成功大學博碩士論文系統

簡易檢索 / 詳目顯示

回結果列表

研究生：	魏世禎 Wei, Shih-Chen
論文名稱：	氮化鎵系列發光二極體之抗靜電工程 Electrostatic Discharge Engineering of Nitride Based Light Emitting Diodes
指導教授：	蘇炎坤 Su, Yan-Kuin 張守進 Chang, Shoou-Jinn
學位類別：	博士 Doctor
系所名稱：	電機資訊學院 - 微電子工程研究所 Institute of Microelectronics
論文出版年：	2007
畢業學年度：	95
語文別：	英文
論文頁數：	111
中文關鍵詞：	氮化鎵、抗靜電
外文關鍵詞：	ESD, GaN
相關次數：	點閱：70 下載：1
分享至:	分享至facebook 分享至twitter

查詢本校圖書館目錄查詢臺灣博碩士論文知識加值系統勘誤回報

在本論文中，我們使用有機金屬化學汽相沈積法成長及研究氮化鎵系列發光二極體的材料特性。我們使用多層氮化鎵／氮化矽(GaN/SiN)為緩衝層，及成長發光二極體結構，我們成功的減少缺陷密度，且改善結晶品質。接著，我們於n-型氮化鎵層內插入一層低濃度的氮化鎵電流分散層，我們能夠增加35%的亮度，且於20 mA工作電流下，其工作電壓沒有明顯的增加，另外我們發現其抗靜電持性也因電流分散的原因，而增加。此外我們使用邊升溫邊成長的方式於發光層中之阻障層(barrier), 相較於在低溫成長阻障層時，所造成之磊晶品質衰退問題，此層之結晶品質，可因升溫而變得較佳，因此我們可有效的降低漏電流及提升抗靜電持性；接著，我們使用雙多重量子井(MQW)發光二極體結構，來改善發光層之結晶品質及抗靜電特性，使用此結構在-10伏時其漏電流可達到3.6x10-7A，且其抗靜電值可達至-5K伏。最後我們藉由改變p-型氮化鎵的成長方式，來探討V型缺陷對抗靜電特性的影響，我們發現V型缺陷會使抗靜電特性降低，我們可將p-型氮化鎵之成長溫度升高，當溫度到達1040oC時，其表面之V型缺陷幾乎看不到，進而提升其抗靜電值。

In this dissertation, the growth and characterization of GaN-based light emitting diodes have been studied by metalorganic chemical vapor phase deposition (MOVPE). Nitride-based light emitting diodes (LEDs) with multiple GaN/SiN nucleation layers were prepared. It was found that we could reduce defect density and thus improve crystal quality of the GaN-based LEDs by using multiple GaN/SiN nucleation layers. Nitride-based light emitting diodes (LEDs) with n--GaN current spreading layers were proposed and fabricated. With a 0.1-m-thick n--GaN current spreading layer, it was found that we could increase the output power by 35% without increasing the 20 mA operation voltage of the LEDs. It was also found that the n--GaN current spreading layer could significantly improve electrostatic discharge (ESD) characteristics of nitride-based LEDs. Nitride-based LEDs with MQW active regions grown by different temperature profiles were prepared by MOVPE. Compared with conventional samples, the reduced reverse leakage current and improved ESD characteristics of the LEDs are achievable using both temperature ramping and temperature cycling methods. Nitride-based LED with dual-stage MQW structure is proposed and fabricated. It was found that we could reduce number of pinhole and improve crystal quality by inserting the electron emitter MQW structure. It was also found that we could achieve smaller reverse leakage current and forward operation voltage from the dual-stage MQW LEDs. Furthermore, it was found that ESD characteristics of the dual-stage MQW LED are also better. GaN-based LEDs with p-cap layers grown at various temperatures were fabricated. It was found that there exist a large number of V-shape defects in LEDs with 900oC-grown p-cap layers. These V-shape defects will result in a degraded ESD performance. It was also found that we could significantly improve the ESD characteristics of GaN-based LEDs by raising the p-cap growth temperature to 1040oC.

