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研究生： 李梓豪
Li, Tzu-Hao
論文名稱： 製程參數對Ce及Cr共添加之鍶鋇鈮陶瓷電域壁動力學及介電性質之影響
Effect of Process Parameter on Domain Wall Dynamics and Dielectric Properties of Ce and Cr Co-doped SBN50
指導教授： 許文東
Hsu, Wen-Dung
林士剛
Lin, Shih-Kang
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 工學院 - 材料科學及工程學系
Department of Materials Science and Engineering
論文出版年： 2013
畢業學年度： 101
語文別： 中文
論文頁數： 141
中文關鍵詞： 鍶鋇鈮陶瓷 、共添加 、晶域壁動力學 、鬆弛時間
外文關鍵詞： SBN, Co-doping, domain wall dynamics, relaxation time
相關次數： 點閱：79  下載：2 
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    • 鍶鋇鈮陶瓷是一種透光材料，其結構為正方鎢青銅結構(Tetragonal Tungsten Bronze, TTB, SBN)，為非中心對稱的鐵電材料。其具有很高的線性光電係數、高的焦電係數以及良好的光折射效應，目前主要使用(Czoxhralski method)。儘管鍶鋇鈮單晶的成長技術及其性質已廣泛被研究，，但因價格與製造上的困難，故應用上有其限制所在如形狀、大小、機械強度等，因此開發鍶鋇鈮多晶陶瓷乃必然趨勢。
    本研究將利用Cole-Cole plot探討純SBN50及共添加Cr2O3與CeO2在交流電場下的介電性質與晶域壁動力學機制，並分析在不同溫度及共添加比例下造成的影響，接著用公式擬合relaxation區段。
    最後再利用擬合得到的參數觀察添加物對於SBN50的影響。

    Strontium barium niobate ( SBN ) ceramic is a good electro-optic material. It has Tetragonal Tungsten Bronze (TTB) structure and SBN is a non centro-symmerty ferroelectrics. It has very high linear electro-optical coefficient、high pyroelectric coefficient and good photorefractive effect, SBN ceramic uses CZ method to growth now. Though the properties of the SBN single crystal has been intensively studied, its high cost and difficult fabrication have limited its practical use, such as shape, size or mechanical strength，hence it is necessary to develop polycrystal SBN ceramic.
    We take advantage of Cole-Cole plot to study the dielectric properties and domain wall dynamics of pure SBN50 and co-doping Cr2O3,CeO2 under ac field, and analyze effects of different temperature and doping ratio, then we use function to fit the region of relaxation.
    Finally, we observe the effect of co-doping in SBN50 by the fitting parameters.

    目錄 第一章 緒論 1 1-1 前言 1 1-2 研究目的 2 第二章 理論基礎與文獻回顧 3 2-1 鍶鋇鈮SBN結構[1] 3 2-2 基本介電理論 8 2-2-1 介電常數(dielectric constant) 8 2-2-2 介電損失(dielectric loss) 11 2-3 極化機制 14 2-4 鍶鋇鈮陶瓷的relaxor特性 21 2-4-1 Relaxor 21 2-4-2 Relaxation time 23 2-5 電域(domain) 30 2-6 Polar nanoregion (PNR)[19] 32 2-7 Random fields(RFs) 34 2-7-1 純SBN 的RFs[27] 34 2-7-2 有添加物SBN 的RFs 35 2-8 Creep and Relaxation之晶域壁動態變化[30] 39 2-9 AC電場下的域壁動力學[30] 