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研究生: 林瑋辰
Lin, Wei-Chen
論文名稱: 以電鍍製作銲錫隆點之電性與材料反應行為研究
Investigations on the Electrical Properties and Material Reaction Behavior of Solder Bumps Produced by Electroplating
指導教授: 林光隆
Lin, Kwang-Lung
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 工學院 - 材料科學及工程學系
Department of Materials Science and Engineering
論文出版年: 2003
畢業學年度: 91
語文別: 中文
論文頁數: 136
中文關鍵詞: 銲錫隆點電性
外文關鍵詞: solder bump, electrical properties
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  • 本研究首先探討以電鍍製作之銲錫隆點(Solder Bump),經過不同可靠度試驗後,其剪力強度變化與破壞機制。之後將銲錫隆點進行覆晶接合,配合晶片與基板上的電路設計以量測電性變化,進一步探討經過不同試驗之後,銲錫接點阻抗變化與材料反應行為之關係。
    由剪力強度測試結果得知,經過高溫時效、恆溫恆濕及多次重流試驗後,其剪力強度均下降,且剪力破斷位置皆位於鉛錫合金中,由此可知,經可靠度試驗後,銲錫與無電鍍鎳磷層間之結合強度仍優於鉛錫合金之剪力強度。
    觀察銲錫隆點界面反應,初始重流(Reflow)後,銲錫與無電鍍鎳磷鍍層之界面會形成鎳-錫及少量銅-錫之介金屬化合物,經時效處理後,銲錫與鎳-錫介金屬化合物間會生成金-鎳-錫之介金屬化合物。
    覆晶接合試片經不同試驗後,銲錫接點阻抗均上升。銲錫接點阻抗會隨著介金屬化合物之成長而增加,而介金屬化合物會隨時效時間或重流次數增加而成長。經恆溫恆濕試驗後,水氣由環境滲入接合界面及聚亞醯胺(Polyimide)中,使金屬界面間產生電化學腐蝕及氧化,造成接點阻抗上升。經過溫度循環試驗後,因為材料彼此間之熱膨脹係數的差異產生應力,造成裂縫及孔洞之生成及延伸,因此銲錫接觸面積減少,進而導致接點阻抗大幅度上升。

    This research was to investigate the shear strength and failure mechanism of solder bumps produced by electroplating after different kinds of reliability tests. We proceeded to design the flip chip test vehicle in order to measure the bump resistance. Furthermore, the correlation between the resistance change of flip chip bonded solder bumps and the reaction behavior of materials was investigated.
    According to the results of shear test, the shear strength of solder bumps degraded while the fracture occurred in the solder after multiple reflow, temperature storage and temperature-humidity tests. Therefore, the bonding strength between solder and electroless Ni-P layer was stronger than Sn-Pb alloy.
    The SEM cross-section morphology revealed that Ni-Sn and a small amount of Cu-Sn intermetallic compounds formed at the interface between solder and Ni-P layer after reflow. Au-Ni-Sn intermetallic compounds formed between solder and Ni-Sn intermetallic compounds after heat treatment.
    The resistance of flip chip bonded specimens increased after different reliability tests. The increase in resistance of solder bumps was accompanied by the growth of intermetallic compounds. The growth of intermetallic compounds was enhanced by thermal aging time and multiple reflow times. After temperature-humidity test, water vapor from environment penetrated into the interface and the polyimide absorbed moisture. The circuit corrosion and oxidation of solder result in an increase in bump resistance. After temperature cycling test, the stress induced by the mismatch between the coefficients of thermal expansion of different materials gave rise to the formation of cracks and voids. Furthermore, the crack propagation and voids coalescence resulted in a drastical increase in resistance.

