成功大學博碩士論文系統

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表

研究生：	何政穎 Ho, Cheng-Ying
論文名稱：	氣氛操控生長以Ga2O3及In2O3為基底之(Ga,In)2O3奈米線 Ambient-controlled growth of Ga2O3- and In2O3-based (Ga,In)2O3 nanowires
指導教授：	林文台 Lin, Wen-Tai
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	工學院 - 材料科學及工程學系 Department of Materials Science and Engineering
論文出版年：	2010
畢業學年度：	98
語文別：	中文
論文頁數：	94
中文關鍵詞：	氣氛控制生長、In摻雜Ga2O3奈米線、Ga摻雜In2O3奈米線
外文關鍵詞：	Ambient-controlled growth, Ga2O3-based (Ga,In)2O3 nanowires, In2O3-based (Ga,In)2O3 nanowires
相關次數：	點閱：107 下載：3
分享至:	分享至facebook 分享至twitter

查詢本校圖書館目錄查詢臺灣博碩士論文知識加值系統勘誤回報

本論文以固定比例的Ga2O3/In2O3粉末做為前驅物，藉由控制氬氣中水量的多寡，在650~800℃以熱碳還原法在Si基板以及鍍金的Si基板上生長以Ga2O3為基底或是以In2O3為基底的(Ga,In)2O3奈米線，也就是In摻雜Ga2O3奈米線以及Ga摻雜In2O3奈米線。在乾氬氣的氣氛下，金催化In摻雜Ga2O3奈米線的效果顯著;然而氬氣中一旦引入水氣，則轉變成Ga摻雜In2O3奈米線，Ga的摻雜量隨著水量上升而減少。奈米線的生長無論在Si基板上或是鍍金基板上皆遵循氣-液-固（VLS）生長機制。Ga2O3奈米線摻雜In之後在光激發光（PL）光譜以及吸收光譜（UV-vis）都有藍移的現象；此外，In2O3奈米線由於不同的Ga摻雜量在PL和UV-vis光譜所產生的不同程度紅移可藉由改變製程過程中水量來加以操控，這
樣的結果為In摻雜Ga2O3和Ga摻雜In2O3奈米線的光電元件提供一個嶄新的製程方式。

The tunable growth of Ga2O3- and In2O3-based (GaxIn1-x)2O3 NWs, i.e., In-doped Ga2O3 and Ga-doped In2O3 NWs, by modulating the amount of water vapor in flowing Ar on Si and Au-coated Si substrates at 650-800°C via carbothermal reduction of Ga2O3/In2O3 powders with a fixed weight ratio was studied. The growth of In-doped Ga2O3 NWs was enhanced by the Au catalyst, while on introducing water vapor into flowing Ar the Ga-doped In2O3 NWs became dominant. The Ga concentration in In2O3 NWs decreased with the amount of water vapor. The growth of In-doped Ga2O3 and Ga-doped In2O3 NWs on both Si and Au/Si substrates was governed by the vapor-liquid-solid process. The In doping induced a redshift in the photoluminescence (PL) emission and band gap of Ga2O3 NWs, while the Ga doping yielded a blueshift in those of In2O3 NWs. In addition, the extent of the blueshift in the PL emission and band gap of Ga-doped In2O3 NWs could be tuned by changing their Ga concentration via modulating the amount of water vapor during growth. This approach offers a promising method to synthesize In-doped Ga2O3 and Ga-doped In2O3 NWs for applications in optoelectronic nanodevices.

