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研究生: 古為智
Ku, Wei-Chih
論文名稱: 二元Cd-Yb準晶的組成與電傳輸性質
Formation and electric transport properties of binary Cd-Yb quasicrystals
指導教授: 林水田
Lin, Shui-Tien
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 理學院 - 物理學系
Department of Physics
論文出版年: 2002
畢業學年度: 90
語文別: 中文
論文頁數: 32
中文關鍵詞: 準晶
外文關鍵詞: quasicrystal, Cd-Yb
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  • 提要

    我們發現燒結溫度及時間為700 ℃,1 hour及650 ℃,2 hours都可以做出二十面體的Cd100-xYbx(x = 16 & 17)準晶;400 ℃,24 hours的熱處理可以使其成為穩定態。這些準晶樣品的x-ray繞射圖中,出現在(222100)峰值前的Cd (101) 峰值的強度,與電阻率隨溫度的變化有關。而電阻係數比 (ρ4.2 K/ρ300 K ) 的大小也與磁阻的大小有關。
    增加樣品中Yb的摻雜濃度,可以大幅提高磁阻的大小。對磁阻變化不大的準晶樣品,仍然可以用量子干涉理論解釋的很好。

    Abstract

    We found that Cd100-xYbx(x = 16 & 17) icosahedral quasicrystals can be formed at 700 ℃ for 1hour or at 650 ℃ for 2 hours. The quasicrystalline ingots were subsequently annealed at 400 ℃ for 24 hours to obtain an equilibrium phase.
    We found the intensity of Cd (101) peak appearing in the front of the quasicrystalling peak ( 222100 ) correlates with the variation of the resistance with temperature ; and the magnitude of the resistivity ratio (ρ4.2 K/ρ300 K ) is closely related to that of the magnetoresistance.
    Increasing the concentration of Yb greatly enhances the magnitude of the magnetoresistance. The percentage change in magnetoresistance less than about 10%, still can be explained well by the quantum interference theories.

    目錄 第一章 序論…………………………1 第二章 樣品製備與實驗裝置………3 2-1 樣品製備…………………………3 2-2 x-ray 光譜分析…………………4 2-3 電阻與磁阻的量測……………4 第三章 量子干涉理論………………6 第四章 結果與討論………………12 4-1 x-ray繞射圖……………………12 4-2 比熱與磁化率的量測…………14 4-3 電阻的量測……………………14 4-4 磁阻的量測……………………19 4-5 數據分析………………………27 第五章 結論………………………31 參考資料…………………………32 表目錄 表(一)Cd-Yb準晶的製備與熱處理條件……13 表(二)Cd-Yb準晶的準晶格常數與峰值比…13 表(三) Cd84Yb16準晶樣品3號,用量子干涉理論分析所得到之物理參數…30 表(四) Cd84Yb16準晶樣品2、3與6號於溫度T = 4.2 K時,用量子干涉理論分析所得到之物理參數……………30 圖目錄 圖4-1-1 Cd84Yb16準晶樣品3號x-ray繞射圖…………15 圖4-1-2 Cd84Yb16準晶樣品4號x-ray繞射圖…………16 圖4-2-1 Cd84Yb16準晶樣品C/T對T2變化圖…………17 圖4-2-2 Cd84Yb16準晶樣品於100 Gauss時,磁化率對溫度變化圖…………18 圖4-3-1 Cd-Yb準晶樣品1~6號,電阻率對溫度變化圖……………20 圖4-3-2 Cd84Yb16準晶樣品2號,電阻率對溫度變化圖……………21 圖4-3-3 Cd84Yb16準晶樣品3號,電阻率對溫度變化圖……………22 圖4-4-1 Cd84Yb16準晶樣品3號,電阻變化對H1/2關係圖…………23 圖4-4-2 Cd83Yb17準晶樣品6號,電阻對磁場變化圖………………24 圖4-4-3 Cd-Yb準晶樣品2、3與6號於T = 4.2 K時,電阻變化對H1/2關係圖…25

    參考資料

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    下載圖示 校內:立即公開
    校外:2002-07-11公開
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