簡易檢索 / 詳目顯示
| 研究生： |
黃浚維 Huang, Jun-Wei |
|---|---|
| 論文名稱： |
InAlN/GaN HEMT元件中源汲極距與閘源重疊結構 對電性影響之探討 An Investigation of the Effects of Source-Drain Distance and Gate-Source Overlap on InAlN/GaN HEMT Device Performance |
| 指導教授： |
蘇炎坤
Su, Yan-Kuin 涂維珍 Tu, Wei-Chen |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
電機資訊學院 - 微電子工程研究所 Institute of Microelectronics |
| 論文出版年： | 2025 |
| 畢業學年度： | 113 |
| 語文別： | 英文 |
| 論文頁數： | 98 |
| 相關次數： | 點閱：17 下載：0 |
| 分享至: |
| 查詢本校圖書館目錄 查詢臺灣博碩士論文知識加值系統 勘誤回報 |
校內：2030-06-30公開校外：2030-06-30公開