本研究以氮化鎵半導體材料為核心，並依研究主題而分為兩大部份，氮化銦鎵薄膜層中之深層缺陷與氮化鎵系列材料之光電元件的研製。
首先，在氮化銦鎵中之深層缺陷的實驗當中，我們以持續性的光導電性法量測出不同銦含量所導致深層能階的特性。隨著銦含量的增加，半隱態能階的位障會同時上升，因此直接的影響了此材料的光導電性。另外，我們也利用相同的量測方式，來探討在不同回火溫度對此低溫成長氮化銦鎵薄膜中的半隱態能階的改變。由實驗結果中我們可以發現，當回火溫度高於攝氏九百度後，銦消失所造成的空缺將成為主宰半隱態能階的主要因子。
在光電半導體元件之中，我們使用不同的主動層結構與不同的製程參數來製作氮化鎵系列材料之光檢測器與發光二極體。光檢測器的研究中我們發現，提高主動層上所覆蓋之低溫成長層的能帶能有效的增加其電阻值與Schottky位障，進而降底以缺陷為傳輸路徑的漏電流。同時，由於此覆蓋層的能帶提高，其對入射光的吸收現象也可以被減小。利用此一蓋念，我們進而以部份蝕刻的方式，去除電極以外的覆蓋層以更進一步的削除其對入射光的吸收，並同時保有其降低漏電流的特性。此外，我們也成功的製作出以四元氮化鋁銦鎵為主動層的紫外光檢測器，並且利用覆蓋不同的絕緣層來改善其元件光電特性。
另外，我們也提出在氮化鎵發光二極體中，以摻雜矽於多重量子井中之barrier層來改善其結晶品質進而提升元件特性。從結晶結構量測與光電特性量測數據中，此一方法能有效的降低於低注入狀態時，載子進入主動層的數量，並且由於多重量子井介面之缺陷能有效的被降低，因此元件可靠度也能同時被提升。最後，我們在發光二極體中，利用p型鎵化銦鎵所形成的二維電洞氣層來增加第一量子井中，電洞的數目。從光電特性分析中，此一結構能有效的增加在導通時，電洞的注入，進而改善發光二極體的導通電壓與發光強度。

This research is focused on GaN-related semiconductor materials and could be separated to two parts, metastable defect levels within InGaN epilayers and GaN-based optoelectronic devices.
First of all, we utilized Persistent photocoductivity measurement to verify the characteristics of metastable defect levels within InGaN epilayers. From the experimental results, the capture barrier of In cluster induce-deep levels tends to enlarge with increasing In composition. Future more, the metastable properties of samples treated by different annealing temperatures were also compared. We could clearly find out the dominated mechanism changes after the sample was annealed under temperature higher than 900 degree C that was resulted from vanished In-induced vacancies.
In the experiments of optoelectronic devices, different active layer structures and semiconductor processes were used to fabricate ultraviolet photodetectors and LEDs.
Low temperature-grown cap layer had been proved to be useful to improve the performance of photodetectors owing to its high resistive and Schottky barrier height properties in metal-semiconductor interface. In this research, we grown different cap layers such as LT-AlGaN and LT-AlN to compare their properties on photodetectors since we found out device characteristics could be enhanced by increasing the bandgap of cap layer. Nevertheless, to maintain the ability of blocking leakage current while get rid of absorption of incident light of low temperature-grown cap layer, recess etched technique was utilized and it revealed a good improvement on device performances. In addition, quaternary AlInGaN layer was used to be the active layer of photodetectors and different processes were applied to improve optoelectronic properties.
In the experiments of InGaN/GaN MQW LEDs, Si-doping barrier and two dimensional hole gas structures were used to improve device performance. It was shown that introducing Si doping in barriers with MQW layers could significantly suppress defects at InGaN/GaN interface and result in better crystal quality. To increase the injection of holes, 2DHG structures were practically fabricated by inserting a p-InGaN layer within p-type GaN contact layer in LEDs. It was proved that hole injection ability could be increased and properties such as turn on voltage and light output power would be improved simultaneously.

