為了瞭解能量在F(1s)吸收邊緣附近之同步輻射光引發吸附在30K溫度的半導體材料Si(111)(7×7)表面上之CF3Cl分子之光解(photolysis)作用，我們使用了光子激發釋氣(Photon-Stimulated Desorption，PSD)技術來研究。從測得的一系列之F+離子PSD譜中，我們發現不論是次單層或多層之CF3Cl分子吸附的Si表面，在剛開始照光時，F+離子脫附的機制是經由入射光子直接激發分子導致C-F斷鍵，且資料顯示出在光解過程中F+離子信號隨光子能量變化的情形，而在更高光子暴露量時，可得到幾乎完全光解之表面，此時F+離子脫附機制則是經由光子激發SiF之F(1s)核層電子導致Si-F斷鍵。
此外，為了能直接觀察F+離子產額隨光子暴露量變化的情形。我們以能量為684.4eV、690.4eV及692.8eV之三種不同能量的光子照射在分子注入量=0.3×1015分子/平方公分的表面上，發現能量為690.4eV的光子具有最大之脫附截面。又，我們選擇能量為690.4eV的光子照射在三種不同注入量的分子吸附表面(最低注入量=0.3×1015分子/平方公分，中注入量=2.2×1015分子/平方公分，最高注入量=3.0×1015分子/平方公分)，分別測量F-離子與F+離子之光子激發脫附產額隨光子暴露變化的情形。

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