在金屬/氧化物顆粒膜的研究上，材料多為在室溫低真空條件下成長，藉由超高真空退火時，誘發高密度的氧缺陷，提供了自由載子，誘發磁矩有序，造成磁阻下降。
本論文的工作是在超高真空的環境下，成長一具有高密度氧缺陷的Co/TiO2顆粒膜，透過不同真空度退火，觀察除了氧空缺以外是否還有其他的缺陷會影響磁阻的變化？藉由不同真空度退火，10-9 Torr退火之磁阻時隨退火時間增加無明顯變化，但在10-6 Torr退火，磁阻隨退火時間增加則有明顯變化。首先，由結構的量測中無發法觀測到Co跟TiO2具有良好結構，在X-ray近緣吸收光譜的分析上發現樣品中的Co是以金屬Co為主體。最後透過磁性的量測，由溫度對磁化量量測結果發現，阻絕溫度的變化趨勢，與磁阻變化也沒有一致的趨勢，因此，Co顆粒的變化可能不是造成在不同真空度的退火之磁阻變化的主要原因。最後藉由電性量測的結果（直流電阻率、阻抗量測以及變溫電阻率的分析），發現造成磁阻的變化可能主要是來自於電子在氧化層傳輸時受到缺陷影響所造成的變化。
綜合了磁性、電性、與結構的量測，我們認為在不同真空退火時觀察到磁阻的變化，主要是來自於電子在氧化層傳輸時受到缺陷的影響所造成的變化。

In this work, we synthesize nanocomposite under ultra-high vacuum which has high density defects. We observe little change to magnetoresistance（MR）when samples were annealing under ultra high vacuum environment（10-9 torr）. However, apparent change of MR is observed under high vacuum annealing （10-6 torr）.
Structure of Co/TiO2 nanocomposite has characterized by XRD and XAS. The change of blocking temperature doesn’t have the corresponding result with MR which indicates that Co particles may not be main reason. Analysis of impedance spectra and temperature-dependent resistivity show that oxide layer have the great influence to the change of MR.
In summary, we think that observed magnetoresistance change in different vacuum annealing was attributed to defects.

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