單層BC3微管已經藉由緊束模型（tight-binding model）的計算方法，來求得最鄰近的原子間的電子結構。電子的性質顯著的被平行管軸方向的磁場以及垂直管軸方向的電場所影響。這兩種場的改變會破壞狀態的簡併度，改變能量的發散及能帶的曲度，亦或是產生或改變其一些edge states。 在半導體和金屬的轉換部份，在外加橫方向的電場才有顯著的影響，平行管軸的磁場並沒有這樣的效應。在所有的BC3微管中，若外加的磁場很小，則會產生順磁性的現象出來；此外磁性對管軸的影響中，鋸齒狀BC3微管的磁性變動比手椅狀來的劇烈很多，這點在外加磁場和電場中，BC3微管和碳微管有著不一樣的地方值得持續探討下去。

　Electronic structures of single-walled BC3 nanotubes are calculated by the nearest-neighbor tight-binding model. Electronic properties are significantly affected by the parallel magnetic field and the perpendicular electric field,these two fields destroy state degeneracy, change energy dispersions or subband curvatures, and produce or alter edge states. The semiconductor-metal transition is induced by the transverse electric field, but not the longitudinal magnetic field. All BC3 nanotubes exhibit the paramagnetic behavior at small magnetic field. The magnetic response of zigzag BC3 nanotubes is much higher than that of armchair BC3 nanotubes. There are certain important differences between BC3 nanotubes and carbon nanotubes in electronic and magnetic properties.

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