43 2-9-1 Relaxation和Creep間的動態轉換 43 2-9-2 無成核與Creep區段(EN)的動態轉換 45 2-9-3 Creep與flow(E2)區段的動態轉換 45 第三章 實驗方法與步驟 47 3-1 實驗藥品 47 3-2 實驗流程 47 3-2-1 試片製備 48 3-2-2試片研磨 48 3-2-3 電極塗佈 49 3-2-4 X-ray繞射分析 49 3-2-5 介電性質分析 49 3-2-6 公式擬合 50 第四章 結果與討論 54 4-1 Cole-Cole Plot 分析 54 4-1-1 Undoped SBN50 54 4-1-2 Ce0.5Cr0.25 56 4-1-3 Ce0.5Cr0.2 58 4-1-4 Ce0.5Cr0.3 59 4-2 Tm 61 4-2-1 Tm的擬合 61 4-2-2 2D等高線圖 64 4-3 Relaxation的公式擬合 69 4-3-1 Undoped SBN50 70 4-3-2 Ce0.5Ce0.25 80 4-3-3 Ce0.5Ce0.2 90 4-3-4 Ce0.5Ce0.3 100 4-4 Experiment vs Simulation curve 110 4-4-1 Undoped SBN50 111 4-4-2 Ce0.5Cr0.25 116 4-4-3 Ce0.5Cr0.2 121 4-4-4 Ce0.5Cr0.3 126 4-5 擬合參數的討論 131 4-5-1 τ vs Temperature 131 4-5-2 ε0 133 4-5-3 α值 134 第五章 結論 136 第六章 參考文獻 138 圖目錄 圖2-1 SBN結構在(001)平面的投影[3] 4 圖2-2 SBN之鎢青銅結構中，各離子之配位結構，(a) NbO6八面體之B1結構，(b) NbO6八面體之B2結構[4] 5 圖2-2 (c) Sr在A1位置的配位結構，(d) Sr/Ba在A2位置的配位結構，(e) C位置的配位結構[5] 6 圖2-3 SBN 結構中，各離子偏移及極化方向示意圖[6] 7 圖2-5 外加電場下介電材料放入平行板電容器之電荷分離現象 11 圖2-6 電容器的充電電流與損失電流 14 圖2-7 四種極化機構之示意圖[7] 17 圖2-8電子極化之示意圖 ( a ) 未施加電場 ( b ) 施加電場 18 圖2-9 離子極化之示意圖 ( a ) 未施加電場 ( b ) 施加電場 18 圖2-10 由兩種不同的相所組成的電容器。由具有絕緣性的 19 1.晶界，將具有2.導電性的晶粒分開的模型圖 19 圖2-11 頻率影響極化機制的介電常數和介電損失之示意圖[7] 20 圖2-12 不同組成的SBN在頻率1KHz下，介電常數對溫度的變化 26 圖 2-13 各 SBN 組成之室溫明視野像(a) SBN50/50 (b) 60/40 (c) 75/25[17] 27 圖2-14 理想電容器的充電和電流流動行為 28 圖2-15 真實電容器的充電和電流流動行為 28 圖2-16 在只有一鬆弛時間的簡單鬆弛過程中，相對介電常數、相對介電值導電度及相對損失因子與頻率之間的關係圖 29 圖2-17 鈦酸鋇(a)多晶結構與其(b)晶域之示意圖[18] 31 圖2-18 兩種形成PNRs不同模型[19] 33 圖2-19 室溫〈101〉SAED(selected area electron diffraction)在各(100)方位的SBN 成份(a) SBN 50/50 (b) SBN 60/40 (c) SBN 75/25[27] 37 圖2-20 內部電場影響示意圖，橢圓代表鐵電電域，小圓代表內部電荷載子，(a) 電荷載子及電域在場冷( field cooling )時，跟隨外加電場時的定向，(b) 室溫下，電域定向的改變並不影響電荷載子原本的配置，(c) 加熱後，電域消失，但電荷載子仍然存在，(d) 冷卻下來，即使無外加電場，形成的電域仍跟隨電荷載子的配置排列[28] 38 圖2-21域壁移動機制的Cole-Cole plot: (R)為Relaxation (C)為Creep (SL)為Slide(SW)為Switching[30] 42 圖2-22 Debye-type function所對應的ε'-ε'的Cole-Cole plot[32] 42 圖2-23 (a)域壁在AC電場下的動力學相圖;位能形勢與域壁的移動機制關係:(b)為域壁一開始存在(c)為域壁一開始不存在 46 圖3-1 實驗流程圖 52 圖3-2油壓機示意圖 53 圖3-3 阻抗分析量測系統 53 圖4-1 Undoped SBN50 300-360K Cole-Cole plot 55 圖4-2 Undoped SBN50 360-390K Cole-Cole plot 55 圖4-3 Ce0.5Cr0.25 300-340K Cole-Cole plot 57 圖4-4 Ce0.5Cr0.25 340-390K Cole-Cole plot 57 圖4-5 Ce0.5Cr0.2 300-330K Cole-Cole plot 58 圖4-6 Ce0.5Cr0.2 330-390K Cole-Cole plot 59 圖4-7 Ce0.5Cr0.3 300-340K Cole-Cole plot 60 圖4-8 Ce0.5Cr0.3 