，並增加其氧氣產量。這項研究結果證實，化學的改質氧化石墨烯可以改變其電子特性，並可應用於光電化學領域。

    A graphite oxide (GO) semiconductor photocatalyst is synthesized by modified Hummers’ procedure. Graphite oxide photocatalysts derived from graphite oxidation can have varied electronic properties by varying the oxidation level. Absorption spectroscopy shows the increasing band gap of GO with the oxygen content. Electrochemical analysis along with the Mott-Schottky equation show that the conduction band and valence band edge levels of GO from appropriate oxidation are suitable for both the reduction and oxidation of water. The conduction band edge shows little variation with the oxidation level, and the valence band edge governs the bandgap width of GO. The photocatalytic activity of GO specimens with various oxygenated levels was measured in methanol and AgNO3 solutions for evolution of H2 and O2, respectively. The H2 evolution was strong and stable over time whereas the O2 evolution was negligibly small due to mutual photocatalytic reduction of the GO with upward shift of the valence band edge under illumination. When NaIO3 was used as a sacrificial reagent to suppress the mutual reduction mechanism under illumination, strong O2 evolution was observed over the GO specimens. The present study demonstrates that chemical modification can easily modify the electronic properties of GO for specific photosynthetic applications.

    總目錄 中文摘要 …………………………………………………………………... I Abstract …………………………………………………………………... II 誌謝 …………………………………………………………………... III 本文目錄 …………………………………………………………………... IV 圖目錄 …………………………………………………………………... VII 表目錄 …………………………………………………………………... XI 本文目錄 第一章 緒論………………………………………………………………… 1 1-1 前言………………………………………………………………….. 1 1-2 Honda-Fujishima effect……………………………………………… 2 1-3 光觸媒原理………………………………………………………….. 3 1-3-1 光觸媒的催化原理……………………………………………….. 3 1-3-2 光分解水的原理………………………………………………….. 4 1-3-3 光觸媒分解水反應程序………………………………………….. 7 1-4 犧牲試劑工作原理………………………………………………….. 9 1-5 光觸媒分解水裝置………………………………………………….. 10 1-6 研究目標…………………………………………………………….. 12 第二章 文獻回顧…………………………………………………………... 