電磁波遮蔽(Electromagnetic interference, EMI) 問題一直是大家持續探討的汙染課題。元素錫(Sn)、鋁(Al)，銅(Cu)不僅具備優異之EMI遮蔽效能，在價格上也擁有競爭力。
Sn-xAl粉體複合材料具建材塗覆之應用性，因此本研究將Sn-xAl+ polypropylene之複合膠體塗覆於玻璃基板上用以檢討對電磁波之遮蔽效應。實驗結果發現，增加Sn-xAl粉末之Al含量可增進低頻電磁波之遮蔽性。此外，塗層孔隙度會隨著塗層厚度增加而增加，這使得高頻下之電磁波遮蔽性並非隨著塗層厚度增加而提高。
本研究亦利用濺鍍Sn-Al奈米薄膜和Sn-Cu奈米薄膜檢討結晶機制與膜厚效應對電磁波遮蔽特性之影響，而各鍍膜之高溫製程組織、電導性質與EMI遮蔽效能之關係也都被一併比較分析。結果顯示，高溫處理結晶製程能提升Sn-Al奈米薄膜之EMI遮蔽性。在低頻條件下，高Cu原子濃度之Sn-Cu奈米薄膜不能有效改善EMI遮蔽性；高溫處理後，低Cu原子濃度之Sn-Cu奈米薄膜能提升低頻之EMI遮蔽性，而高頻下之EMI遮蔽性則呈現相反趨勢。無論是鍍膜Sn-Al奈米薄膜或Sn-Cu奈米薄膜，高溫結晶處理製程能提升部份鍍膜之電導率，但因原子化合機制差異使得EMI遮蔽性並無法在全頻率下全面獲得提升。

Electromagnetic interference (EMI) is a new form of pollution discovered in recent years. The elements Sn, Al and Cu not only possess EMI shield efficiency, but also have acceptable costs. Sn-xAl powder complex materials are used as coating in building materials. This study coats complex colloid mixed with Sn-xAl powders and polyethylene on glass to examine the shield effect on electromagnetic interference (EMI). The results show that adding Al to the Sn-xAl powders can increase the electromagnetic interference (EMI) shield at lower frequencies. Notably, the number of cavities in the coating layer increased with the coating thickness, with the result that the EMI shield could not improve with an increase in the coating thickness at higher frequencies.
In this study, sputtered Sn-Al thin films and Sn-Cu thin film were used to investigate the effect of the crystallization mechanism and film thickness on the electromagnetic interference (EMI) characteristics. In addition, the annealed microstructure, electrical conductivity and EMI of the Sn-xAl films and the Sn-xCu films were compared. The results show that Sn-Al film increased the electromagnetic interference (EMI) shielding after annealed. For the Sn-Cu films with higher Cu atomic concentration, the low frequency EMI shielding could not be improved. After annealing, the Sn-Cu thin film with lower Cu content possessed excellent EMI shielding at lower frequencies, but had an inverse tendency at higher frequencies. For both the Sn-Al and Sn-Cu thin films, after crystallized treatment, some sputtering films had higher electric conductivity, however the EMI shielding was not enhanced completely.

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