340-390K Cole-Cole plot 60 圖4-9 Undoped SBN50 simulation of Tm 61 圖4-10 Ce0.5Cr0.25 simulation of Tm 62 圖4-11 Ce0.5Cr0.2 simulation of Tm 62 圖4-12 Ce0.5Cr0.3 simulation of Tm 63 圖4-13 Undoped SBN50 2D等高線圖 (a) 介電常數實部 (b)介電常數虛部 65 圖4-14 Ce0.5Cr0.25 2D等高線圖 (a) 介電常數實部 (b)介電常數虛部 66 圖4-15 Ce0.5Cr0.2 2D等高線圖 (a) 介電常數實部 (b)介電常數虛部 67 圖4-16 Ce0.5Ce0.3 2D等高線圖 (a) 介電常數實部 (b)介電常數虛部 68 圖4-17 Undoped SBN50 介電常數實部不同頻率之Tm 69 圖4-18 Undope SBN50 300K實部對頻率公式擬合 70 圖4-19 Undope SBN50 300K虛部對頻率公式擬合 71 圖4-20 Undope SBN50 310K實部對頻率公式擬合 71 圖4-21 Undope SBN50 310K虛部對頻率公式擬合 72 圖4-22 Undope SBN50 320K實部對頻率公式擬合 72 圖4-23 Undope SBN50 320K虛部對頻率公式擬合 73 圖4-24 Undope SBN50 330K實部對頻率公式擬合 73 圖4-25 Undope SBN50 330K虛部對頻率公式擬合 74 圖4-26 Undope SBN50 340K實部對頻率公式擬合 74 圖4-27 Undope SBN50 340K虛部對頻率公式擬合 75 圖4-28 Undope SBN50 350K實部對頻率公式擬合 75 圖4-29 Undope SBN50 350K虛部對頻率公式擬合 76 圖4-30 Undope SBN50 360K實部對頻率公式擬合 76 圖4-31 Undope SBN50 360K虛部對頻率公式擬合 77 圖4-32 Undope SBN50 370K實部對頻率公式擬合 77 圖4-33 Undope SBN50 370K虛部對頻率公式擬合 78 圖4-34 Undope SBN50 380K實部對頻率公式擬合 78 圖4-35 Undope SBN50 380K虛部對頻率公式擬合 79 圖4-36 Undope SBN50 390K實部對頻率公式擬合 79 圖4-37 Undope SBN50 390K虛部對頻率公式擬合 80 圖4-38 Ce0.5Cr0.25 300K實部對頻率公式擬合 80 圖4-39 Ce0.5Cr0.25 300K虛部對頻率公式擬合 81 圖4-40 Ce0.5Cr0.25 310K實部對頻率公式擬合 81 圖4-41 Ce0.5Cr0.25 310K虛部對頻率公式擬合 82 圖4-42 Ce0.5Cr0.25 320K實部對頻率公式擬合 82 圖4-43 Ce0.5Cr0.25 320K虛部對頻率公式擬合 83 圖4-44 Ce0.5Cr0.25 330K實部對頻率公式擬合 83 圖4-45 Ce0.5Cr0.25 330K虛部對頻率公式擬合 84 圖4-46 Ce0.5Cr0.25 340K實部對頻率公式擬合 84 圖4-47 Ce0.5Cr0.25 340K虛部對頻率公式擬合 85 圖4-48 Ce0.5Cr0.25 350K實部對頻率公式擬合 85 圖4-49 Ce0.5Cr0.25 350K虛部對頻率公式擬合 86 圖4-50 Ce0.5Cr0.25 360K實部對頻率公式擬合 86 圖4-51 Ce0.5Cr0.25 360K虛部對頻率公式擬合 87 圖4-52 Ce0.5Cr0.25 370K實部對頻率公式擬合 87 圖4-53 Ce0.5Cr0.25 370K虛部對頻率公式擬合 88 圖4-54 Ce0.5Cr0.25 380K實部對頻率公式擬合 88 圖4-55 Ce0.5Cr0.25 380K虛部對頻率公式擬合 89 圖4-56 Ce0.5Cr0.25 390K實部對頻率公式擬合 89 圖4-57 Ce0.5Cr0.25 390K 虛部對頻率公式擬合 90 圖4-58 Ce0.5Cr0.2 300K 實部對頻率公式擬合 90 圖4-59 Ce0.5Cr0.2 300K 虛部對頻率公式擬合 91 圖4-60 Ce0.5Cr0.2 310K 實部對頻率公式擬合 91 圖4-61 Ce0.5Cr0.2 310K 虛部對頻率公式擬合 92 圖4-62 Ce0.5Cr0.2 320K 實部對頻率公式擬合 92 圖4-63 Ce0.5Cr0.2 320K 虛部對頻率公式擬合 93 圖4-64 Ce0.5Cr0.2 330K 實部對頻率公式擬合 93 圖4-65 Ce0.5Cr0.2 330K 虛部對頻率公式擬合 94 圖4-66 Ce0.5Cr0.2 340K 實部對頻率公式擬合 94 圖4-67 Ce0.5Cr0.2 340K 虛部對頻率公式擬合 95 圖4-68 Ce0.5Cr0.2 350K 實部對頻率公式擬合 95 圖4-69 Ce0.5Cr0.2 350K 虛部對頻率公式擬合 96 圖4-70 Ce0.5Cr0.2 360K 實部對頻率公式擬合 96 圖4-71 