13 2-1 金屬氧化物半導體光觸媒的發展………………………………...... 13 2-2 非金屬氧化物半導體光觸媒的發展……………………………….. 19 2-3 氧化石墨烯的結構與半導體性質………………………………….. 19 2-4 共觸媒的負載與功用…………………………………………….. 24 2-5 半導體電化學理論簡介…………………………………………….. 27 2-5-1本質半導體………………………………………………………… 27 2-5-2 費米能階………………………………………………………….. 29 2-5-3 n型與p型半導體/電解質界面…………………………………… 31 2-5-4 交流阻抗界面分析……………………………………………….. 34 2-5-5 半導體電極界面鑑定…………………………………………….. 41 第三章 實驗方法與儀器原理介紹……………………………………....... 43 3-1 藥品、材料與儀器設備……………………………………………… 43 3-1-1 藥品與材料……………………………………………………...... 43 3-1-2 儀器與實驗設備………………………………………………...... 44 3-2 光觸媒製備………………………………………………………….. 45 3-2-1 氧化石墨烯(GO)之製備…………………………......................... 45 3-2-2 共觸媒之製備……………………………...……………………... 47 3-3 光觸媒反應裝置與分析…………………………………………….. 48 3-3-1 懸浮式光照反應器…………………...………………................... 48 3-3-2 量子產率之計算與分析………………………………………….. 51 3-3-3 光源強度之測定…………...……………………………………... 52 3-3-4 光源頻譜之掃描………...………………………………………... 54 3-4 分析儀器原理簡介………………………………………………….. 58 3-4-1 X光繞射分析……………………………………………………… 58 3-4-2 紫外-可見光分光光度計…………………………………………. 61 3-4-3 穿透式電子顯微鏡…………..…………………………………… 63 3-4-4 物理吸附分析……..……………………………………………… 65 3-4-5 電泳裝置…………………………………………………………. 68 3-4-6 氣相層析儀……..………………………………………………… 69 第四章 結果與討論………………………………………………………... 71 4-1 X光繞射(XRD)圖譜及結構分析………..………………………..... 71 4-2 氧化石墨烯之吸收光譜圖譜分析………………………………….. 74 4-3 氧化石墨烯能階位置分析………………………………………….. 77 4-3-1 交流阻抗界面分析……………..………………........................... 77 4-3-2循環伏安法求能階位置………………………………………....... 80 4-3-3不同氧化程度石墨烯能階位置討論……………………………… 82 4-4 不同氧化程度石墨烯光分解水活性之探討……………………….. 85 4-4-1分解水產氫活性之探討……………….…………………………... 85 4-4-2分解水產氧活性之探討…………………………………………… 90 4-5 光還原之氧化石墨烯吸收光譜圖譜分析………………………….. 95 4-6 照光後氧化石墨烯能階位置分析………………………………….. 100 4-6-1交流阻抗分析 …................……………………………………….. 100 4-6-2循環伏安法求能階位置……..…………………………………… 102 4-6-3不同氧化程度石墨烯能階位置討論……………………………… 105 4-7 氧化石墨烯分解水可行性及未來發展探討…… 109 第五章 結論……………………………………………… 111 參考文獻.................................................... 112 自述.................................................... 120 圖目錄 第一章 緒論 圖1-1 Honda-Fujishima Effect實驗裝置圖……………………... 2 圖1-2 Honda-Fujishima Effect實驗反應示意圖………………... 3 圖1-3 光觸媒反應類型…………………………………………... 