Abstract        …………………………………………………………….……..…i
(in Chinese)
Abstract        ………………………………………………………………..…….ii
(in English)
Acknowledge    ……………………………………………………………………..iv
Contents        .……………………………………………………………………v
Table Captions   ……………………………………………………………………..vii
Figure Captions  …………………………………………………………………...viii

CHAPTER 1 Introduction
1.1 Background  …………………………………………………………1

CHAPTER 2 Epitaxy System and Electrostatic Discharge Testing
2.1 Introduction  …………………………………………………………12
2.2 MOCVD Reactor  …………………………………………………...12
2.3 In-Situ Reflectance Monitoring  …………………………………….13
2.4 Electro-Static Discharge Testing  ……………………………………15

CHAPTER 3 GaN-Based LEDs with Multiple GaN/SiN Nucleation Layers
3.1 Introduction  …………………………………………………………25
3.2 Device Fabrication of InGaN/GaN LEDs with Multiple GaN/SiN Nucleation Layers ………………………………………………….…26
3.3 Optical and Electrical Characteristics of InGaN/GaN LEDs with Multiple GaN/SiN Nucleation Layers  ……………………….……..28

CHAPTER 4 Nitride-Based LEDs with n--GaN Current Spreading Layers
4.1 Introduction  …………………………………………………………47
4.2 Device Structure of InGaN/GaN LEDs with n--GaN Current Spreading Layers  ………………………………………………………………48
4.3 Optical and Electrical Characteristics of InGaN/GaN LEDs with n--GaN Current Spreading Layers  …………………………………………..50

CHAPTER 5 Growth Methods of MQW Active Regions in Nitride-Based LEDs
5.1 Nitride-Based LEDs with MQW Active Regions Grown by Different Temperature Profiles  ……………………………………………….62
5.2 Nitride-Based Dual-Stage MQW LEDs  ……………………………66

CHAPTER 6 Growth Methods of the p-GaN in GaN-Based Light Emitting Diodes
6.1 Introduction  ………………………………………………………….90
6.2 Device Structure of InGaN/GaN Multi-Quantum Well Light Emitting Diodes  ……………………………………………………………….91
6.3 Characterization of InGaN/GaN Light Emitting Diodes with High Temperature p-GaN Cap Layers  …………………………………….92