Ce0.5Cr0.2 360K 虛部對頻率公式擬合 97 圖4-72 Ce0.5Cr0.2 370K 實部對頻率公式擬合 97 圖4-73 Ce0.5Cr0.2 370K 虛部對頻率公式擬合 98 圖4-74 Ce0.5Cr0.2 380K 實部對頻率公式擬合 98 圖4-75 Ce0.5Cr0.2 380K 虛部對頻率公式擬合 99 圖4-76 Ce0.5Cr0.2 390K 實部對頻率公式擬合 99 圖4-77 Ce0.5Cr0.2 390K 虛部對頻率公式擬合 100 圖4-78 Ce0.5Cr0.3 300K 實部對頻率公式擬合 100 圖4-79 Ce0.5Cr0.3 300K 虛部對頻率公式擬合 101 圖4-80 Ce0.5Cr0.3 310K 實部對頻率公式擬合 101 圖4-81 Ce0.5Cr0.3 310K 虛部對頻率公式擬合 102 圖4-82 Ce0.5Cr0.3 320K 實部對頻率公式擬合 102 圖4-83 Ce0.5Cr0.3 320K 虛部對頻率公式擬合 103 圖4-84 Ce0.5Cr0.3 330K 實部對頻率公式擬合 103 圖4-85 Ce0.5Cr0.3 330K 虛部對頻率公式擬合 104 圖4-86 Ce0.5Cr0.3 340K 實部對頻率公式擬合 104 圖4-87 Ce0.5Cr0.3 340K 虛部對頻率公式擬合 105 圖4-88 Ce0.5Cr0.3 350K 實部對頻率公式擬合 105 圖4-89 Ce0.5Cr0.3 350K 虛部對頻率公式擬合 106 圖4-90 Ce0.5Cr0.3 360K 實部對頻率公式擬合 106 圖4-91 Ce0.5Cr0.3 360K 虛部對頻率公式擬合 107 圖4-92 Ce0.5Cr0.3 370K 實部對頻率公式擬合 107 圖4-93 Ce0.5Cr0.3 370K 虛部對頻率公式擬合 108 圖4-94 Ce0.5Cr0.3 380K 實部對頻率公式擬合 108 圖4-95 Ce0.5Cr0.3 380K 虛部對頻率公式擬合 109 圖4-96 Ce0.5Cr0.3 390K 實部對頻率公式擬合 109 圖4-97 Ce0.5Cr0.3 390K 虛部對頻率公式擬合 110 圖4-98 Undoped SBN50 300K experiment vs simulation 111 圖4-99 Undoped SBN50 310K experiment vs simulation 111 圖4-100 Undoped SBN50 320K experiment vs simulation 112 圖4-101 Undoped SBN50 330K experiment vs simulation 112 圖4-102 Undoped SBN50 340K experiment vs simulation 113 圖4-103 Undoped SBN50 350K experiment vs simulation 113 圖4-104 Undoped SBN50 360K experiment vs simulation 114 圖4-105 Undoped SBN50 370K experiment vs simulation 114 圖4-106 Undoped SBN50 380K experiment vs simulation 115 圖4-107 Undoped SBN50 390K experiment vs simulation 115 圖4-108 Ce0.5Cr0.25 300K experiment vs simulation 116 圖4-109 Ce0.5Cr0.25 310K experiment vs simulation 116 圖4-110 Ce0.5Cr0.25 320K experiment vs simulation 117 圖4-111 Ce0.5Cr0.25 330K experiment vs simulation 117 圖4-112 Ce0.5Cr0.25 340K experiment vs simulation 118 圖4-113 Ce0.5Cr0.25 350K experiment vs simulation 118 圖4-114 Ce0.5C0.25 360K experiment vs simulation 119 圖4-115 Ce0.5C0.25 370K experiment vs simulation 119 圖4-116 Ce0.5Cr0.25 380K experiment vs simulation 120 圖4-117 Ce0.5Cr0.25 390K experiment vs simulation 120 圖4-118 Ce0.5Cr0.2 300K experiment vs simulation 121 圖4-119 Ce0.5Cr0.2 310K experiment vs simulation 121 圖4-120 Ce0.5Cr0.2 320K experiment vs simulation 122 圖4-121 Ce0.5Cr0.2 330K experiment vs simulation 122 圖4-122 Ce0.5Cr0.2 340K experiment vs simulation 123 