在本論文中，我們利用有機金屬氣相磊晶法(MOVPE)成長及研究氮化物半導體材料特性，並利用氮化物研製藍光、紫外光及白光發光二極體。我們利用氮化鎵/氮化矽(GaN/SiN)緩衝層(buffer layer)來減少錯位(dislocation)的產生，從X-ray及霍爾量測可知氮化鎵的材料特性確實的被改善。在p-型氮化鎵的活化實驗中，我們成功的在400℃氧氣環境下，成功的活化p-型氮化鎵；在提升電洞濃度實驗中，利用p-型超晶格氮化鎵/氮化鋁鎵(GaN/AlGaN)結構可以有效提升電洞濃度到1E18 cm-3，用Ni/Au做電極可以得到低的特徵電阻(specific contact resistance)4E-6Ω-cm2，以此作為發光元件表面接觸層（contact layer），可以有效的有效降低元件的操作電壓。此外，我們成長n+-型超晶格氮化鎵/氮化銦鎵(GaN/InGaN)在發光元件表面作為接觸層，可以有效的有效降低元件的操作電壓（Vf=2.94 @20mA）及提昇發光功率。另外也成功利用有機金屬氣相磊晶法(MOVPE)開發出氮化鋁鎵/氮化銦鎵(AlGaN/InGaN)多層量子井(MQW)結構紫外發光二極體；在改善紫外發光二極體發光功率方面，我們利用ITO當作穿透層(transparent layer)，可以有效提昇發光功率36%(@20mA)；利用紫外發光二極體激發三色螢光粉封裝的白光燈泡，其穩定度優於傳統利用藍光激發黃色螢光粉所封裝的白光燈泡。

In this dissertation, the growth and characterization of SiN/GaN double buffer and InGaN/AlGaN MQW ultraviolet LED layer have been studied. In addition, we also investigate the influence of O-containing annealing environments on the activation of Mg-doped GaN and Mg-doped AlGaN/GaN strained-layer superlattices. The primary result obtained in this dissertation are summarized as follows: It was found that the GaN grown on SiN buffer showed low dislocation density in TEM images and narrow peak in DCXRD. We could achieve a low-resistive p-type GaN by pure O2 annealing at a temperature as low as 400oC. The electrical properties of Al0.15Ga0.85N/GaN SLs were measured and compared to conventional Mg-doped GaN films. Ni/Au contacts to p-type Al0.15Ga0.85N/GaN SLs with a low specific contact resistance as low as 4.0×10-6Ω-cm2 has been successfully achieved. We could reduce the 20 mA LED forward voltage from 3.78 V to 2.94 V and also reduce the series resistance of the LED from 41 W to 10 W by introducing such an n+-InGaN/GaN SPS top contact. It was also found that we could improve the LED output power and lifetime by employing such a SPS structure. (d) For UV LED, it was found that the 20 mA EL intensity of InGaN/Al0.1Ga0.9N MQW LED was two times larger than that of InGaN/GaN MQW LED. The larger maximum output intensity and the fact that maximum output intensity occurred at larger injection current suggest that Al0.1Ga0.9N barrier layers can provide a better carrier confinement and effectively reduce leakage current. For UV led with transparent ITO layer, , it was found that we could achieve a 36% larger output intensity by using such an ITO on n+-SPS upper contact. Phosphor converted LED lamps were fabricated by precoating blue/green/red phosphors onto n-UV LED chips prior to packaging. It was also found that no changes in color temperature, Tc, or color rendering index, Ra, could be observed when we increased the injection from 20 mA to 60 mA. These results indicate that such “n-UV+blue/green/red” white LED lamps are much more optically stable than conventional “blue+yellow” white LED lamps.