6 圖1-4 常見的半導體光觸媒的能帶結構圖……………………... 6 圖1-5 半導體光觸媒分解水的原理……………………………... 6 圖1-6 光觸媒效率受塊材性質的影響…………………………... 7 圖1-7 光分解水的兩步(two-step)反應機制示意圖.…………….. 7 圖1-8 光觸媒反應程序…………………………………………… 8 圖1-9 犧牲試劑的工作原理……………………………………... 9 圖1-10 常見的光分解水反應器 (a)內照式反應器 (b)側照式反應器 (c) 上照式反應器………………………………….. 11 圖1-11 氣密式氣體循環光觸媒反應系統………………………... 11 第二章 文獻回顧 圖2-1 太陽光波長與能量分佈圖……...………………………… 16 圖2-2 三種不同形式增加光吸收之半導體能隙示意圖 (a)過渡金屬摻入型光觸媒 (b)價帶控制型光觸媒 (c)固相溶液型光觸媒……...……………………………………………. 16 圖2-3 光催化水分解之一步驟(One-step)與二步驟(Two-step)光觸媒系統……………..………………………………….…. 17 圖2-4 內部含水之層狀鈣鈦礦(Layered perovskite)結構分解水機制圖………………........................................................... 17 圖2-5 天然石墨(pristine graphite)與氧化石墨(graphite oxide)之結構位置、導帶位置與晶格常數之示意圖………………... 21 圖2-6 石墨氧化之示意圖…......................................................…... 21 圖2-7 密度機率 (a) 石墨烯價帶的電子最高佔據狀態；(b) 氧吸附的石墨烯(50%)…........................................................... 22 圖2-8 能帶結構(a) 簡單的石墨烯；(b) 氧吸附的石墨烯(16.7%)；(c) 氧吸附的石墨烯(50%)……………………… 23 圖2-9 氮氧化鋅鎵(Ga1-xZnx)(N1-xOx)負載Rh/Cr2O3核殼結構共觸媒應用於分解水反應示意圖……………………………. 26 圖 2-10 電化學電位刻度和半導體能量軸之對照圖………………. 30 圖 2-11 半導體/電解質界面之電位降及能帶彎曲圖……………… 32 圖 2-12 能帶彎曲和施加電位的關係………………………………. 33 圖 2-13 n型和p型半導體施加正偏壓及負偏壓後，其能帶彎曲圖形…… 33 圖 2-14 阻抗之複數平面中代表電阻和電容兩部分………………. 39 圖 2-15 電阻和電容串聯 (a)電路圖 (b)複數平面阻抗圖………… 39 圖 2-16 電阻和電容並聯 (a)電路圖 (b)並聯RC電路中，電容和電阻電 流向量之總和(c) 複數平面之阻抗圖……………………… 40 圖 2-17 n型和p型半導體之Mott-Schottky圖……………………. 42 圖 第三章 實驗方法與儀器原理介紹 圖3-1 氧化石墨烯(GO)製備流程圖……………………………… 46 圖3-2 內照式懸浮法反應器…………………..…………………... 49 圖3-3 光分解水系統之裝置圖…………………………………... 50 圖3-4 以光源偵測器量測真實情況之光源強度之示意圖……..... 53 圖3-5 以單光器分光並以偵測器掃描光源頻譜之示意圖………. 55 圖3-6 400W高壓汞燈之能量分佈圖 (a)石英反應器通入去離子水冷卻液 (b)石英反應器通1M NaNO2冷卻液……........... 57 圖3-7 X光對原子散射圖…............................................................. 60 圖3-8 X光對晶體繞射圖…............................................................. 60 圖3-9 基本穿透式電子顯微鏡 (TEM) 之結構圖……………..... 64 圖3-10 物理吸附分析儀………………..…………………………... 67 圖3-11 電泳裝置示意圖……………………………………………. 68 圖3-12 GC 外觀裝置圖….....................................................……... 