本實驗以射頻磁控濺鍍法（RF Magnetron Sputter）來成長銦錫氧化物（ITO）透明導電膜於P型氮化鎵（p-GaN），利用傳輸線模型（TLM）研究其在P型氮化鎵（p-GaN）上的歐姆接觸特性，並濺鍍於雙拋藍寶石（Sapphire）基板上對其光電特性進行分析且將此薄膜成長在氮化鎵藍色發光二極體（LED）上與傳統以電子束（E-beam）蒸鍍之ITO相互比較，探討其光電特性差異。
　　實驗中，利用改變了製程的手法，獲得使用濺鍍成長的ITO薄膜與p-GaN能形成歐姆接觸的條件，而能形成歐姆接觸的原因是因為改變了ITO與p-GaN的接面，沉積的ITO薄膜使得p-GaN表面不會受到電漿的傷害，解決以往使用濺鍍成長導電薄膜無法與p-GaN有歐姆接觸的問題。使用濺鍍功率80W成長的ITO薄膜，經高溫爐管在氮氣環境中600℃熱處理5分鐘，與p-GaN得到最佳的特徵接觸電阻（ρc）為1.2×10-2 Ω-cm2，且穿透率於可見光波段380 nm~700 nm高於90%。
　　將ITO薄膜成長在氮化鎵藍色發光二極體上與E-beam蒸鍍之ITO相互比較光電特性發現，經600℃熱處理5分鐘後，使用Sputter成長的ITO薄膜體電阻率平均為3.75×10-4 Ω-cm，E-beam成長的ITO薄膜體電阻率為7.52×10-4 Ω-cm，Sputter成長的ITO薄膜所得到的特徵接觸電阻為1.44×10-2 Ω-cm2，E-beam成長的ITO薄膜特徵接觸電阻為2.20×10-2 Ω-cm2。應用於LED時，在20 mA注入時，使用Sputter ITO的LED其順向導通電壓（Vf）為3.23 V，串聯電阻為10.29 Ω，E-beam ITO的LED Vf為3.33 V，串聯電阻為13.73 Ω。順向導通電壓（Vf）降低了0.1 V，而串聯電阻降低了3.44 Ω。因為Sputter成長的ITO有較低的片電阻率，所以有較佳的電流散佈（Current spreading）效果，能減少LED因為電流聚集效應所降低的光輸出，在300 mA的電流注入下，S3000 LED光輸出功率為27.13 mW比E3000 LED光輸出功率22.80 mW，多了4.33 mW，增加約19%。
　　本實驗成功將濺鍍法成長的ITO透明導電層應用於氮化鎵發光二極體上，解決了電漿對p-GaN表面的傷害，而成功的使ITO與p-GaN有良好的歐姆接觸特性，且有更好的電流散佈。因此，證明了使用濺鍍法成長ITO於LED上的製程，足以取代以往的電子束蒸鍍。

　In this experiment, transparent and conductive indium tin oxide (ITO) film were deposited on p-GaN and sapphire by the rf magnetron sputter system. Investigation of ohmic contact between ITO on p-type GaN determined by the transmission line model (TLM), and discussed optoelectronic characteristics of ITO on Sapphire. We had compared the ITO films on nitride-based light emitting diodes by sputtering and electron beam evaporation.
　We had demonstrated the ITO film as ohmic contacts on p-type GaN by sputtering. The ITO contact on p-GaN was an ohmic property after heat treatment process at an alloying temperature of 600℃ for 5min in nitrogen ambient. The lowest specific contact resistance of ITO contact on p-GaN was 1.2×10-2 Ω-cm2. And the ITO films showed high transmittance（>90%）in the visible wavelength range.
GaN-based LEDs with Sputter ITO and E-beam ITO contact layers were fabricated for the optoelectronic characteristics study. The forward voltage was 3.23 V and 3.33 V for the LEDs with Sputter ITO and E-beam ITO contact layer under 20 mA current injection, respectively. The forward voltage of the LED with E-beam ITO contact layer was higher 0.1 V than the LED with Sputter ITO contact under 20 mA current injection. The series resistance was 10.29 Ω and 13.73 Ω for the LEDs with Sputter ITO and E-beam ITO contact layer, respectively. The LED with Sputter ITO had lower sheet resistance and better current spreading than with E-beam ITO contact layer. The output power was 27.13 mW and 22.80 mW for the LEDs with Sputter ITO and E-beam ITO contact layer under 300 mA current injection, respectively. However, the light output power of the LED with Sputter ITO contact layer was larger 19% than the LED with E-beam ITO contact under 300 mA current injection.
　These results revealed that the ITO deposited by the rf magnetron sputter system was better than electron beam evaporation system for on LED fabrication process.

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