中文摘要	I 
Abstract	II 
誌謝	IV 
目錄	VI
圖目錄	IX

第一章  緒論	1
1.1 奈米材料簡介	1
    1.1.1奈米材料的起源與發展	1
    1.1.2奈米表面效應	2
    1.1.3量子尺寸效應	3
1.2 一維奈米材料	4
第二章  文獻回顧	6
2.1 奈米線製程技術	6
    2.1.1熱蒸鍍法	6
    2.1.2熱碳還原法	6
    2.1.3雷射剝蝕法	7
    2.1.4化學氣相沉積法	7
    2.1.5水熱法	8
    2.1.6溶膠-凝膠法	8
    2.1.7放電紡絲法	9
    2.1.8模板輔助法	9
2.2 奈米線生長機制	10
    2.2.1氣-液-固生長機制	10
    2.2.2氧化物輔助生長機制	12
    2.2.3氣-固生長機制	12
    2.2.4其他生長機制	13
2.3 Ga2O3和In2O3奈米線之文獻回顧	14
    2.3.1晶體結構	14
    2.3.2 Ga2O3材料應用	15
    2.3.3 In2O3材料應用	17
    2.3.4 Ga2O3奈米線製備	19
    2.3.5 In2O3奈米線製備	20
2.4 研究動機	20
2.5 儀器原理	22
    2.5.1掃描試電子顯微鏡	22
    2.5.2掠角X光繞射	23
    2.5.3穿透式電子顯微鏡	24
    2.5.4 X光能量散佈儀	25
    2.5.5紫外-可見光譜分析	26
    2.5.6光激發光譜分析	27
第三章  實驗步驟與方法	29
3.1 基板的清洗、製備與TEM試片的製備	29
    3.1.1 Si基板清洗與製備	29
    3.1.2鍍Au/Si基板清洗與製備	29
    3.1.3 TEM試片製備	29
3.2 實驗設備及流程	30
3.3 實驗分析	31
    3.3.1高解析掃描式電子顯微鏡	31
    3.3.2低掠角X光繞射分析	31
    3.3.3穿透式電子顯微鏡	32
    3.3.4紫外-可見光譜儀	32
    3.3.5光激發光光譜儀	32
第四章  結果與討論	33
4.1 In摻雜Ga2O3奈米線	33
4.1.1 Si基板	33
    4.1.2 Au/Si基板	34
    4.1.3奈米線的生長機制	35
4.2 濕氣控制生長Ga摻雜In2O3之奈米線	37
4.2.1 Au/Si基板	37
        4.2.1.1濕氣對奈米線相轉變之影響	37
        4.2.1.2濕氣對In2O3奈米線中Ga摻雜量之影響	37
        4.2.1.3濕氣造成奈米線生長機制的改變	38
4.2.2 Si基板	39
        4.2.2.1 Ga摻雜In2O3奈米線之生長	39
        4.2.2.2鋸齒狀奈米線、奈米板與八面體結構	40
4.3 奈米線的光學性質	41
    4.3.1 紫外-可見光吸收光譜(UV-vis)	41
        4.3.1.1 In摻雜Ga2O3奈米線	41
        4.3.1.2 Ga摻雜In2O3奈米線	42
        4.3.1.3 In摻雜Ga2O3奈米線的吸收光譜紅移現象之成因	42
        4.3.1.4 Ga摻雜In2O3奈米線的吸收光譜藍移現象之成因	43
    4.3.2 光激發光譜(PL)	44
        4.3.2.1 In摻雜Ga2O3奈米線	44
        4.3.2.2 Ga摻雜In2O3奈米線	44
        4.3.2.3 Ga2O3與In2O3的發光機制	45
        4.3.2.4 In摻雜Ga2O3奈米線的PL光譜紅移現象之成因	45
        4.3.2.5 Ga摻雜In2O3奈米線的PL光譜藍移現象之成因	46
    4.3.3 光學性質總結	46
第五章  結語	48
參考文獻	51

                                    

1. 馬振基, “奈米材料科技原理與應用”, 全華科技 (2003).
2. 盧永坤, “奈米科技概論”, 滄海書局 (2005).
3. R. Feynman, “Plenty of Room at the Bottom”, APS Annual Meeting (1959).
4. R. Kubo, J. Phys. Soc. Jpn. 17, 975 (1962).
5. G. Binnig, H. Rohrer, C. Gerber, and Weibel, Phys. Rev. Lett. 49, 57 (1982).
6. G. Binnig, C. F. Quate, C. Gerber, Phys. Rev. Lett. 56, 930 (1986).
7. B. Z. Zhan, M. A. White, T. K. Sham, J. A. Pincock, R. J. Doucet, K. V. R. Rao, K. N. Robertson, and T. S. Cameron, J. Am. Chem. Soc. 125, 2195 (2003).
8. P. Ball, and L. Garwin, Nature 355, 761 (1992).
9. B. J. van Wees, H. van Houten, C. W. Beenakker, J. G. Williamson, L. P. Kouwenhoven, D. van der Marel, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 60, 848 (1988).