CHAPTER 7 Conclusions  ….………………………………………………..…….107

 Publication List  …………………………………………………………………..110

Vita  …………………………………………………………111
                                    

Chapter1
References
1. T. Nishida, N. Kobayashi, and T. Ban, Appl. Phys. Lett. 82, 1 (2003).
2. J. P. Zhang, X. Hu, Y. Bilenko, J. Deng, A. Lunex, M. S. Shur, R. Gaska, M. Shatalov, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 5534 (2004).
3. S. Shakya, K. H. Kim, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 85, 142 (2004).
4. E. F. Schubert, 2nd ed., Cambridge University Press, Cambridge, p. 346, 2006.
5. Y. Matsushita, T. Uetani, T. Kunisato, J. Suzuki, Y. Ueda, K. Yagi, T. Yamaguchi, and T. Niina, Jpn. J. Appl. Phys., Part1 34, 1833 (1995).
6. J. D. Brown, J. T. Swindell, M. A. L. Johnson, Yu Zhonghai, J. F. Schetzina, G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, M. Leonard, H. S. Kong, H. Dieringer, C. Carter, and J. A. Edmond, Nitride Semiconductor or Symposium, Mat. Res. Soc., pp. 1179, 1998.
7. M. A. Haase, J. Qinu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
8. H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi, R. L. Gunshor, G. C. Hua, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 60, 2045 (1992).
9. W. Xie, D. C. Grillo, R. L. Gunshor, M. Kobayashi, H. Jeon, J. Ding, A. V. Nurmikko, G. C. Hua, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 60, 1999 (1992).
10. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 42, 427 (1983).
11. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
12. H. Amano, M. Kito, K. hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
13. H. Amano, M. Kito, K. hiramatsu, and I. Akasaki, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, pp. 725, 1989.
14. S. Tanaka, M. takeuchi, and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L831 (2000).
15. O. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 2361 (2000).
16. T. Egawa, B. Zhang, N. Nishikawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 91, 528 (2002).
17. C. L. Wu, J. C. Wang, M. H. Chan, T. T. Chen, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 83, 4530 (2003).
18. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1998).
19. F. A. Ponce and B. S. Krusor, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67, 410 (1995).
20. T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 137, 170 (1994).
21. The proceeding of the Aixtron user meeting, 2004.
22. E. F. Schubert, Cambridge University Press, 2003.
23. S. Nakamura, N. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
24. H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, and N. Koide, Thin Solid Films 163, 415 (1988).
25. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989).
26. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991).
27. S. Nakamura, Y. Harada, and M. Seno, Appl. Phys. Lett. 58, 2021 (1991).
28. R. S. Kern, W. Goetz, and C. Kuo, US patent NO. 6274399, 2001.
29. S. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
30. S. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
31. K. Takatomo, H. Okagaua, T. Tsunekawa, T. Jyouichi, Y. Imada, M. Kato, H. Kudo, and T. Taguchi, Phys. Status Solidi A 188, 121 (2001).
32. A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, and D. Cherns, Appl. Phys. Lett. 82, 349 (2003).
33. D. S. Wu, W. K. Wang, K. S. Wen, S. C. Huang, S. H. Lin, S. Y. Huang, and C. F. Lin, and R. H. Hong, Appl. Phys. Lett. 89, 161105 (2006).
34. B. Thibeault, M. Mack, and S. P. Denbaars, US patent NO. 6657236, 2000(filed).
35. E. L. Piner, M. K. Behani, N. A. Ei-Masry, F. G. Mcintosh, J. C. Roberts, K. S. Boutros and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 70, 461 (1997).
36. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
37. K. Kusakabe and K. Ohkawa, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 7931 (2005).
38. H. Masui, A. Chakraborty, B. A. Haskell, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. Denbaars, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L1329 (2005).
39. T. C. Wang, T. C. Lu, T. S. Ko, H. C. Kao, M. Yu, S. C. Wang, C. C. Chuo, Z. H. Lee, and H. G. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 251109 (2006).
40. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1992).
41. S. Nakamura, N. Iwasa, and M. Senoh, US patent NO. 5468687, 1995.
42. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).
43. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993).
44. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