70 第四章 結果與討論 圖4-1 X光繞射圖譜：(a) 天然石墨(PG)；(b) 氧化4小時石墨烯(GO1)；(c) 氧化12小時石墨烯(GO2)；(d) 氧化24小時石墨烯(GO3)….........................................................……. 73 圖4-2 GO分散於水中示意圖…………………………………….. 75 圖4-3 (a) GO1、GO2、GO3之光學吸收光譜;(b) GO1、GO2、GO3之直接能隙圖;(c) GO1、GO2、GO3之間接能隙圖…………............................................................................ 76 圖4-4 分析交流阻抗圖譜假設之等效電路圖。Rs為溶液的電阻，和一個Rc迴路串聯，RC迴路包含了氧化石墨烯之空間電荷層中並聯的電容值C和電阻值Rb………………….. 78 圖4-5 電容值由電化學阻抗分析所得。根據Mott-Schottky關係式，電容值與施加電位作圖: (a) GO1; (b) GO2; (c) GO3… 79 圖4-6 負電位線性電位掃描來決定p型半導體氧化石墨烯導帶能階(CB)，掃描速率: 5 mV/s。(a) GO1; (b) GO2; (c) GO3... 81 圖4-7 不同氧化程度石墨烯之能量能階圖，包含水的還原電位及氧化電位……………………………………………….. 84 圖4-8 (a) 高氧化程度石墨烯之示意圖；(b) 低氧化程度石墨烯之示意圖…........................................................................... 88 圖4-9 (a) 0.5g 氧化石墨烯光觸媒在20 vol% 甲醇水溶液，汞燈照射下，6小時的產氫量; (b) 0.5g 氧化石墨烯光觸媒在20 vol% 甲醇水溶液，可見光照射下，6小時的產氫量………………………………………….………………… 89 圖4-10 0.5g 氧化石墨烯光觸媒在0.1 M 硝酸銀水溶液，汞燈照射下，6小時的產氧量……………………………………. 92 圖4-11 銀奈米金屬顆粒均勻分散在GO3之TEM圖…………… 93 圖4-12 0.5g 氧化石墨烯光觸媒在0.1 M 碘酸鈉水溶液，汞燈照射下，6小時的產氧量……………………………………. 94 圖4-13 GO懸浮於甲醇水溶液在汞燈照射之下的顏色變化：(a) 照光前；(b) 開始照光；(c) 照光30分鐘；(d) 照光2小時…………………………………………………………… 97 圖4-14 (a) irr-GO1、irr-GO2、irr-GO3之光學吸收光譜;(b) irr-GO1、irr-GO2、irr-GO3之直接能隙圖;(c) irr-GO1、irr-GO2、irr-GO3之間接能隙圖……….………………...... 98 圖4-15 GO 3和irr-GO3的FTIR吸收圖譜。ph和al分別代表酚和醇………………………………………………………… 99 圖4-16 電容值由電化學阻抗分析所得。根據Mott-Schottky關係式，電容值與施加電位作圖: (a) irr-GO1; (b) irr-GO2; (c) GO3………………………………………………………… 101 圖4-17 負電位線性電位掃描來決定p型半導體氧化石墨烯導帶能階(CB)，掃描速率: 5 mV/s。(a) irr-GO1; (b) irr-GO2; (c) irr-GO3……………………………………………………… 75 104 圖4-18 irr-GO之能量能階圖，包含水的還原電位及氧化電位…. 107 圖4-19 高氧化程度石墨烯照光前及照光後之分解水示意圖……. 108 表目錄 第二章 文獻回顧 -表2-1 Z-Scheme複合式光觸媒在可見光下分解水之文獻回顧 18 -表2-2 -石墨烯不同O/C比之能隙 22 第三章 實驗方法與儀器原理介紹 表 3-1 石英反應器通入去離子水及NaNO2之光源強度……….. 53 表 3-2 400W高壓汞燈在不同波長下所佔之能量表…………… 56 第四章 結果與討論 表 4-1 不同氧化程度石墨烯，由Mott-Schottky圖計算所得的平帶電位(VFB)，以及由循環伏安法推得的導帶(VCB)及價帶隊(VVB)位置………………………………………………... 83 表 4-2 irr-GO，由Mott-Schottky圖計算所得的平帶電位(VFB)，以及由循環伏安法推得的導帶(VCB)及價帶隊(VVB)位置.. 106

    1. 張立群譯, “光清淨革命-活躍的二氧化鈦光觸媒”, 協志工業叢書印行, 2000
    2. 藤嶋昭, 本多健一, 菊池真一, “工業化學”, 1969, 72, 108.