10. D. A. Wharam, T. J. Thornton, R. Newbury, M. Pepper, H. Ahmed, J. E. F. Frost, D. G. Hasko, D. C. Peacock, D. Ritchie and G. A. C. Jones, J. Phys. C 21, L209 (1988).
11. C. W. J. Beenakker, and H. van Houten, Solid State Phys. 44, 1 (1991).
12. H. W. Kroto, J. R. Heath, S. C. O. Brien, R. F. Curl, and R. E. Smalley, Nature 318, 162 (1985).
13. D. J. Norris, and M. G. Bawendi, Phys. Rev. B 53, 16338 (1996).
14. S. Iijima, Nature 354, 56 (1991).
15. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
16. A. G. Gullis, and L. T. Canham, Nature 353, 335 (1991).
17. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, and B. A. Korgel, Science 287, 1471 (2000).
18. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, and S. T. Lee, Science 299, 1874 (2003).
19. Y. Cui, X. Duan, J. Hu, and C. M. Lieber, J. Phys. Chem. B 104, 5213 (2001).
20. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, and C. M. Lieber, Nature 409, 66 (2001).
21. Y. Cui, and C. M. Lieber, Science 291, 851 (2001).
22. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K. H. Kim,and C. M. Lieber, Science 294, 1313 (2001).
23. Z. Zhong, D. Wang, Y. Cui, M. W. Bockrath, and C. M. Lieber, Science 302, 1377 (2003).
24. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, and C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
25. M.H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
26. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, and H. Kakibayashi, J. Appl. Phys. 77, 447 (1995).
27. Frederick C. K. Au, K. W. Wong, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 1700 (1999).
28. Y. Li, G. W. Meng, and L. D. Zhang, and F. Phillipp, Appl. Phys. Lett. 76, 2011 (2000).
29. Y. Saito, S. Uemura, Carbon 38, 169 (2000).
30. S.M. Lee, K.S. Park, Y.C. Chai, Y.S. Park, J.M. Bok, D.J. Bae, K.S. Nahm, Y.G. Choi, S.C. Yu, N. Kim, T. Frauenheim, Y.H. Lee, Synth. Met. 113, 209 (2000)