Ch1. Reference
1. R. Juza and H. Hahn, Zeitschr. Anorgan. Allgem. Chem., vol.234,282(1940)
2. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett., 15, 367(1969)
3. J. Pankove, E. Miller, D. Richmann, and J. Berkeyheiser, J. Lumin. 4, 63 (1971).
4. R. Dingle, K. Shaklee, R. Leheny, and R. Zetterstrom, Appl. Phys. Lett. 19, 5 (1971).
5. I. Akasaki, Mater. Res. Soc. Symp. 510, 145 (1998).
6. H. Manasevit, F. Erdman, and W. Simpson, J. Electrochem. Soc. 118, 1864 (1971).
7. T. Kawabata, T. Matsuda, and S. Koike, J. Appl. Phys. 56, 2367 (1984).
8. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
9. T. Egawa, B. Zhang, N. Nishikawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J Appl. Phys. 91, 528(2002).
10. A. Dadgar., A. Strittmatter, J. Bläsing, M. Poschenrieder, O. Contreras, P. Veit,T. Riemann, F. Bertram, A. Reiher, A. Krtschil, A. Diez, T. Hempel, T. Finger, *A. Kasic, M. Schubert, D. Bimberg, F. A. Ponce, J. Christen, and A. Krost, phys. stat. sol. (c), No. 6 , 1583(2003).
11. Chung-Lin Wu, Jhih-Chun Wang, Meng-Hsuan Chan, Tom T. Chen, and Shangjr Gwo, Appl. Phys. Lett. 83,4530 (2003).
12. P. C. Joh, J. J. Alwan and J. G. Eden, Thin Solid Film, 218,75 (1992).
13. H. Tsuchiya, F. Hasegawa, H. Okumura, and S. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 33, part 1,6448 (1994).
14. P. J. Born and D. S. Robertson, J. Mater. Sci. 15,3003 (1980).
15. T. Y. Sheng, Z. Q. Yu, G. J. Collins, Appl. Phys. Lett. 52,576 (1988).
16. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64,4531 (1988).
17. C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, E. Bigan, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 76,236 (1994).
18. F. A. Ponce and B. S. Krusor, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67,410 (1995).
19. T. Detchprohm, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 128,384 (1993).
20. J. E. Jaffe and A. C. Hess, Phys. Rev. B, 48,7903 (1993).
21. R. C. Powell, G. A. Tomasch, Y. W. Kim, J. A. Thornton, and J. E. Greene, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162,525 (1990).
22. Hiroyuki Kinoshita, Shigeki Otani, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Aksaki, Jun Suda and Hiroyuki Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 pp. 2260(2003).
23. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 137,170 (1994).
24. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 725(1990).
25. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998(1991).
26. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1992).
27. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 191(1992).
28. T. D. Moustakas and R. J. Molnar, Mater. Res. Soc. Symp. Boston, MA(1992).
29. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater Res. Soc. Symp. 449, 1061 (1997).
30. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
31. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
32. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y. Huang, J. Mater. Res. 12, 2249 (1997).
33. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1,38(1996).
34. Y. Yamaoka, Y. Kaneko, S. Nakagawa, and N. Yamada, Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, 271 October, p. P19(1997).
35. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997).
36. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
37. J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, M. G. Mier, K. R. Evans, and R. F. Karlicek, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1091 (1997).
38. T. Kim, J. Khim, S. Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997).
39. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).
40. J.-S. Jang, H.-G. Kim, K.-H. Park, C.-S. Um, I.-K. Han, S.-H. Kim, H.-K. Jang, and S.-J. Park, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 1052 (1998).
41. J.-S. Jang, I.-S. Chang, T.-Y. Seong, and S.-J. Park, in Ref. 15, p. Tu-P33.
42. D.-H. Youn, M. Hao, H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1768 (1998).
43. E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, M. Guziewicz, S. Kasjaniuk, M. D. Bremser, R. F. Davis, E. Dynowska, and S. Kwiatkowski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 1077 (1998).
44. J. K Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai , J. Appl. Phys. Vol. 86, 4491(1998)
45. L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai , J. K Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, J. Appl. Phys. Vol. 86, 3862(1999)
46. T. Nagatomo, T. Kuboyama, H. Minamino, and O. Omoto, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1334 (1989).
47. M. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki, and A. Katsui, Appl. Phys. Lett. 59, 2251 (1991).
48. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst.Growth 195, 309 (1998).