    3. A. Fujishima, K. Honda, Nature, 1972, 238, 37.
    4. A. Kudo, H. Kato, I. Tsuji, Chem. Lett., 2004, 33, 1534.
    5. A. Kudo, Catal. Surv. Asia, 2003, 31, 7.
    6. A. Mills, S. L. Hnute, J. Photochem. Photobiol. A：Chem., 1997, 108, 1.
    7. M. Cratzel, Nature, 2001, 414, 338.
    8. A. Kudo, Y. Miseki, Chem. Soc. Rev. 2009, 38, 253.
    9. F. E. Osterloh, Chem. Mater., 2008, 20, 35.
    10. K. Sayama, K. Mukasa, R. Abe, Y. Abe, H. Arakawa, Chem. Commun. 2001, 2416.
    11. H. Kato, M. Hori, R. Konta, Y. Shimodaira, A. Kudo, Chem. Lett. 2004, 33, 1348.
    12. R. Abe, K. Sayama, H. Sugihara, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 16052.
    13. K. Maeda, K. Domen, J. Phys. Chem. C, 2007, 111, 7851.
    14. A. Kudo, Inter. J. Hydrogen Ener., 2006, 31, 197.
    15. M. Matsuoka, M. Kitano, M. Takeuchi, K. Tsujimaru, M. Anpo, J. Thomas, Catal. Today, 2007, 122, 51.
    16. Y. Matsumoto, U. Unal, N. Tanaka, A. Kudo, H. Kato, J. Solid State Chem., 2004, 177, 4205.
    17. J. N. Nian, C. C. Hu, H. Teng, Inter. J. Hydrogen Ener., 2008, 33, 2897.
    18. Y. Matsumoto, A. Funatsu, D. Matsuo, U. Unal, K. Ozawa, J. Phys. Chem. B, 2001, 105, 10893.
    19. H. Kato, A. kudo, J. Phys. Chem. B, 2001, 105, 4285.
    20. T. Ishihara, H. Nishiguchi, K. Fukamachi, Y. Takita, J. Phys. Chem. B, 1999, 103, 1.
    21. H. Kato, H. Kobayashi, A. Kudo, J. Phys. Chem. B, 2002, 106, 12441.
    22. A. Kudo, H. Kato, Chem. Phys. Lett., 2000, 331, 373.
    23. S. Licht, J. Phys. Chem. B, 2003, 107, 4253.
    24. A. Galinska, J. Walendziewski, Energy & Fuels, 2005, 19, 1143.
    25. H. Kato, M. Hori, R.Konda, Y. Shimodaira, A. Kudo, Chem. Lett., 2004, 33, 1348.
    26. K. Sayama, K. Mukasa, R. Abe, Y. Abe, H. Arakawa, Chem. Commum., 2001, 23, 2416.
    27. K. Sayama, K. Mukasa, R. Abe, Y. Abe, H. Arakawa, J. Photochem. Photobiol. A, 2002, 148, 71.
    28. D. A. Tryk, A. Fujishima, K. Honda, Electro. Acta., 2000, 45, 2363.
    29.M. Machida, J. Yabunaka, T. Kihima, Chem. Commun. 1999, 1939.
    30.H. Kato, A. Kudo, Chem. Lett. 1999, 1207.
    31.A. Kudo, H. Kato, S. Nakagawa, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 571.
    32.M. Machida, J. Yabunaka, T. Kijima, Chem. Mater. 2000, 12, 812.
    33.H. Kato, A. Kudo, J. Photochem. Photobio. A: Chem. 2001, 145, 129.
    34.K. Shimizu, Y. Tsuji, M. Kawakami, K. Toda, T. Kodama, M. Sato, Y. Kitayama, Chem. Lett. 2002, 1158.
    35.M. Yoshino, M. Kakihana, Chem. Mater. 2002, 14, 3369.
    36.M. Machida, K. Miyazaki, S. Matsushima, M. Arai, J. Mater. Chem. 2003, 13, 1433.
    37.J. Ye, Z. Zou, A. Matsushita, Int. J. Hydrogen Energ. 2003, 28, 651.
    38.T. Ishihara, N. S. Baik, N. Ono, H. Nishiguchi, Y. Takita, J. Photochem. Photobio. A: Chem. 2004, 167, 149.
    39.D. F. Li, N. Xu, Y. F. Chen, Z. G. Zou, Res. Chem. Intermed. 2005, 31, 521.
    40.K. I. Shimizu, S. Itoh, T. Hatamachi, T. Kodama, M. Sato, K. Toda, Chem. Mater. 2005, 17, 5161.
    41.S. Ikeda, M. Fubuki, Y. K. Takahara, M. Matsumura, Appl. Catal. A: General 2006, 300, 186.
    42.R. Abe, M. Higashi, K. Sayama, Y. Abe, H. Sugihara, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 2219.
    43 .H. Kato, A. Kudo, Chem. Phys. Lett. 1998, 295, 487.
