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研究生：	廖耕潁 Liao, Keng-Ying
論文名稱：	以價帶光電子譜技術研究吸附在Si(111)-7×7 表面之CF2Cl2 分子之光解離 Photon-induced dissociation of CF2Cl2 adsorbed on Si(111)- 7×7 studied by valence–level photoemission spectroscopy
指導教授：	溫清榕 Wen, C.R.
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	理學院 - 物理學系 Department of Physics
論文出版年：	2007
畢業學年度：	95
語文別：	中文
論文頁數：	73
中文關鍵詞：	光解截面、光電子譜技術
外文關鍵詞：	photoemission, photolysis cross section, CF2Cl2
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本實驗是將氣體分子CF2Cl2吸附在Si (111) -7 × 7的表面上，再使用同步幅射中心編號08A1之LSGM(Low-energy spherical grating monochromator beamline)光束線輸出的光子照射在表面上
，利用光電子譜技術(PES)來探討表面上的光物理與光化學作用。我們採用能量為80 、98 、101 、110 及120 eV 的入射光子來引起吸附在Si表面上的CF2Cl2分子解離，並分析各個鍵結衰減的情況。我們從光電子能譜中發現此分子是以分子性的物理吸附於Si表面上。使用不同能量的光子照射，皆顯示吸附的CF2Cl2分子具有很高的光解截面。我們發現經過長時間的光子照射，Si表面上會殘留SiF、SiCl及SiC碎片，我們也推論其束縛能的位置。我們將CF2Cl2分子在不同能量的光子照射下得到的光解截面與乾淨Si的總電子產額譜圖(TEY)相比較，我們認為CF2Cl2分子的解離機制是DA或DD。

In order to study the photon induced reactions of CF2Cl2 adsorbed on Si (111)-7×7 at 30 K, monochromatic synchrotron radiation was used as the light source for measuring the photoelectron spectra. We present an analysis of the dissociation and bonding’s decay of CF2Cl2 adsorbed on Si surface using various photons (hν=80、98、101、110 and 120 eV). The valence-level PES spectra show that CF2Cl2 molecules physisorb on Si (111)-7×7 surface, and have high photolysis cross section. After high photon exposure the SiF、SiC and SiCl fragments are created on the Si surface, which show the peaks at -10 、-7.7 and -6 eV, respectively. The photolysis cross section as a function of various incident photon energy in the range of 80-120 eV shows a threshold at around 100 eV. comparing with the total electron yield (TEY) spectrum of the clean sislcon substrate, we found that the dissociation of CF2Cl2 was mainy due to the dissociative attachment (DA) and dipolar dissociation (DD) .

摘要……………………………………………………………..I
Abstract………………………………………………………...II
誌謝…………………………………………………………...III
目錄…………………………………………………………...IV
表目錄……………...………………………………………...VII
圖目錄…………………………………..…………………..VIII
第一章	 前言…………………………………………………...1
第二章	 光電子譜(PES)技術之基本原理…………………….3
2-1簡介………………………………………………...3
2-2光電子譜技術(PES)之實驗原理…………………..4
2-3 PES之分類、特性及應用…………………………..5
第三章	 同步幅射光源......................................................................14
3-1簡介...............................................................................14
3-2同步輻射設備..............................................................14
3-3同步加速器輻射光源的特性....................................17
3-4同步輻射的研究與應用.............................................19
第四章	 實驗簡介..........................................................................28
4-1同步輻射光 (Synchrotron Radiation)之光束線.....28
4-2實驗系統......................................................................28
	4-2-1超高真空腔 (Ultra-High Vacuum Chamber)............................................................................29
	4-2-2氣體導入系統 (Dosing System) ....................30
4-2-3樣品基底與冷卻系統.......................................30
4-2-4樣品清潔系統....................................................31
4-2-5壓力量測儀器....................................................32
4-2-6四極質譜儀(Quardrupole Mass Spectrometer，QMS) .................................................................32
4-2-7電子能量分析儀(Electron Energy Analyzer) ..........................................................32
		4-3實驗過程......................................................................33
第五章	結果與討論........................................................................42
5-1吸附在Si 表面上的CF2Cl2 分子之光電子能譜分析.................................................................................42
5-2不同光子能量的光電子能譜....................................45
5-3光子引起吸附於Si表面的CF2Cl2分子之解離機制.................................................................................47
5-4 CF2Cl2光電子譜圖衰減速率....................................51
第六章	總結…………………………………………………………...70
參考文獻……………………………………………………………...72
                                    

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校內：2009-07-11公開
校外：2009-07-11公開

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