31. R.T. Yang, Carbon 38, 623 (2000).
32. J. Hu, T.W. Odom, and C.M. Lieber, Acc. Chem. Res. 32, 435 (1999).
33. C.L. Cheung, J.H. Hafner, T.W. Odom, K. Kim, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 76, 3136 (2000).
34. H. Dai, J.H. Hafner, A.G. Rinzler, D.T. Colbert, R.E. Smalley, Nature 384, 147 (1996).
35. P. Yang, Y. Wu and R. Fan, Int. J. Nanoscience 1, 1 (2002).
36. B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
37. G. Gundiah, F. L. Deepak, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao, Top. Catal. 24, 137 (2003).
38. X. C. Wu, J. M. Hong, Z. J. Han, and Y. R. Tao, Chem. Phys. Lett. 373, 28 (2003).
39. C. Y. Chen, C. I. Lin, and S. H. Chen, Br. Ceram. Trans. 99, 57 (2000).
40. J. P. Murray, A. Steinfeld, and E. A. Fletcher, Energy 20, 695 (1995).
41. M. Johnsson, Solid State Ionics 172, 365 (2004).
42. C. N. R. Rao, G. Gundiah, F. L. Deepak, A. Govindaraj, and A. K. Cheetham, J. Mater. Chem. 14, 440 (2004).
43. A. Alizadeh, E. T. Nassaj, and N. Ehsani, J. Eur. Ceram. Soc. 24, 3227 (2004).
44. A. Govindaraj, F. L. Deepak, N. A. Gunari, and C. N. R. Rao, Israel J. Chem. 41, 23 (2001).
45. S. Wade, T. Suzuki, and T. Noma, J. Ceram. Soc. Jpn. 12, 103 (1995).
46. G. W. Morey, J. Am. Ceram. Soc. 36, 279 (1953).
47. T. Kasuga, H. J. Hiramatsu, A. Hoson, T. Sekino, and K. Niihara, Langmuir. 14, 3160 (1998).
48. T. Kasuga, H. J. Hiramatsu, A. Hoson, T. Sekino, and K. Niihara, Adv. Mater. 11, 1307 (1999).
49. D. Seo, J. K. Lee, and H. J. Kim, Cryst. Growth. 229, 428 (2001).
50. Y. Q. Wang, G. Q. Hu, X. F. Duan, H. L. Sun, and Q. K. Xue, Chem. Phys. Lett. 365, 427 (2002).
51. M. M. Bergshoef, G. J. Vancso, Adv. Mater. 11, 1362 (1999).
52. P. W. Gison, H. L. Schreuder, D. Rivin, AIChE, 45, 190 (1999).
53. L. Huang, R. A. Mcmillan, R. P. Apkarian, B. Pourdeyhimi, V. P. Contiticello, and E. L. Chaikof, Macromolecules, 33, 2989 (2000).
54. M. Bognitzki, H. Hou, M. Ishaque, T. Frese, M. Hellwig, C. Schwarte, A. Schaper, J. H. Wendorff, and A. Greiner, Adv. Mater. 12, 637 (2000).
55. P. Gibson, H. L. Schreuder-Gibson, D. Rivin, Colloids and Surfaces A. 187, 496 (2001).
56. C. J. Buchko, K. M. Kozloff, and D. C. Martin, Biomaterials 22, 1289 (2001).
57. T. A. Crowley, K. H. Ziegler, D. M. Lyons, D. Erts, H. Olin, M.A. Morris, and J. D. Holmes, Chem. Mater. 15, 3518 (2003).
58. Y. Wu, T. Livneh, Y. X. Zhang, G. Cheng, J. Wang, J. Tang, M. Moskovits, and G.D. Stucky, Nano Lett. 4, 2337 (2004)
59. K. M. Ryan, D. Erts, H. Olin, M. A. Morris, and J. D. Holmes, J. Am. Chem. Soc. 125, 6284 (2003).
60. N. R. B. Coleman, K. M. Ryan, T. R. Spalding, J. D. Holmes, and M. A. Morris, Chem. Phys. Lett. 343, 1 (2001).
61. Y. Yin, Y. Lu, Y. Sun, and Y. Xia, Nano Lett. 2, 427 (2002).
62. B. Gates, Y. Wu, Y. Yin, P. Yang, and Y. Xia, J. Am. Chem. Soc. 123, 11500 (2001).
63. C. N. R. Rao, A. Govindaraj, F.L. Deepak, N. A. Gunari, and M. Nath, Appl. Phys. Lett. 78, 1853 (2001).
64. A. Govindaraj, F. L. Deepak, N. A. Gunari, and C. N. R. Rao, Israel J. Chem. 41, 23 (2001).
65. M. Zheng, L. Zhang, X. Zhang, J. Zhang, and G. Li, Chem. Phys. Lett. 334, 298 (2001).
66. J. Zhang, L. D. Zhang, X. F. Wang, C. H. Liang, X. S. Peng, and Y. W. Wang, J. Chem. Phys. 115, 5714 (2001).
67. P. M. Paulus, F. Luis, M. Kroll, G. Schmid, and L. J. de Jongh, J. Mag. Mag. Mater. 224, 180 (2001).
68. R. Micheletto, H. Fukuda, and M. Ohtsu, Langmuir 11, 3333 (1995).
69. H. Asoh, K. Nishio, M. Nakao, T. Tamamura, and H. Masuda, J. Electrochem. Soc. 148, B152 (2001).
70. R. S. Wagner, and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
71. R. S. Wagner, and W. C. Ellis, Trans. Met. Soc. AIME 233, 1053 (1965).
72. Y. Wu, and P. Yang, J. Am. Chem. Soc. 123, 3165 (2001).
73. Z. W. Pan, Z. R. Dai, C. Ma, and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 124, 1817 (2002).
74. W. L. Lo, H. C. Chang, T. J. Hsu, and W. T. Lin, Nanotechnology 47, 3299 (2008).
75. S. T. Lee, N. Wang, Y. F. Zhang, and Y. H. Tang, MRS Bull. 24, 36 (1999).
76. T.S. Chu, R.Q. Zhang, and H.F. Cheung, J. Phys. Chem. B 105, 1705 (2001).
77. S. Sun, G. Meng, M. Zhang, Y. Hao, X. Zhang, and L. Zhang, J. Phys. Chem. B 107, 13029 (2003).
78. X. M. Meng, J. Q. Hu, Y. Jiang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 2241 (2003).
79. W.S. Shi, Y.F. Zheng, N. Wang, C.S. Lee, and S.T. Lee, Chem. Phys. Lett. 345, 377 (2001).
80. H.Y. Peng, X.T. Zhou, N. Wang, Y.F. Zheng, L.S. Liao, W.S. Shi, C.S. Lee, and S.T. Lee, Chem. Phys. Lett. 27, 263 (2000).
