我們使用光電子譜(Photoemission Spectroscopy，PES)、角分佈光電子譜(Angle-dependent Photoemission Spectroscopy)及光子激發脫附譜(Photon-Stimulated Desorption，PSD)技術研究了CFCl3分子吸附在溫度為30K的Si(111)(7×7)的表面上。從測得的各種不同價層(valence-level)光電子譜中顯示出CFCl3分子是分子性的吸附在Si(111)(7×7)的表面上。我們認為在價層光電子譜中，能量位置為-8.7eV的譜峰是來自C-Cl共價鍵(3e)軌道的游離，能量位置為-11.8eV的譜峰是來自2e, 4a 軌道的游離，而在能量範圍為-4.5eV至-8eV間之未解開(unresolved)的結構是由於Cl-lone pair(1a ，5e，4e，5a )軌道的游離。在CFCl3/Si(111)的光電子譜內譜峰之線寬(line width)變寬的原因可以用海森堡不確定原理(Heisenberg,s uncertainty principle)來解釋。同時我們發現到Cl-lone pair軌道與C-Cl共價鍵軌道的相對高度會隨著不同的CFCl3分子注入量變化而變化，所以我們也做了各種不同角度(0°、12°、23°、34°、45°)的光電子譜，發現到各個譜峰有消長現象，此部份可以用角分佈光電子譜(Angle-dependent Photoemission Spectroscopy)觀念來解釋。最後，我們也做了價帶之F 離子光子激發脫附譜。譜中顯示約在10.8eV，12.8eV以及14.4eV的能量位置有三個主要的譜峰。我們將此價帶F 離子光子激發脫附譜與氣態CFCl3分子之F 離子產額曲線以及氣態之CFCl3分子光吸收譜比較，我們發現它們的譜線十分相近。所以我們認為此價帶F 離子光子激發脫附之主要機制為吸附在表面的CFCl3分子之直接光子激發導致雙極解離(Dipolar Dissociation，DD)而產生的。

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