Chapter 1
[1] D. X. Wang and I. T. Ferguson, Applied Optics, Vol. 46, 4763 (2007)
[2] A. Dadgar, C. Hums, A. Diez, J. Blasing and A. Krost, Journal of Crystal Growth, Vol. 297, 279 (2006)
[3] S. Shihkonen, O. Svensk, T. Lang, H. Lipsanen, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bougrov, Journal of Crystal Growth, Vol. 298, 740, (2007)
[4] D. Ciplys, M. S. Shur, R. Rimeika, J. Sinius, R. Gaska, Yu. Blienko and Q. Fareed, Electronics Lett., Vol. 42, 1254 (2006)
[5] W. S. Chn, S. C. Shei, S. J. Chang, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kou, Y. C. Lin, C. S. Chang, T. K. Ko, Y. P. Hsu and C. F. Shen, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 53, 32 (2006)
[6] J. Ohsawa, T. Kozawa, O. Ishiguro, H. Itoh, Jpn. J of Appl. Phys., Vol. 45, 24, (2006)
[7] J. C. Lin, Y. K. Su, S. J. Chang, W. H. Lan, K. C. Huang, W. R. Chen, C. Y. Huang, W. C. Lai, W. J. Lin and Y. C. Cheng, Appl. Phys. Lett., Vol. 91, 173502 (2007)
[8] S. J. Chang, C. L. Yu, R. W. Chuang, P. C. Chang, Y. C. Lin, Y. W. Jhan and C. H. Chen, IEEE Sensor Journal, Vol. 6, 1045 (2006)
[9] Lee, M. L and J. K. Sheu, Journal of Electrochemical Society, Vol. 154, H182, (2007)
[10] H. W. Huang, J. T. Chu, C. C. Kao, T. H. Hseuh, T. C. Lu. H. C. Kuo, S. C. Wang, C. C. Yu and S. Y. Kuo, Jpn, J. Appl. Lett. Vol. 45, 3442, (2006)
[11] S. N. Lee, T. Jang, J. K. Son, H. S. Paek, T. Sakong, O. H. Nam and Y. Park, Journal of Crystal Growth, Vol. 287, 554 (2006)
[12] C. C. Kao, H. C. Kuo, K. F. Yeh, J. T. Chu, W. L. Peng, H. W. Huang, T. C. Lu and S. C. Wang, IEEE Photonics Technology Lett. Vol. 19, 849 (2007)
[13] T. Inoue, T. Nakayama, Y. Ando, M. Kosaki, H. Miwa, K. Hirata, T. Uemura and H. Miyamoto, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 55, 483 (2008)
[14] D. Greguova, R. Stoklas, K. Io, T. Lalinsky and P. Kordo, Semiconductor Science and Technology, Vol. 22, 947 (2007)
[15] S. J. Hong and K. Kim, Appl. Phys. Lett., Vol. 89, 042101, (2006)
[16] S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. Vol. 64, 1687 (1994)
[17] I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36, 5393, (1997)
[18] I. Petrov, E. Mojab, R. C. Powell and J. E. Greene, Appl. Phys. Lett., Vol. 60, 2491 (1992)
[19] K. Wan, A. A. Porporati, G. Feng, H. Yang and G. Pezzotti, Appl. Phys. Lett., Vol. 88, 25190 (2006)
[20] Y. Matsuo, Y. Kangawa, R. Togashi, K. Kakimoto and A. Koukitu, Journal of Crystal Growth, Vol. 300, 33 (2007)
[21]L. Wang, U. Xeimer, E. Richter, C. Hennig, M. Herms and M. Weyers, Phys. Status Solidi (A), Vol. 203, 1663 (2006)
[22] J. Brault, S. Tanaka, E. Sariginannidou, J. L. Rouviere, B. Daudin and H. Nakagawa, J. Appl. Phys., Vol. 93, 3108 (2002)
[23] H-E. Nillson, A. Martinez, E. Ghillino, U. Sannemo, El Bellotti and M. Goano, J. Appl. Phys., Vol. 90, 2847 (2001)
[24] R. C. Powell, G. A. Tomasch, Y. W. Kim, J. A. Thornton and J. E. Greene, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 162, 525 (1990)
[25] D. B. Li, X. Dong, J. Hugan, X. Liu, Z. Xu, Z. Zhang and Z. Wang, Appl. Phys. A, Vol. 80, 649 (2005)
[26] X. Z. Dang, C. D. Wang, E. T. Yu, K. S. Boutros and J. M Redwing, Appl. Phys. Lett. Vol.72, No.21, 2745 (2001)
[27] C. H. Chen, D. R. Hang, W. H. Chen, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. Vol.82, 1884 (2003)