圖4-123 Ce0.5Cr0.2 350K experiment vs simulation 123 圖4-124 Ce0.5Cr0.2 360K experiment vs simulation 124 圖4-125 Ce0.5Cr0.2 370K experiment vs simulation 124 圖4-126 Ce0.5Cr0.2 380K experiment vs simulation 125 圖4-127 Ce0.5Cr0.2 390K experiment vs simulation 125 圖4-128 Ce0.5Cr0.3 300K experiment vs simulation 126 圖4-129 Ce0.5Cr0.3 310K experiment vs simulation 126 圖4-130 Ce0.5Cr0.3 320K experiment vs simulation 127 圖4-131 Ce0.5Cr0.3 330K experiment vs simulation 127 圖4-132 Ce0.5Cr0.3 340K experiment vs simulation 128 圖4-133 Ce0.5Cr0.3 350K experiment vs simulation 128 圖4-134 Ce0.5Cr0.3 360K experiment vs simulation 129 圖4-135 Ce0.5Cr0.3 370K experiment vs simulation 129 圖4-136 Ce0.5Cr0.3 380K experiment vs simulation 130 圖4-137 Ce0.5Cr0.3 390K experiment vs simulation 130 圖4-138 所有成分實部擬合出的τ值與實驗值的比較 132 圖4-139 所有成分虛部擬合出的τ值與實驗值的比較 132 圖4-140 所有成分擬合出的static dielectric constant隨溫度的變化 133 圖4-141 所有成分 α1對溫度比較圖 135 圖4-142 所有成分 α2對溫度比較圖 135 表目錄 表4-1 各成分的simulation of Tm 63

    1. N. S. Vandamme, A. E. Sutherland, L. Jones, K. Bridger, and S. R. Winzer, J. Am. Ceram. Soc.,74 [8], 1785 (1991).
    2. P. B. Jamieson. S. S. Abrahams and J. L. Bernstein, J. Chem. Phys.,48, 5048 (1968).
    3. VV. Shvartsman, J. Dec, S.Miga, et al. FERROELECTRICS,376, 197-204 (2008).
    4. J. Dec, W. Kleemann, V. Bobnar, Z. Kutnjak, A. Levstik, R. Pirc and R. Pankrath, Europhys. Lett., 55,781-787 (2001).
    5. L. A. Bursill and Peng Ju Lin, Philosophical Magazine B,54, 157-170 (1986).
    6. L. A. Bursill and Peng Ju Lin, Philosophical Magazine B,54, 157-170 (1986).
    7. 吳朗, “電子陶瓷(介電陶瓷)“,全欣出版社,p.69 (1994).
    8. Glinchuk MD, Bri. Ceram. Trans. ,103,76 (2004).
    9. Bokov AA and Ye ZG, J Mat. Sci.,46,31 (2006).
    10. Kleemann W, J Mat. Sci.,41,129 (2006).
    11. Burns G and Dagol FH, Ferroelectrics,104,25 (1990).
    12. Samara GA, Solid State Physics, vol. 56, p.272 (2001).
    13. Cohen R. E, Nature ,358,136 (1992)
    14. P. Lehnen and W. Kleemann, Phys. Rev. B, 64, 224109 (2001).
    15. A. A. Ballman and H. Brown, J. Cryst. Growth ,1, 311 (1967).
    16. A. M. Glass, J. Appl. Phys., 40, 4699-4713 (1969).
    17. Dwight Viehland, Z. Xu, and Weng-Hsing Huang, Philosophical Magazine A, 71, 205-217 (1995).
    18. 朱冠宇,國立成功大學資源工程研究所碩士論文“組成變化對X8R 鈦酸鋇介電陶瓷之介電性質及顯微結構的影響之研究“ (2006).