81. W.S. Shi, Y.F. Zheng, N. Wang, C.S. Lee, and S.T. Lee, Adv. Mater. 13, 591 (2001).
82. W.S. Shi, Y.F. Zheng, N. Wang, C.S. Lee, and S.T. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 3304 (2001).
83. W. S. Shi, Y. F. Zheng, N. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1115 (2001).
84. J. Q. Hu, X. L. Ma, Z. Y. Xie, N. B. Wong, C. S. Lee, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 344, 97 (2001).
85. Y. H. Tang, N. Wang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 2921 (1999).
86. B. Lewis, J. Crystal. Growth 21, 29 (1974).
87. P. Yang, and C. M. Lieber, J. Mater. Res. 12, 2981 (1997).
88. P. Yang, and C. M. Lieber, Science 273, 1836 (1996).
89. N. Singh, T. Zhang, and P. S. Lee, Nanotechnology 20, 195605 (2009).
90. T. J. Trentler, K. M. Hickman, S. C. Goel, A. M. Viano, P. C. Gibbons, and W. E. Buhro, Science 270, 1791 (1995).
91. X. Lu, T. Hanrath, K. P. Johnston, and A. B. Korgel, Nano Lett. 3, 93 (2003).
92. S. Geller, J. Chem. Phys. 33, 676 (1960).
93. R. Roy, V. G. Hill, and E. F. Obson, J. Am. Chem. Soc. 74, 719 (1952).
94. A. C. Tas, P. J. Majweski, and F. Aldinger, J. Am. Ceram. Soc. 85, 1421 (2002).
95. G. Sinha, K. Adhhikary, and S. Chaudhuri, Opt. Mater. 29, 718 (2006).
96. H. Y. Peng, Z. W. Pan, L. Xu, X. H. Fan, N. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. 13, 317 (2001).
97. H. Binczycka, M. Uhrmacher, M. L. Elidrissi-Moubtassim, J. C. Jumas, and P. Schaaf, Physics Status Solidi B 242, 1100 (2005).
98. M. Kumar, V. N. Singh, F. Singh, K. V. Lakshmi, B. R. Mehta, and J. P. Singh, Appl. Phys. Lett. 92, 171907 (2008).
99. Y. Wu, C. H. M. Maree, R. F. Haglund, J. D. Hamilton Jr., M. A. M. Paliza, M. B. Huang, L. C. Felman, J. Appl. Phys. 86, 991 (1999).
100. A. N. H. Al-ajili, and S. C. Bayliss, Thin Solid Films 305, 116 (1997).
101. Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 104, 1153 (2000).