49. J. Han and M. Crawford, Proc. Electrochem. Soc. 99-17, 8 (1999).
50. T. Nishida and T. Kobayashi, phys. stat. sol. (a) 188, 113 (2001).
51. Bernard Gil, “Group III Nitride Semiconductor Compound “, P.33, Clarendon Press, Oxford(1998).
Ch2. References
1. M. Kazumura, I. Ohta, and I. Teramoto, “ Feasibility of the LPE growth of AlxGayIn1-x-P on GaAs substrate”, Jpn.J. Appl. Phys., Vol. 22, 654(1983).
2. H. M. Manasevit, “ Single-crystal gallium arsenide on insulating substrate”, Appl. Phys. Lett., Vol. 12, 156(1968).
3. H. M. Manasevit, F. Erdmann and W. Simpson, J. Electrochem. Soc., Vol. 118, 1864(1971).
4. S. P. DenBaar, B. Y. Maa, P. D. Dapkus and H. C. Lee, “ Homogeneous and heterogeneous thermal decomposition rates of trimethylgallium and arsine and their relevance to the growth of GaAs by MOCVD”, J. Cryst. Growth. Vol. 77, 188(1986).
5. T. Makimoto, Y. Yamauchi, N. Kobayashi, and Y. Horikoshi, “ In situ optical monitoring of the GaAs growth process in MOCVD ”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.29, L207 (1990).
6. S. L. Wright, T. N. Jackson, and R. F. Marks, “ Apparent temperature oscillation during molecular beam epitaxy: A useful interferometric effect”, J. Vac. Sci. & Technol. Vol.B8, 288(1990).
7. A. J. Spring Thorpe and A. Majeed, “ Epitaxial growth rate measurements during molecular beam epitaxy “, J. Vac. Sci. & Technol. Vol.B8, 266(1990).
8. T. Okamoto and A. Yoshikawa, “ Effects of substrate materials and their properties on photoassisted metalorganic vapor phase epitaxy of ZnSe”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.30, L156(1991).
9. S. Nakamura, “ In situ monitoring of GaN growth using interference effects”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.30, 1620(1991).
10. I. P. Herman, “Optical Diagnostics for Thin Film Processing”, Academic, San Diego(1996).
11. EMCORE Co. Ltd Catalog of the D-180 system.
12. EMCORE Co. Ltd Catalog of the E-300 system.
Ch3. Reference
1. T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 3976(1999).
2. T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 37, L1358 (1998).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimuto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
4. K. Uchida, K. Nishida, M. Tadano and H. Munekata, J. Crystal Growth 189-190, 270(1998).
5. T. Kachi, K. Tomita, K. Itoh and H. Trando, Appl. Phys. Lett. 72, 704 (1998).
6. Y. B. Lee, T. Wang, Y. H. Liu, J. P. Ao, Y. Izumi, Y. Lacroix, H. D. Li, J. Bai, Y. Naoi and S.Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4450 (2002).
7. S. E. Park, S. M. Lim, C. R. Lee, C. S. Kim and B. O, J. Crystal Growth 249, 487 (2003).
8. S. Sakai, T. Wang, Y. Morishima and N. Naoi, J. Crystal Growth 221, 334 (2000).
9. C. H. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, W. H. Lan, J. F. Chen, T. M. Kuan, Y. C. Huang, C. I. Chiang, J. Webb and W. J. Lin, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 41, L226 (2002).
10. J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang and Y. K. Su, J. Appl. Phys. 91, 1845 (2002).
11. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 41, L112 (2002).
12. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett. 22, 460 (2001).
13. D. D. Koleske, A. J. Fischer, A. A. Allerman, C. C. Mitchell, K. C. Cross, S. R. Kurtz, J. J. Figiel, K. W. Fullmer and W. G. Breiland, Appl. Phys. Lett. 81, 1940 (2002).
14. H. M. Ng, D. Doppalapudi and T. D. Moustakas, vol. 73, no.6, pp. 821-823, August(1998).
15. N. G. Weimann and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. Lett., vol. 83, no.7, pp. 3656-3659, April(1998).