    19. A. A. BOKOV, Z.-G. YE, ”Recent progress in relaxor ferroelectricswith perovskite structure, ”JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 41,31-52 (2006).
    20. D. LA-ORAUTTAPONG, J . TOULOUSE, J . L. ROBERTSON and Z. -G. YE, ibid., 64, 212101 (2001).
    21. M. D. GLINCHUK and R. FARHI , J. Phys.: Condens. Matter 8,6985 (1996).
    22. A. A. BOKOV, JEPT 84,994 (1997).
    23. P. N. TIMONIN, Ferroelectrics ,199 ,69 (1997).
    24. A.A.BOKOV, Phys. Solid State,36,19 (1994); Ferroelectrics, 190,197 (1997).
    25. V. WESTPHAL, W. KLEEMANN and M. D. GLINCHUK,Phys. Rev. Lett.,68,847 (1992) .
    26. V. M. ISHCHUK, Ferroelectrics ,255,73 (2001).
    27. Dwight Viehland, Z. Xu, and Weng-Hsing Huang, “Structure-Property
    Relationships in Strontium Barium Niobate, I. Needle-Like Nanopolar
    Domains and the Metastably-Locked Incommensurate Structure,”
    Philosophical Magazine A, 71[2] 205-217 (1995).
    28. T. Granzow, U. Dorfler, and Th. Woike,” Local Electric-Field-Driven
    Repoling Reflected in the Ferroelectric Polarization of Ce-Doped
    Sr0.61Ba0.39Nb2O6,”Appl. Phys. Lett., 80, 3, 470-472, (2002).
    29. J. Dec, W. Kleemann, V. Bobnar, Z. Kutnjak, A. Levstik, R. Pirc and R. Pankrath,” Random-field Ising-type Transition of Pure and Doped SBN from the Relaxor into the Ferroelectric State,” Europhys. Lett., 55(6) 781-787 (2001).
    30. Annu. Rev. Mater. Res.,37,415–48 (2007).
    31. Lyuksyutov IF, Nattermann T, Pokrovsky V. ,Theory of the hysteresis loop in ferromagnets. Phys. Rev. B,59,4260–72 (1999).
    32. A. A. BOKOV, JEPT, 84,994 (1997).
    33. S. M. Yang et al. Phys. Rev. B, 82 ,174125 (2010).
    34. T. Nattermann, V. Pokrovsky, and V. M. Vinokur, Phys. Rev. Lett. 87, 197005 (2001).
    35. J. Y. Jo, D. J. Kim, Y. S. Kim, S. B. Choe, T. K. Song, J. G. Yoon, and T. W. Noh, Phys. Rev. Lett.,97, 247602 (2006).
    36. S. M. Yang, J. W. Heo, H. N. Lee, T. K. Song, and J.-G. Yoon, J. Korean Phys. Soc.,55, 820 (2009).
    37. Chakrabarti BK, Acharrya M., Dynamic transitions and hysteresis. Rev. Mod. Phys., 71,847–59 (1999).
    38. Shiue JT, and Fang TT, “The sintering behavior of CeO2-doped strontium barium niobate ceramics ＂ J. Eur. Ceram. Soc.,22[9-10],1705-1709 (2002).
    39. T. Woike, U. Dorfler, L. Tsankov, G. Weckwerth, D. Wolf, M.
    Wohlecke, T. Granzow, R. Pankrath, M. Imlau, W. Kleemann,＂
    Photorefractive Properties of Cr-doped Sr0.61Ba0.39Nb2O6 Related
    to Crystal Purity and Doping Concentration,＂ Appl. Phys. B, 72,
    661-666 (2001).
    40. Th. Woike, G. Weckwerth, H. Palme, and r. Pankrath, ＂Instrumental Neutron Activation and Absorption Spectroscopy of Photorefractive Strontium-Barium Niobate Single Crystals Doped with Cerium,＂ Solid State Commun, 102,743-747 (1997).
    41. 盧忠泰,國立成功大學材料科學及工程研究所碩士論文“溫度與電場對Ce和Cr添加的sbn50域壁動力學機制的影響＂ (2012).
    42. Vladimir V. Shvartsman, Jan Dec, Seweryn Miga, Tadeusz Łukasiewicz, Wolfgang Kleemann, Ferroelectric Domains in SrxBa1 - xNb2O6 Single Crystals (0.4 ≤ × ≤ 0.75), Ferroelectrics, 376:1, 1-8 (2008).

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