本研究以分子束磊晶方式成長高品質之[RuxMn100-x/Ni80Fe20]多層膜系統，藉著改變不同基板以及RuMn層之合金比例、成長溫度來觀察不同成長條件與其交換偏移磁異向性的關係。以X-ray繞射儀(XRD)進行晶體結構判定，並利用磁光柯爾效應儀(MOKE)量測樣品之磁性，且以SQUID做變溫的磁性量測以討論樣品的熱穩定性。而合金比例則是以歐傑電子繞射儀(AES)確認。
根據對交換偏移耦合效應的研究，我們發現當RuxMn100-x合金比例在 X~15和以300℃成長時可得到較大的交換場。此[RuxMn100-x/ Ni80Fe20]系統的Blocking temperature約為145℃。

We study the exchange anisotropy in RuxMn100-x / Ni80Fe20 thin film prepared by MBE. By varying substrates and alloy compositions and growth temperatures of RuxMn100-x we examine how they affect the exchange anisotropy. Using X-ray diffraction and magneto-optical kerr effect (MOKE) we identify the crystalline structure and the magnetic properties respectively. The compositions of RuxMn100-x alloy have been confirmed by AES.
The optimal exchange biasing effect occurs at RuxMn100-x alloy composition when X~15 and the growth temperature around 300℃.The blocking temperature of the RuxMn100-x / Ni80Fe20 system is around 145℃。

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