Ch4. Reference
1. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992 ).
2. S. Nakamura, N. Iwasa, Senoh, and T. Mukai,M, Jpn. J. Appl. Phys., 31, 1258 (1992 ).
3. J. A. Van Vechten, J. D. Zook, R. D. Horning, and B. Goldenberg, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3662 (1992).
4. M. Johnson and D. P. Bour, Appl. Phys. Lett. 68, 3470 (1996).
5. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
6. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 75, 4452 (1995).
7. M. Miyachi, T. Tanaka, Y. Kimura and H. Ota, Appl. Phys. Lett., Vol. 72, 1101(1998).
8. B.A. Hull, S. E. Mohney, H. S. Venugoplan and J. C. Ramer, Appl. Phys. Lett., Vol. 76, 2271(2000).
9. Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. S hibata and M. Murakami, J. Electron. Mater., Vol. 28, 341(1999).
10. J. K Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai , J. Appl. Phys. Vol. 86, 4491(1998).
11. L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai , J. K Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, J. Appl. Phys. Vol. 86, 3862(1999).
12. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
13. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, S. Yamazaki and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).
14. D. J. Kim, D. Y. Ryu, N. A. Bojarczuk, J. Karasinski, S. Guha, S. H. Lee and J. H. Lee, J. Appl. Phys. Vol. 88, 2564(2000).
15. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, Jpn. J. Appl., Part 2 34, L 797 (1995).
16. S. Nakamura, T. Mokia, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1689 (1994).
17. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyodo, Appl. Phys. Lett. 70, 868 (1996).
18. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1992).
19. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. B. Bhattarai, D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
20. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. B. Bhattarai, D. T. Olson, W. Schaff, J. W. Burn, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
21. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. kim, O Aktas, A. E. Botchkarev, and H.Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
22. S. J. Cai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wong, W. G. Wu, S. G. Thomas, and K. L. Wang, Electron Lett. 34, 2354 (1998).
23. J. D. Guo, C. I. Lin, M. S. Feng, G. C. Chi, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 68, 235 (1996).
24. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. A. Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
25. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, W. C. Chen, C. Y. Chen, C. N. Huang, J. M. Hong, Y. C. Yu, C. W. Yu, C. W. Wang, and E. Lin, J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998)
26. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 16 (1999).
27. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J.Umezaki, M.Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
28. D. J. King, L.Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997).
29. T. Kim, J. K. him, S. Chae, and T. Kim, . Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997).
30. J.-S Jang, I.-S Chang, H.-K Kim, T.-Y Seong, and S.-J Park, Appl. Phys. Lett. 74, 70 (1999).
31. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
32. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).
33. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).
34. L. L. Smith, M. D. Bremser, E. P. Carlson, T. W. Weeks, Jr., Y. Huang, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 861 (1996).
35. B. Menschubg, C. Liu, B. Rauschenbach, K. Kornitzer, and W. Ritter, Mater Sci. Eng., B 50, 105 (1997).
36. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996).
37. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, and J. T. Ross, Appl. Phys. Lett. 4, 64 (1994).
38. P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, A. W. Saxier, R. Perrin, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 75, 2444 (1999).
39. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
40. A. Saxler, W. C. Mitchel, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 74, 2023 (1999).
41. L. Ssu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 74, 2405 (1999).
42. Y.-L Li, E. F. Schubert, J. W. Graff, A. Osinsky, and W. F. Schaff, Appl. Phys. Lett. 76, 2728 (2000).
43. Y. Koide, H. Ishikawa, S. Kobayashi, S. Yamasaki. S. Nagai, J. Umezaki., M. Koike and M. Murakami, Appl. Surface. Sci., 117/118, 373(1997)
Ch5. Reference
1. T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 49, No. 6, pp. 1093-1095, June (2002).
2. L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen and J. K. Sheu, IEEE J. Quantum. Electron., Vol. 38, No. 5, pp. 446-450, May (2002).
3. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 23, No. 5 , pp. 240-242, May (2002).