    44. Z. Zou, H. Arakawa, J. Photochem. Photobio. A: Chem. 2003, 158, 145.
    45. V. M. Aroutiounian, V. M. Arakelyan, G. E. hahnazaryan, Solar Energy, 2005, 78, 581.
    46. A. Kudo, Int. J. Hydrogen Energ. 2006, 31, 197.
    47. D. Lu, T. Takata, N. Saito, Y. Inoue, K. Domen, Nature Commun. 2006, 440, 295.
    48. Z. Zou, J. Ye, H. Arakawa, Chem. Phys. Lett. 2000, 332, 271.
    49. Z. Zou, J. Ye, K. Sayama, H. Arakawa, Nature Lett. 2001, 414, 625.
    50. M. Machida, S. Murakami, T. Kijima, J. Phys. Chem. B 2001, 105, 3289.
    51. K. Sayama, H. Arakawa, K. Domen, Catal. Today 1996, 28, 175.
    52. A. Kudo, H. Kato, Chem. Lett. 1997, 867.
    53. H. Kato, A. Kudo, Chem. Lett. 1999, 1207.
    54. A. Kudo, H. Okutomi, H. Kato, Chem. Lett. 2000, 1212.
    55. Y. Takahara, J. N. Kondo, D. Lu, K. Domen, Solid State Ionics 2002, 151, 305.
    56. G. Hitoki, T. Takata, J. N. Kondo, M. Hara, H. Kobayashi, K. Domen, Chem. Commun. 2002, 1698.
    57. H. Kato, A. Kudo, Phys. Chem. Chem. Phys. 2002, 4, 2833.
    58. M. Machida, T. Mitsuyama, K. Ikeue, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 7801.
    59. K. Yoshioka, V. Petrykin, M. Kakihana, H. Kato, A. Kudo, J. Catal. 2005, 232, 102.
    60. T. Ikeda, S. Fujiyoshi, H. Kato, A. Kudo, H. Onishi, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 7883.
    61. T. Kurihara, H. Okutomi, Y. Miseki, H. Kato, A. Kudo, Chem. Lett. 2006, 35, 274.
    62. M. Yashima, Y. Lee, K. Domen, Chem. Mater. 2007, 19, 588.
    63. H. Kato, A. Kudo, Catal. Today, 2003, 78, 561.
    64. A. Kudo, R.Niishiro, A. Iwase, H. Kato, Chem. Phys., 2007, 339, 104.
    65. A. Kudo, H. Kato, I. Tsuji, Chem. Lett., 2004, 33, 1534.
    66. R. Abe, K. Sayama, K. Domen, H. Arakawa, Chem. Phys. Lett., 2002, 362, 441.
    67. M. Higashi, R. Abe, K. Teramura, T.Takato, B. Ohtani, K. Domen, Chem. Phys. Lett., 2008, 452, 120.
    68. K. Maeda, K. Teramura, N. Saito, Y. Inoue, K. Domen, Bull. Chem. Soc. Jpn. 2007, 80, 1004.
    69. K. Maeda, K. Teramura, T. Takata, M. Hara, N. Saito, K. Toda, Y.Inoue, H. Kobayashi, K. Domen, J. Phys. Chem. B, 2005, 109, 20504.
    70. K. Maeda, H. Terashima, K. Kase, K. Domen, Appl. Catal. A：Gener., 2009, 357, 206.
    71. M. Hara, G. Hitoki, T. Takata, J. N. Kondo, H. Kobayashi, K.Domen, Catal. Today, 2003, 518, 555.
    72. X. Zong, H. Yan, G. Wu, G. Ma, F. Wen, L. Wang, C. Li, J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 7176.
    73. X. wang, K. Maeda, Y. Lee, K. Domen, Chem. Phys. Lett., 2008, 457, 134.
    74. A. Kudo, I. Mikami, J. Chem. Soc., 1998, 94, 2929.
    75. I. Tsuji, H. Kato, A. Kudo, Angew. Chem. Int. Ed., 2005, 44, 3565.
    76. T. Takata, K. Shinohara, A. Tanaka, M. Hara, J. N. Kondo, K. Domen, J. Photochem. Photobio. A: Chem. 1997, 106, 45.
    77. K. Sayama, K. Mukasa, R. Abe, Y. Abe and H. Arakawa,J. Photochem. Photobiol., A, 2002, 148, 71.
    78. R. Abe, T. Takata, H. Sugihara and K. Domen, Chem. Commun., 2005, 3829.
    79. M. Higashi, R. Abe, A. Ishikawa, T. Takata, B. Ohtani and K. Domen, Chem. Lett., 2008, 37, 138.
    80. M. Higashi, R. Abe, K. Teramura, T. Takata, B. Ohtani and K. Domen, Chem. Phys. Lett., 2008, 452, 120.
    81. S. Yanagida , A. Kabumoto, K. Mizumoto, C. Pac, K. Yoshino, JCS-Chem. Commun., 1985, 8, 474.
    82. X. Wang, K. Maeda, A. Thomas, K. Takanabe, G. Xin, J. M. Carlsson, K. Domen, M. Antonietti. Nature Materials 2009, 8, 76.