    總目錄 中文摘要 I Abstract II 總目錄 IV 表目錄 VIII 圖目錄 IX 第一章 緒論 1 1-1覆晶接合 1 1-1-1覆晶接合技術簡介 1 1-1-2銲錫隆點基本結構 2 1-1-3 銲錫隆點的製作 6 1-2 銲錫隆點之電性量測與影響電性之因素 7 1-3 判斷元件失效機制的方法: 9 1-4 研究目的 19 第二章 實驗方法與步驟 20 2-1實驗構想 20 2-2 銲錫隆點製作 20 2-2-1矽晶片前處理 23 2-2-2光阻微影製程 23 2-2-3 濺鍍底層金屬墊 26 2-2-4 無電鍍鎳 26 2-2-5 剝除銅膜製程 29 2-2-6 鈍化層之製作 29 2-2-7 無電鍍金 33 2-2-8 濺鍍連續銅膜 33 2-2-9 電鍍鉛錫合金 33 2-2-10 蝕刻銅膜 38 2-2-11 重流 38 2-3 基板製作 40 2-4 覆晶接合 40 2-5 高溫時效試驗 43 2-6 恆溫恆濕試驗 43 2-7 溫度循環試驗 43 2-8 多次重流試驗 47 2-9 銲錫隆點剪力強度量測 47 2-10 銲錫隆點破壞結構分析 49 2-11 覆晶接合電性量測 49 2-12 覆晶接合微結構分析 50 第三章 結果與討論 53 3-1覆晶接合微結構分析及銲錫隆點剪力強度變化 53 3-1-1未經試驗之覆晶接合微結構分析 53 3-1-2覆晶接合經恆溫恆濕試驗後微結構之變化 57 3-1-3恆溫恆濕試驗後銲錫隆點剪力強度之變化 70 3-1-4覆晶接合經高溫時效試驗後微結構之變化 74 3-1-5高溫時效試驗後銲錫隆點剪力強度之變化 90 3-1-6覆晶接合經多次重流試驗後微結構之變化 93 3-1-7多次重流試驗後銲錫隆點剪力強度之變化 98 3-1-8覆晶接合經溫度循環試驗後微結構之變化 104 3-2覆晶接合電性分析 112 3-2-1覆晶接合經不同試驗後電性之變化 112 3-2-1-1恆溫恆濕試驗後電性之變化 112 3-2-1-2高溫時效試驗後電性之變化 112 3-2-1-3多次重流試驗後電性之變化 115 3-2-1-4溫度循環試驗後電性之變化 115 3-2-2影響覆晶接合電性變化之原因 115 第四章 結論 126 參考文獻 127 誌謝 135 自述 136 表目錄 表1-1銲錫合金的性質 8 表1-2失效的模式和原因 13 表1-3分析失效機制的方法 14 表1-4覆晶接合常使用的相關材料基本物性 15 表1-5半導體封裝可靠度測試項目一覽表 17 表2-1光阻微影製程條件 27 表2-2金屬墊各層金屬膜濺鍍參數 28 表2-3無電鍍鎳液組成 31 表2-4鈍化層製作條件 32 表2-5無電鍍金鍍液的組成 34 表2-6甲基磺酸鉛錫鍍液組成 37 圖目錄 圖1-1各種不同方法構裝後的面積比例 3 圖1-2銲錫隆點之基本結構 5 圖1-3電阻量測設計 10 圖1-4典型的失效機制分類 12 圖2-1銲錫隆點製作流程示意圖 21 圖2-2在光學顯微鏡下觀察之銲錫隆點製程上視圖 22 圖2-3晶片之光罩設計圖 24 圖2-4晶片之光罩設計圖 25 圖2-5無電鍍鎳實驗裝置示意圖(44) 30 圖2-6無電鍍金實驗裝置示意圖 35 圖2-7電鍍槽示意圖 36 圖2-8重流曲線 39 圖2-9基板設計光罩圖 41 圖2-10基板製作流程圖 42 圖2-11自行調整對位示意圖 44 圖2-12覆晶接合横截面示意圖 45 圖2-13溫度循環試驗升降溫曲線圖 46 圖2-14銲錫隆點剪力試驗圖 48 圖2-15四線量測連線法示意圖 51 圖2-16四線量測連線法橫截面圖 52 圖3-1覆晶接合後之横截面圖 54 圖3-2 鎳-錫之二元相圖 55 圖3-3覆晶接合未經試驗時鎳磷鍍層與鉛錫合金之間所生成的介金屬化合物,其EDAX分析之結果 56 圖3-4覆晶接合後鎳磷鍍層與鉛錫合金之間所生成的介金屬化合物,其XRD分析之結果 58 圖3-5恆溫恆濕試驗後覆晶接合横截面圖 