102. Y. F. Hao, G. W. Meng, C. H. Ye, and L. D. Zhang, Cryst. Growth Des. 5, 1617 (2005).
103. Y. Hao, G. Meng, C. Ye, and L. Zhang, Cryst. Growth Des. 5, 1617 (2005).
104. A. P. Lavitt, Whisker Technology, (Eds, Wiley-interscience), New Yok (1970).
105. J. Zhang, X. Qing, F. Jiang, and Z. Dia, Chem. Phys. Lett. 371, 311 (2003).
106. A J. Miller, R. A. Hatton, G. Y. Chen, S. R. P. Silva, Appl. Phys. Lett. 90, 023105 (2007).
107. Y. Yan, Y. Zhang, H. Zeng, J. Zhang, X. Cao, and L. Zhang, Nanotechnology 18, 175601 (2007).
108. M. Kumar, V. N. Singh, B. R. Mehta, and J. P. Singh, Nanotechnology 20, 235608 (2009).
109. H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
110. M. R. Lorenz, J. F. Woods, and R. J. Gambino, J. Phys. Chem. Solids 28, 403 (2008).
111. T. Harwing, and J. Schoonman, J. Solid State Chem. 23, 205 (1978).
112. T. Harwing, F. Kellendonk, and S. Slappendel, J. Phys. Chem. Solids 39, 675 (1978).
113. T. Harwing, and F. Kellendonk, J. Solid State Chem. 24, 255 (1978).
114. L. Binet, and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solids 59, 1241 (1998).
115. G. Blasse, and A. Bril, J. Phys. Chem. Solids 31, 707 (1970).
116. E. G. Villora, T. Atou, T. Sekiguchi, T. Sugawara, M. Kikuchi, and T. Fukuda, Solid State Commun. 120, 455 (2001).
117. N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).
118. T. Minami, Materials Research Society, 38 (2000).
119. J. M. Phillips, J. Kwo, G. A. Thomas, S. A. Carter, R. J. Cava, S. Y. Hou, J. J. Krajewski, J. H. Marshall, W. F. Peck, D. H. Rapkine, and R. B. van Dover, Appl. Phys. Lett. 65, 115 (1994).
120. M. Ogita, N. Saika, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, Applied Surface Science 142, 188 (1999).
121. M. Ogita, K. Higo, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, Appl. Surf. Sci. 175, 721 (2001).
122. T. Schwebel, M. Fleischer, and H. Meixner, Sens. Actuators B 65, 176 (2000).
123. Y. Li, A. Trinhi, W. Wlodarski, K. Galatsis, K. Kalantar-zadeh, Sens. Actuators B 93, 431 (2000).
124. Y. Hou, L. Wu, X. Wang, Z. Ding, Z. Li, X. Fu, Journal of Catalysis 250, 12 (2007).
125. A. Trinchi, S. Kaciulis, L. Pandolfi, M. K. Ghantasala, Y. X. Li, W. Wlodarski, S. Viticoli, E. Comini, and G. Sberveglieri, Sens. Actuators B 103, 129 (2004).
126. B. J. Hu, Y. Bando, and Z. Liu, Adv. Mater. 15, 1000 (2003).
127. J. Jie, C. Wu, Y. Yu, L. Wang, and Z. Hu, Nanotechnology 20, 075602 (2009).
128. N. W. Gong, M. Y. Lu, C. Y. Wang, Y. Chen, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 92, 073101 (2008).
129. T. Schuler, and M. A. Aegerter, Thin Solid Films 351, 125 (1999).
130. J. M. Anthony , A. H. Ross, G. Y. Chen, and S. R. P. Silva, Appl. Phys. Lett. 90, 023105 (2007).
131. D. Zhang, C. Li, S. Han, X. Liu, T. Tang, W. Jin, C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 82, 112 (2003).
132. C. Li, D. Zhang, X. Liu, S. Han, T. Tang, J. Han, C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 82, 1613 (2003).
133. J. Tamaki, C. Naruo, Y. Yamamoto, and M. Matsuoka, Sens. Actuators B 83, 190 (2002).
134. A. Gurlo, N. Barsan, U. Weimar, M. Ivanovskaya, A. Taurino, and P. Siciliano, Chem. Mater. 15, 4377 (2003).
135. C. Li, D. Zhang, X. Liu, S. Han, T. Tang, J. Han, and C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 82, 1613 (2003).
136. N. H. Hong, J. Sakai, N. Poirot, and V. Brize, Phys. Rev. B 73, 132404 (2006).
137. A. Sundaresan, R. Bhargavi, N. Rangarajan, U. Siddesh, and C. N. R. Rao, Phys. Rev. B 74, 161306 (2006).
138. Z. R. Xiao, X. F. Fan, L. X. Guan, C. H. A. Huan, J. L. Kuo, and L. Wang, Condens. Matter 21, 272202 (2009).
139. Z. R. Dai, Z W. Pan, and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 106, 902 (2002).
140. J. Zhang, and F. Jiang, Chem. Phys. 289, 243 (2003).
141. B. C. Kim, K. T. Sun, K. S. Park, K. J. Im, T. Noh, M. Y. Sung, S. Kim, S. Nahm, Y. N. Choi, and S. S. Park, Appl. Phys. Lett. 80, 479 (2002).
142. C. H. Liang, G. W. Meng, G. Z. Wang, Y. W. Wang, and L. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 78, 3202 (2001).