45. S. Nakamura, T. Yamada, M. Senoh, M. Yamada and K. Bando, US patent NO. 5563422, 1996.
46. D. Kuo, and S. Hsu, US patent NO. 6515306, 2003.
47. N. Shibata, T. Uemura, J. Umezaki, T. Kozawa, M. Asai, T. Mori, and T. Ohwaki, US patent NO. 6008539, 1999.
48. T. Uemura, N. Shibata, S. Noiri, and S. Horiuchi, US patent NO. 6734468, 2004.
49. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1998).
50. K. K. Shih, J. K. Ho, C. C. Chiu and M. H. Hon, TW patent NO. 102019, 1997(filed).
51. I. Masayuki, and N. Koichi, Japan patent NO. 10-135519, 1997(filed).
52. J. K. Sheu, US patent NO. 6686610, 2004.
53. X. Guo and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 90, 4191 (2001).
54. J. E. Vinson, and J. J. Liou, Proceedings of the IEEE, Vol. 86, No. 2, pp. 399-420 (1998).
55. N. W. Cheung, T. D. Sands, and W. S. Wong, US patent NO. 6420242, 2002.
56. W. S. Wong, M. Kneissl, P. Mei, D. W. Treat, M. Teepe, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 78, 1198 (2001).
57. B. S. Tan, S. Yuan, and X. J. Kang, Appl. Phys. Lett. 84, 2757 (2004).
58. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. Denbaars, and S. Nakumura, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004)
Chapter 2
References
1. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 367 (1969).
4. H. M. Manasevit, F. Erdmann, and W. Simpson, J. Electrochem. Soc. 118, 1864 (1971).
5. H. Amano, N. Sawaki, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
6. S. Nakamura, Y. Harada, and M. Seno, Appl. Phys. Lett. 58, 2021 (1991).
7. Thomas Swan Co. Ltd Catalog of the 19x2” system.
8. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 1260 (1991).
9. J. E. Vinson, and J. J. Liou, Proceedings of the IEEE, Vol. 86, No. 2, pp. 399-420 (1998).
10. EOS/ESD Tutorial Notes, pp. F-1－F-11, Sept. 1993.
11. L. V. Roozendaal, A. Amerasekera, P. Bos, W. Baelde, F. Bontekoe, P. Kersten, E. Korma, P. Rommers, P. Krys, U. Weber, and P. Ashby, Proc. EOS/ESD Symp. EOS-12, 119 (1990).
12. A. Olney, Proc. EOS/ESD Symp. EOS-18, 62 (1996).
Chapter 3
References
1. S. Nakamura, T. Mukai and　M, Senoh, J. Appl. Phys., Vol. 76, No. 12, pp. 8189-8191 (1994).
2. S. Nakamura, M, Senoh and T. Mukai, Ipn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 32, No. 1A-B, pp. L8-L11 (1993).
3. S. J. Chang, C. H. Chen, P. C. Chang, Y. K. Su, P. C. Chen, Y. D. Jhou, H. Hung, C. M. Wang and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 50, No. 12, pp. 2567-2570, December (2003).
4. S. J. Chang, C. H. Chen, Y. K. Su, J. K. Sheu, W. C. Lai, J. M. Tsai, C. H. Liu, and S. C. Chen, IEEE Electron Device Letter, Vol. 24, No.3 (2003).
5. G. Meneghesso, S. Podda and M. Vanzi, Microelectronics Reliability, Vol. 41, No. 9-10, pp. 1609-1614, October (2001).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimuto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 2, pp. 211-213, January (1998).
7. K. Uchida, K. Nishida, M. Kondo and H. Munekata, J. Crystal Growth, Vol. 189-190, pp. 270-274, June (1998).
8. T. Kachi, K. Tomita, K. Itoh and H. Trando, Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 6, pp. 704-706, February (1998).
9. Y. B. Lee, T. Wang, Y. H. Liu, J. P. Ao, Y. Izumi, Y. Lacroix, H. D. Li, J. Bai, Y. Naoi and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 7A, pp. 4450-4453, July (2002).
10. S. E. Park, S. M. Lim, C. R. Lee, C. S. Kim and B. O, J. Crystal Growth, Vol. 249, pp. 487-497, March (2003).
11. S. Sakai, T. Wang, Y. Morishima and Y. Naoi, J. Crystal Growth, Vol. 221, pp. 334-33, December (2000).
12. C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, C. K. Wang, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai,J. M. Tsai, C. C. Lin, Solid State Electronics, Vol. 47, No, 11, pp. 2019-2022, November (2003).
13. R. C. Tu , C. C. Chuo, S. M. Pan, Y. M. Fan, C. E. Tsai, T. C. Wang, C. J. Tun, G. C. Chi, B. C. Lee and C. P. Lee, Appl. Phys. Lett., Vpl. 83, No. 17, pp.3608-3610, October (2003).
14. S. Haffouz, H. Lahreche, P. Vennegues, P. de Mierry, B. Beaumont, F. Omnes and P. Gibart, Appl. Phys. Lett., Vpl. 73, No. 9, pp. 1278-1280, August (1998)
15. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu and C. T. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 16, No. 6, pp. 1447-1449, June (2004).
16. L. W. Wu, S. J. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. P. Hsu, C. H. Kuo, W. C. Lai, T. C. Wen, J. M. Tsai and J. K. Sheu, Solid State Electron., Vol. 47, No. 11, pp. 2027-2030, November (2003).
17. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., Vol. 8, No. 2, pp. 278-283, Mar/Apr (2002).
18. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., Vol. 8, No. 4, pp. 744-748, July/August (2002).
19. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, H. Y. Lin and J. C. Ke, IEEE J. Quan. Electron., Vol. 39, No. 11, pp. 1439-1443, November (2003).
20. D. D. Koleske, A. J. Fischer, A. A. Allerman, C. C. Mitchell, K. C. Cross, S. R. Kurtz, J. J. Figiel, K. W. Fullmer and W. G. Breiland, Appl. Phys. Lett., Vol. 81, No. 11, pp. 1940-1942, September (2002).
21. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 38 No. 10, pp. 5735-5739 October (1999).
Chapter 4
References
1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett., Vol. 64, pp. 1687-1689 (1994).
2. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, pp. 5393-5408 (1997).
3. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., Vol. 8, pp. 278-283 (2002).
4. E. F. Schubert and J. K. Kim, Science, Vol. 308, pp. 1274-1278 (2005).
5. H. S. Kim, S. J. Park, H. S. Hwang and N. M. Park, Appl. Phys. Lett., Vol. 81, pp. 1326-1328 (2002).
6. X. Guo and E. F. Schubert, J. Appl. Phys., Vol. 90, p.p. 4191-4195 (2001).
7. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, H. Y. Lin and J. C. Ke, IEEE J. Quan. Electron., Vol. 39, pp. 1439-1443 (2003).
8. J. K. Sheu, G. C. Chi and M. J. Jou, IEEE Photon. Techol. Lett., Vol. 13, pp. 1164-1166 (2001).
9. S. J. Chang, C. H. Chen, P. C. Chang, Y. K. Su, P. C. Chen, Y. D. Jhou, H. Hung, C. M. Wang and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 50, pp. 2567-2570 (2003).
10. L. H. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett., Vol. 69, pp. 2701-2703 (1996).
11. T. Mukai, H. Narimatsu and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, pp. L479-L481 (1998).
12. H. X. Wang, N. Jiang, H. Hiraki, K. Nishimura, H. Sasaoka, A. Hiraki and S. Sakai, J. Crystal Growth, Vol. 270, pp. 57-61 (2004).
13. S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi and J. M. Tsai, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 24, pp. 212-214 (2003).
14. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., Vol. 8, pp. 744-748 (2002).
15. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, C. T. Lee, W. S. Chen, C. F. Shen, Y. P. Hsu, S. C. Shei and H. M. Lo, IEEE Tran. Adv. Packaging, Vol. 28, pp. 273-277 (2005).
Chapter 5
References
1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part2,Vol. 34, pp. L797-800 (1995).
2. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., Vol. 8, No. 4, pp. 744-748, July/August (2002)
3. T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 49, No. 6, pp. 1093-1095, June (2002).
4. W. C. Lai, S. J. Chang, M. Yokoyama, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, No. 6, pp. 559-561, June (2001).
5. L. H. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett., Vol. 69, pp. 2701-2703 (1996).
6. M. Shimizu, K. Hiramatsu and N. Sawaki, J. Cryst. Growth, Vol. 145, pp. 209-214 (1994).
7. S. Keller, B. Keller, D. Kapolnek, U. Mishra, S. DenBaars, I. Shmagin, R. Kolbas and S. Krishnankutty, J. Cryst. Growth, Vol. 170, pp. 349-354 (1997).
8. S. Kim, K. Lee, K. Park and C. S. Kim, J. Crystal Growth, Vol. 247, pp. 62-68 (2003).
9. W. Liu, S. J. Chua, X. H. Zhang and J. Zhang, Appl. Phys. Lett., Vol. 86, No. 5, pp. 914-916 (2003).
10. Y. H. Cho, C. W. Son, J. Y. Kim, B. M. Kim, W. S. Lee, S. N. Lee, J. K. Son, O. H. Nam and Y. J. Park, J. Korean Phys. Soc., Vol. 44, No. 4, pp. L792-L795 (2004).
11. L. W. Wu, S. J. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, T. C. Wen, C. H. Kuo, W. C. Lai, C. S. Chang, J. M. Tsai and J. K. Sheu, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 50, No. 8, pp. 1766-1770, August (2003).
12. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., Vol. 8, No. 2, pp. 278-283, Mar/Apr (2002).
13. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., Vol. 8, No. 2, pp. 284-288, Mar/Apr (2002).
14. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 23, No. 3, pp. 130-132, March (2002).
15. T. Akasaka, H. Gotoh, T. Saito and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett., Vol. 85, pp. 3089-3091 (2004).
16. S. Nakamura and M. Senoh, , Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol.34, pp. L1332-L1335 (1995).
17. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., Vol. 8, pp. 278-283 (2002).
18. E. F. Schubert and J. K. Kim, Science, Vol. 308, pp. 1274-1278 (2005).
19. Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo and S. C. Wang, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 18, pp. 1152-1154 (2006).