    83. J. Ito, J. Nakamura, A. Natori, J. Appl. Phys. 2008, 103, 113712.
    84. R. Ströbel, J. Garche, P. T. Moseley, L. Jörissen, and G. Wolf, J. Power Sources, 2006, 159, 781.
    85. F. Valencia, A. H. Romero, F. Ancilotto, and P. L. Silvestrelli, J. Phys.Chem. B, 2006, 110, 14832 .
    86. N. B. Hannay, T. H. Geballe, B. T. Matthias, K. Andres, P. Schmidt, and D. MacNair, Phys. Rev. Lett., 1965, 14, 225.
    87. M. Hirata, T. Gotou, S. Horiuchi, M. Fujiwara, and M. Ohba, Carbon, 2004, 42, 2929.
    88. W. Gao, L. B. Alemany, L. Ci , P. M. Ajayan, Nature Chem., 2009, 1, 403.
    89. K. sayama, H. Arakawa, J. Chem. Soc. Farady Trans., 1997, 93, 1647.
    90. K. Domen, A. Kudo, T. Onishi, N. Kosugi, H. Kuroda, J. Phys. Chem., 1986, 90, 292.
    91. K. Maeda, K. Terumura, D. Lu, N. Saito, Y. Inoue, K. Domen, Angew. Chem. Int. Ed., 2006, 45, 7806.
    92. Brett, C.M.A.; Brett, A.M.O. Electrochemistry: Principles, Methods, and Applications, Oxford, New York, 1993.
    93. Macdonald, J.R. Impedance Spectroscopy: Emphasizing Solid Materials and Systems, Wiley, New York, 1987.
    94. Adlkofer, K.; Tanaka, M. Langmuir 2001, 17, 4267.
    95. W. S. Hummers, Jr, R. E. Offeman, J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1339.
    96. H. Kato, K. Asakura, A. Kudo, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 3082.
    97. B. D. Cullity, S. R. Stock, 3rd ed., Prentice Hall, 2001.
    98. M. Yan, F. Chem. J. Zhang, M. Anpo, J. Phys. Chem. B, 2005, 109, 8673.
    99. D. G. Barton, M. Shtein, R. D. Wilson, S. L. Solied, E. Iglesia, J. Phys. Chem. B, 1999, 103, 630.
    100. S. Brunaller, P. H. Emmett, E. Teller, J. Am. Chem. Soc., 1938, 60, 390.
    101. 陳俊吉, “金屬氧化物半導體在可見光分解水製氫之研究”國立成功大學化學工程學系碩士論文, 2005.
    102. S. Park, R. S. Ruoff, Nature Nanotechnology, 2009, 4, 217.
    103. R. J. W. E. Lahaye, H. K. Jeong, C. Y. Park, Y. H. Lee, Physical Review B 2009, 79, 125435.
    104. J.-N. Nian, H. Teng, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 4193.
    105. T. F. Yeh, J. M. Syu, C. Cheng, T. H. Chang, H. Teng, Adv. Func. Maters. 2010, 20, 2255.
    106. L. J. Cote, R. C. Silva, J. Huang, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 11027.
    107. G. Williams, B. Seger, P. V. Kamat, ACS Nano, 2008, 2, 1487.
    108. X. Wang, X. Li, L. Zhang, Y. Yoon, P. K. Weber, H. Wang, J. Guo, H. Dai, 2009, 324, 768.

    下載圖示 校內：2013-09-05公開
    校外：2013-09-05公開
    QR CODE