143. J. Y. Li, Z. Y. Qiao, X. L. Chen, L. Chen, Y. G. Gao, M. He, H. Li, Z. M. Cao, and Z. Zhang, J. Alloys Comp. 306, 300 (2000).
144. H. J. Chun, Y. S. Choi, S. Y. Bae, H. W. Seo, S. J. Hong, J. Park, and H. Yang, J. Phys. Chem. B 107, 9042 (2003).
145. Y. Wang, J. Xu, R. M. Wang, and D. P. Yu, Micron, 35, 447 (2004).
146. X. C. Wu, W. H. Song, W. D. Huang, M. H. Pu, B. Zhao, Y. P. Sun, and J. J. Du, Chem. Phys. Lett. 328, 5 (2000).
147. G. Gundiah, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao, Chem. Phys. Lett. 351, 189 (2002).
148. Y. H. Gao, Y. Bando, T. Sato, Y. F. Zhang, and X. Q. Gao, Appl. Phys. Lett. 81, 2267 (2002).
149. J. Zhang, and L. Zhang, Solid State Commun. 122, 493 (2002).
150. W. Q. Han, P. Kohler-Redlich, F. Ernst, and M. Ruhle, Solid State Commun. 115, 527 (2000).
151. J. Q. Hu, Q. Li, X. M. Meng, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Phys. Chem. B 106, 9536 (2002).
152. S. Sharma, M. K. Sunkara, J. Am. Chem. Soc. 124, 12288 (2002).
153. L. Fu, Y. Liu, P. Hu, K. Xiao, G. Yu, D. Zhu, Chem. Mater. 15, 4287 (2003).
154. H. Z. Zhang, Y. C. Kong, Y. Z. Wang, X. Du, Z. G. Bai, J. J. Wang, D. P. Yu, Y. Ding, Q. L. Hang, and S. Q. Feng, Solid State Comun. 109, 677 (1999).
155. C. H. Hsieh, L. J. Chou, G. R. Lin, Y. Bando, and D. Golberg, Nano Lett. 8, 3081 (2008).
156. N. W. Gong, M. Y. Lu, C. Y. Wang, Y. Chen, and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 92, 073101 (2008).
157. H. J. Chun, Y. S. Choi, S. Y. Bae, H. W. Seo, S. J. Hong, J. Park, and H. Yang, J. Phys. Chem. B 107, 9042 (2003).
158. H. J. Chun, S. Y. Bae, and J. Park, Mat. Res. Soc. Proc. 789, 291 (2004).
159. K. W. Chang, and J. J. Wu, Appl. Phys. A 76, 629 (2003).
160. K. H. Choi, K. K. Cho, G. B. Cho, H. J. Ahn, and K. W. Kim, J. Cryst. Growth. 311, 1195 (2009).
161. Y. G. Yan, Y. Zhang, H. B. Zheng, and L. D. Zhang, Cryst. Growth Des. 7, 940 (2007).
162. Y. G. Yan, Y. Zhang, H. B. Zheng, J. D. Zhang, X. Cao, and L. Zhang, Nanotechnology, 18, 175601 (2007).
163. X. C. Wu, J. M. Hongb, Z. J. Han, and Y. R. Tao, Chem. Phys. Lett. 373, 28 (2003).
164. G. Jo, W-K. Hong, J. Maeng, T-W. Kim, G. Wang, A. Yoon, S-S. Kwon, S. Song, and T. Lee, Colloids Surf. A 313, 308 (2008).
165. C. Li, D. H. Zhang, S. Han, X. L. Liu, T. Tang, and C. W. Zhou, Adv. Mater. 15, 143 (2003).
166. O. Hayden, A. B. Greytak, and D. C. Bell, Adv. Mater. 17, 701 (2005).
167. C. Li, D. Zhang, S. Han, X. Liu, T. Tang, B. Lei, Z. Liu, and C. Zhou, Annals of New York Academy of Science 1006, 104 (2003).
168. H. J. Chun, S. Y. Bae, and J. Park, Mat. Res. Soc. Proc. 789, 291 (2004).
169. K. W. Chang, and J. J. Wu, Appl. Phys. A 76, 629 (2003).
170. K. H. Choi, K. K. Cho, G. B. Cho, H. J. Ahn, and K. W. Kim, J. Cryst. Growth. 311, 1195 (2009).
171. M. Passlack, E. F. Schubert, W. S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S. N. G. Chu, K. Konstadinidis, J. P. Mannaerts, M. L. Schnoes, and G. J. Zydzik, J. Appl. Phys. 77, 686 (1995).