20. W. H. Lan, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 52, pp. 1217-1219 (2005).
21. W. K. Wang, D. S. Wuu, S. H. Lin, P. Han, R. H. Horng, T. C. Hsu, D. T. C. Huo, M. J. Jou, Y. H. Yu and A. K. Lin, IEEE J. Quan. Electron., Vol. 41, pp. 1403-1409 (2005)
22. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 38, pp. L226-L229 (1999).
23. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 16, pp. 1718-1720 (2004).
24. S. J. Chang, T. K. Ko, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. C. Lin, W. S. Chen and C. F. Shen, IEEE Sensors Journal, Vol. 6, pp. 406-411 (2006).
25. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., Vol. 8, pp. 744-748 (2002).
26. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, pp. 5393-5408 (1997).
27. S. A. Levetas and M. J. Godfrey, Phys. Rev. B, Vol. 59, pp. 10202-10207 (1999).
28. P. W. M. Blom, C. Smith, J. E. M. Haverkort and J. H. Wolter, Phys. Rev. B, Vol. 47, pp. 2072-2081 (1993).
29. S. D. Lester, M. J. Ludowise, Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller and S. J. Rosner, J. Cryst. Growth, Vol. 189, pp. 786-789 (1998).
30. Y. T. Rebane, Y. G. Shreter, B. S. Yavich, V. E. Bougrov, S. I. Stepanov and W. N. Wang, Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 180, pp. 121-126 (2000).
31. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 23, pp. 130-132 (2002).
32. T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 49, pp. 1093-1095 (2002).
33. S. J. Chang, S. C. Wei, Y. K. Su, R. W. Chuang, S. M. Chen and Li, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 17, pp. 1806-1808 (2005)
34. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu and C. T. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 16, pp. 1447-1449 (2004)
35. M. C. Johnson, Z. Liliental-Weber, D. N. Zakharov, D. E. McCready, R. J. Jorgenson, J. Wu, W. Shan and E. D. Bourret-Courchesne, J. Electron. Mater., Vol. 34, pp. 605-611 (2005).
36. D. I. FlorescuI, S. M. Ting, J. C. Ramer, D. S. Lee, V. N. Merai, A. Parkeh, D. Lu, E. A. Armour and L. Chernyak, Appl. Phys. Lett., Vol 83, pp. 33-35 (2003).
37. X. A. Cao, J. M. Teetsov, M. P. D`Evylen, D. W. Marfeld and C. H. Yan, Appl. Phys. Lett., Vol. 85, pp. 7-9 (2004).
38. Y. K. Su, S. J. Chang, S. C. Wei, S. M. Chen and W. L. Li, IEEE Tran. Dev. Mater. Reliability, Vol. 5, pp. 277-281 (2005).
39. T. C. Wen, S. J. Chang, C. T. Lee, W. C. Lai and J. K. Sheu, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 51, pp. 1743-1746 (2004).
Chapter 6
References
1. S. Nakamura, T. Mukai and　M, Senoh. J. Appl. Phys., Vol. 76, No. 12, pp. 8189-8191 (1994).
2. S. Nakamura, M, Senoh and T. Mukai, Ipn. J. Appl. Phys. Lett., Vol. 32, No. 1A-B, pp. L8-L11 (1993).
3. S. J. Chang, C. H. Chen, P. C. Chang, Y. K. Su, P. C. Chen, Y. D. Jhou, H. Hung, C. M. Wang and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev., Vol. 50, No. 12, pp. 2567-2570, December (2003).
4. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Kuo and Y. C. Lin, IEEE Photo. Technol. Lett., Vol. 14, No. 7, pp. 908-910 (2002).
5. S. P. Sim, M. J. Robertson and R. G. Plumb, J. Appl. Phys., Vol. 55, pp. 3960-3955 (1984)..
6. T. Inoue,”Light-Emitting Devices” (in Japanese), Japanese Patent H11-040 848 (1999).
7. S. J. Chang, C. H. Chen, Y. K. Su, J. K. Sheu, W. C. Lai, J. M. Tsai, C. H. Liu, and S. C. Chen, IEEE Electron Device Letter, Vol. 24, No.3 (2003).
8. G. Meneghesso, S. Podda and M. Vanzi, Microelectronics Reliability, Vol. 41, No. 9-10, pp. 1609-1614, OCtober (2001).
9. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu and C. T. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 16, No. 6, pp. 1447-1449, June (2004).
10. L. W. Wu, S. J. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. P. Hsu, C. H. Kuo, W. C. Lai, T. C. Wen, J. M. Tsai and J. K. Sheu, Solid State Electron., Vol. 47, No. 11, pp. 2027-2030, November (2003).
11. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Selected topics in Quan. Electron., Vol. 8, No. 2, pp. 278-283, Mar/Apr (2002).
12. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron., Vol. 8, No. 4, pp. 744-748, July/August (2002).
13. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, H. Y. Lin and J. C. Ke, IEEE J. Quan. Electron., Vol. 39, No. 11, pp. 1439-1443, November (2003).
14. X. A. Cao, J. M. Teetsov, M. P. D`Evylen, D. W. Marfeld and C. H. Yan, Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 1, pp. 7-9, July (2004).

校內：立即公開
校外：2007-05-31公開

簡易檢索 / 詳目顯示

相關論文