4. C. H. Ko, Y K. Su, S. J. Chang, T. M. Kuan, C. I. Chiang, W. H. Lan, W. J. Lin and J. Webb, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 4B, pp. 2489-2492, April (2002).
5. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett., Vo. 74, No. 24, pp. 3678- 3680(1999).
6. I. D. Goepfert, E. F. Schubert, A. Osinsky, P. E. Norris and N. N. Faleev, J. Appl. Phys,, Vol. 88, No. 4, pp. 2030-2038(2000).
7. I. D. Goepfert, E. F. Schubert, A. Osinsky and P. E. Norris, Electron. Lett., Vol. 35, No. 13, pp. 1109-1111(1999).
8. K. Kumakura, T. Makimoto and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, No, No. 4B, pp. ) 2428-2430, April(2000).
9. J. K. Sheu, G. C. Chi, and M. J. Jou, IEEE Electron Device Lett., Vol. 22, pp.160-162(2001).
10. A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, Y. Aoyagi and A. Hirata, Appl. Phys. Lett, Vol. 77, pp. 175-177(2000).
11. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita and T. Mukai, Appl. Phys.Lett.,vol.76, pp.24-22(1999).
12. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 22, No. 10, pp. 460-462, October(2001).
13. Y. Z. Chiou, Y. K. Su, S. J. Chang, J. F. Chen, C. S. Chang, S. H. Liu, I. C. Lin and C. H. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 6A, pp. 3643-3645, June (2002).
14. J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang and Y. K. Su, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 14, No. 4, pp. 450-452, April(2002).
15. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., Vol. 8, No. 2, pp. 278-283, Mar/Apr (2002).
16. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., Vol. 8, No. 2, pp. 284-288, Mar/Apr(2002).
17. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 23, No. 3, pp. 130-132, March(2002).
18. C. H. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, W. H. Lan, J. F. Chen, T. M. Kuan, Y. C. Huang, C. I. Chiang, J. Webb and W. J. Lin, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 41, No. 3A, pp. L226-L228, March(2002).
19. J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang and Y. K. Su, J. Appl. Phys., Vol. 91, No. 4, pp. 1845-1848, February(2002).
20. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 41, No. 2A, pp. L112-L114, February(2002).
21. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, No. 8, pp. 848-850, August (2001).
22. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, No. 6, pp. 559-561, June(2001).
23. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang and J. K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.40, No. 4B, pp. 2996-2999, April (2001).
24. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and I. C. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.40, No. 4B, pp. 2762-2764, April (2001).
25. S. J. Chang, Y. K. Su, T. L. Tsai, C. Y. Chang, C. L. Chiang, C. S. Chang, T. P. Chen and K. H. Huang, Appl. Phys. Lett., Vol. 78, No. 3, pp. 312-313, January (2001).
26. K. S. Ramaiah, Y. K. Su, S. J. Chang, F. S. Juang and C. H. Chen, J. Crystal Growth, Vol. 220, pp. 405-412, December (2000).
27. W. C. Lai, M. Yokoyama, S. J. Chang, J. D. Guo, C. H. Sheu, T. Y. Chen, W. C. Tsai, J. S. Tsang, S. H. Chang and S. M. Sze, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 39, No. 11B, pp. L1138-L1140, November (2000).
28. H. Kim, J. M. Lee, C. Huh, S. W. Kim, D. J. Kim, S. J. Park and H. Hwang, Appl. Phys.Lett.,vol.77, pp.1903-1904(2000).
Ch6. Reference
1. T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 38, no. 7A, pp. 3976-3981, July (1999).
2. T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., vol. 37, no. 11B, pp. L1358-L1361, December (1998).
3. T. Nishida, H. Saito and K. Kobayashi, Appl. Phys. Lett., vol. 79, no. 6, pp. 711-712, August (2001).
4. T. Nishida, H. Saito and K. Kobayashi, Appl. Phys. Lett., vol. 78, no. 25, pp. 3927-3928, June (2001).
5. N. Otsuka, A. Tsujimura, Y. Hasegawa, G. Sugahara, M. Kume and Y. Ban, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., vol. 39, no. 5B, pp. L445-L448, May (2000).
6. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 38, no. 10, pp. 5735-5739, Ocotber (1999).
7. J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, L. Zhang, Y/ K/ Song, H. Zhou and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett., vol. 73, no. 12, pp. 1688-1690, September (1998).
8. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., vol. 40, no. 6B, pp. L583-L585, June (2001).
9. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, No. 6, pp. 559-561, June (2001).
10. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 41, No. 2A, pp. L112-L114, February (2002).
11. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 22, No. 10, pp. 460-462, October (2001).
12. J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang and Y. K. Su, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 14, No. 4, pp. 450-452, April (2002).
13. D. Bunner, H. Angerer, E. Bustarret, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher and M. Stuzmann, J. Appl. Phys., Vol. 82, No. 10, pp. 5090-5096(1997).
14. G. Martin, S. Strite, A. Botchkaev, A. Agrwal, A. Rockett, H. Morkoc, W. R. L. Lambercht and B. Segall, Appl. Phys. Lett., Vol. 65, No. 5, pp. 610-612(1994).
15. G. Martin, S. Strite, A. Botchkaev, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett., Vol. 68, No. 18, pp. 2541-2543(1996).
16. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 5393(1997).
17. S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
18. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 240 (2003).
19. T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Tran. Electron. Dev. 49, 1093 (2002).
20. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, L. W. Wu, J. F. Chen, J. K. Sheu, and J. M. Tasi, IEEE Tran. Electron. Feb. 50, 535 (2003).
21. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y K. Su, L. W. Wu, J. F. Chen, J. K. Sheu, and J. M. Tasi, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 42, No. 4B, pp.2270-2272, April (2003).
22. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi. J. K. Sheu, W. C. Lai and J. M. Tsai, IEEE Sensors Journal 2, 366 (2002).
23. J. F. Lin, M. C. Wu, M. J. Jou, C. M. Chang, B. J. Lee and Y. T. Tsai, Electron. Lett. 30, 1793 (1994).
24. C. L. Chua, R. L. Thornton, D. W. Treat, V. K. Yang and C. C. Dunnrowicz, IEEE Photon. Technol. Lett. 9, 551 (1997).
25. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 74, 3930 (1999).
26. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, S. C. Shei, S. J. Hsu, C. H. Liu, U. H. Liaw, S. C. Chen and B. R. Huang, IEEE Photon. Technol. Lett. 14 ,1668(2002).
27. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. 8, 744 (2002).
28. S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, p. 216(1997).
29. J. K. Sheu, C. J. Pan, G. C. Chi, C. H. Kuo, L. W. Wu, C. H. Chen, S. J. Chang and Y. K. Su: IEEE Photon. Technol. Lett. 14 ,450(2002).
30. X. Guo, J. W. Graff and E. F. Schubert: Int. Electron Device Melt. Tech. Dig. p. 600(1999).
31. F. Hide, P. Kozody, S. P. DenBaars and A. J. Heeger: Appl. Phys. Lett. 70,2664 (1997).
32. J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou and A. V. Nurmikko: Appl. Phys. Lett. 73,1688 (1998).
33. Y. Narukawa, I. Niki, K. Izuno, M. Yamada, Y. Murazki and T. Mukai: J. Jpn. Appl. Phys. 41, L371 (2002).
34. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, W. C. Hung: Appl. Phys. Lett. 74, 2340(1999).
35. J. K. Sheu, G. C. Chi, Y. K. Su, C. C. Liu, C. M. Chang, W. C. Hung and M. J. Jou.: Solid-State Electron. 44, 1055 (2000).
36. D. A. Steigerwald, J. C. Bhat, D. Collins, R. M. Fletcher, M. O. Holcomb, M. J. Ludowise, P. S. Martin, and S. L. Rudaz: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8,310(2002).
37. S. Muthu, F. J. P. Schuurmans and M. D. Pashley: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 333 (2002).