172. A. Wang, N. L. Edleman, J. R. Babcock, T. J. Marks, M. A. Lane, P. R. Brazis, and C. R. Kannewurf, J. Mater. Res. 17, 3155 (2002).
173. T. Oshima, and S. Fujita, Physica status solidi. C. 9, 3113 (2008).
174. Y. Su, M. Gao, X. Meng, Y. Chen, Q. Zhou, L. Li, and Y. Feng, J. Phys. Chem. Solids 70, 1062 (2009).
175. E. Nogales, B. Sánchez, B. Méndez, and J. Piqueras, Superlattices and Microstructures, 45, 156 (2009).
176. 汪建民等人, “材料分析”, 中國材料科學學會 (1998).
177. R. D. Shannon, Acta Cryst. A32, 751 (1976).
178. W. Q. Han, S. S. Fan, Q. Q. Li, and Y. D. Hu, Science 277, 1287 (1997).
179. H. Y. Peng, X. T. Zhou, N. Wang, Y. F. Zhang, L. S. Liao, W. S. Shi, C. S. Lee, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 327, 263 (2000).
180. Y. H. Gao, Y. Bando, and D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 81, 4133 (2002).
181. F. Geiger, C. A. Busse, and R. I. Loehrke, International Journal of Thermophysics 8, 425 (1987).
182. G. V. Samsonov, The Oxide Handbook, (Plenum, London 1973).
183. M. Fujii, T. Kawai, and S. Kawai, Chem. Phys. Lett. 106, 517 (1984).
184. W. Erbs, J. Kiwi, and M. Gratzel, Chem. Phys. Lett. 110, 648 (1984).
185. S. Sato, J. Photochem. Photobiol., A 45, 361 (1998).
186. R. J. Cava, J. M. Phillips, J. Kwo, G. A. Thomas, R. B. van Dover, S. A. Carter, J. J. Krajewski, W. F. Peck Jr., J. H. Marshell, and D. H. Rapkine, Appl. Phys. Lett. 64, 2071 (1994).
187. A. Kudo, and I. Mikami, J. Chem. Soc.,Faraday Trans. 94, 2929 (1998).
188. Y. Ishikawa, K. Wada, D. D. Cannon, J. Liu, H. C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 82, 2044 (2003).
189. M. EI Kurdi, H. Bertin, E. Martincic, M. de Kersauson, G. Fishman, S. Sauvage, A. Bosseboeuf, and P. Boucaud, Appl. Phys. Lett. 96, 041909 (2010).
190. T. P. Rao, M. C. S. Kumar, S. A. Angayarkanni, and M. Ashok, J. Alloys Comp. 485, 413 (2009).
191. B. C. Mohanty, Y. H. Jo, D. H. Yeon, I. J. Choi, and Y. S. Cho, Appl. Phys. Lett. 95, 062103 (2009).
192. V. I. Vasyltsiv, Y. I. Rym, and Y. M. Zakharko, Phys. Stat. Sol. B 195, 653 (1996).
193. M . Mazzera, M. Zha, D. Calestani,A. Zappettini,L. Lazzarini,G. Salviati , and L. Zanotti, Nanotechnology 18, 355707 (2007).
194. V. I. Vasyltsiv, Y. M. Zakharko, and, Y. I. Rym, Ukr. Fiz. Zh. 55, 100 (1991).
195. S. Rani, S. C. Roy, N. Kararand, and M. C. Bhatnagar, Solid State Communications 141, 214 (2007).
196. X. D. Pu, W. Z. Shen, Z. Q. Zhang, H. Ogawa, and Q. X. Guo, Appl. Phys. Lett. 88, 151904 (2006).
197. A. B. M. Almamun Ashrafi, N. T. Binh, B. P. Zhang, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 84, 2814 (2004).
198. C. C. Hung, M. P. Chang, C. Y. Ho, C. K. Yu, and W. T. Lin, J. Electochem. Soc. 157, K80 (2010).

校內：2011-07-29公開
校外：2011-07-29公開

簡易檢索 / 詳目顯示

相關論文