59 圖3-6覆晶接合(Substrate side)經恆溫恆濕試驗後介金屬化合物厚度與試驗時間之關係圖 63 圖3-7覆晶接合經1000小時恆溫恆濕試驗後鎳磷鍍層與鉛錫合金之間(Substrate side)所生成的介金屬化合物,其EDAX分析之結果 64 圖3-8恆溫恆濕試驗1000小時後鎳磷鍍層與鉛錫合金之間所生成的介金屬化合物,其XRD分析之結果 65 圖3-9恆溫恆濕試驗後介金屬化合物表面型態 66 圖3-10鉛錫合金內部晶粒成長情形 69 圖3-11銲錫隆點體積示意圖及剪力測試面之計算 71 圖3-12銲錫隆點剪力強度與恆溫恆濕試驗時間之關係圖 72 圖3-13恆溫恆濕試驗1000小時後之銲錫隆點破斷面觀察,(a) 上視圖,(b)横截面圖 73 圖3-14高溫時效試驗後覆晶接合横截面圖 75 圖3-15覆晶接合(Substrate side)經高溫時效試驗後介金屬化合物厚度與試驗次數之關係圖 78 圖3-16覆晶接合經1000小時高溫時效試驗後鎳磷鍍層與鉛錫合金之間所生成的介金屬化合物,其EDAX分析之結果 79 圖3-17高溫時效試驗1000小時後鎳磷鍍層與鉛錫合金之間所生成的介金屬化合物,其XRD分析之結果 81 圖3-18 金-鎳-錫在室溫下之三元相圖(55) 82 圖3-19不同金屬在熔融鉛錫銲錫中之溶解速率 84 圖3-20高溫時效試驗後介金屬化合物表面型態 86 圖3-21高溫時效試驗1000小時後銲錫隆點內部晶粒成長情形 89 圖3-22銲錫隆點剪力強度與高溫時效時間之關係圖 91 圖3-23高溫時效試驗1000小時後之銲錫隆點破斷面觀察 92 圖3-24多次重流試驗後覆晶接合横截面圖 94 圖3-25覆晶接合(Substrate side)經多次重流試驗後介金屬化合物厚度與試驗次數之關係圖 95 圖3-26覆晶接合經10次重流試驗後鎳磷鍍層與鉛錫合金之間所生成的介金屬化合物,其EDAX分析之結果 96 圖3-27經過10次重流試驗後鎳磷鍍層與鉛錫合金之間所生成的介金屬化合物,其XRD分析之結果 97 圖3-28 5次重流試驗後之介金屬化合物表面型態 99 圖3-29 Cu6Sn5晶體結構中{1011}結晶面之示意圖(64) 100 圖3-30 10次重流試驗後之介金屬化合物表面型態 101 圖3-31 10次重流試驗後銲錫隆點內部晶粒成長情形 102 圖3-32銲錫隆點剪力強度與多次重流次數之關係圖 103 圖3-33(a)溫度循環試驗250次後覆晶接合横截面圖 105 圖3-34(a)溫度循環試驗500次後覆晶接合横截面圖 108 圖3-35不同溫度循環次數之横截面圖 109 圖3-36覆晶接合(Substrate side)經溫度循環試驗後介金屬化合物厚度與試驗次數之關係圖 110 圖3-37經溫度循環試驗後隆點內部晶粒成長情形 111 圖3-38恆溫恆濕試驗後電阻與試驗時間之關係圖 113 圖3-39高溫時效試驗後電阻與試驗時間之關係圖 114 圖3-40多次重流試驗後電阻與重流試驗次數之關係圖 116 圖3-41溫度循環試驗後電阻與循環試驗次數之關係圖 117 圖3-42經不同試驗後覆晶接合平均電阻值之變化 118 圖3-43未經試驗時之(a)覆晶接合電路傳導示意圖(b)等效電路圖 120 圖3-44介金屬化合物生成後之(a)電路傳導示意圖(b)等效電路圖 121 圖3-45經不同試驗後(Substrate side)介金屬化合物之厚度 123 圖3-46(a)恆溫恆濕試驗1000小時銲錫隆點界面附近區域,(b)(a)之局部放大圖,(c)高溫時效試驗1000小時銲錫隆點界面附近區域 125

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    下載圖示 校內:立即公開
    校外:2003-07-07公開
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