[28] C. Johnson, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. Vol.68, 1808 (1996)
[29] H. C. Yang, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. Vol. 78, 338 (2001)
[30] K. C. Zeng, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, A. Salavador, G. Popovici, H. Tang, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. Vol.71, 1368 (1997)
[31] T. Deguchi, A. Shikanai, K. Torii, and T. Sota, S. Chichibu, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. Vo.72, 3329 (1998)
[32] C. V. Reddy, K. Balakrishnan, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. Vol.73, 244 (1998)
[33] J. Z. Li, J. Y. Lin, and H.X. Jiang, J. F. Geisz and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. Vol. 75, 1899 (1999)
[34] J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. Vol. 82, 1227 (1997)
[35] D. Redfield and R. H. Bube, Cambridge Pr. Camibridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering 4, 4 (1995)
[36] C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and L. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Vol 39, 387 (2000)
[37] A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. W. Lim, M. Z. Anwar, M. A. Khan, D. V. Kuksenkov and H. Temkin, Appl. Phys. Lett., Vol. 72, 742 (1998)
[38] T. Li, D. J. H. Lambert, A. L. Beck, C. J. Collins, B. Yang, M. M. Wong, U. Chowdhury, R. D. Dupuis and J. C. Campbell, Electron. Lett., Vol. 36, 1581 (2000)
[39] P. A. Grudowski, C. J. Eiting, J. Park, B. S. Shelton, D. J. H. Lamber and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. Vol. 71, 1537 (1997)
[40] J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang and Y. K. Su, J. Appl. Phys. Vol. 91, 1845 (2002)
[41] S. Bindnyk, T. J. Schmidt, Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. J.Song, S. Keller, U. K. Mishra and S. P. DenBarrs, Appl Phys. Lett. Vol. 72, 1623 (1998)
[42] C. S. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Kou, W. C. Lai, Y. P. Hsu, S. C. Shei, J. M. Tsai, H. M. Lo, J. C. Ke and J. K. Sheu, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 50, 2208 (2003)
[43] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and T. M. Tsai, IEEE J. Selec. Topic in Quant. Electron., Vol. 8, 744 (2002)

Chapter2
[1] R. H. Bube, J. Appl. Phys. Vol. 74, 5138 (1993)
[2] D. V. Lang and R. Logan, Phys. Rev. Lett., Vol 39, 635 (1977)
[3] Y. C. Lee, G. W. Shu, W. C. Chou, J. L. Shen and W. Y. Uen, Solid State Communications, Vol. 123, 421 (2002)
[4] C. Johnson, J. Y. Lin H. X. Jiang, M. Asif Khan and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett., Vol. 68 (1996)
[5] J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys., Vol. 82, 1227 (1997)
[6] J. Y. Lin, A. Dissanayake, G. Brown, and H. X. Jiang, Phys. Rev. B, Vol. 42, 5855(1990)
[7] E Monroy, F Omn`es and F Calle , Semicond. Sci. Technol. Vol. 184, 33 (2003)
[8] M. Fukuda, Wiley Interscience, 30 (1999)
[9] A. G. Milines and D. L. Feucht, “Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions”, Academic Press, New York (1972)
[10] H.Iwamura, H.Kobayashi, and H. Okamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 23, 795 (1984)
[11] C. H. Henry, R. A. Logan, and F. R. Merritt, Appl. Phys. Lett., Vol. 31,454 (1977)
[12] G. Leistiko Jr. and C. A. Bittman, Solid State Electron., Vol. 16, 1321 (1973.)
[13] M. yano, H. Nishi, and M. Tkusagawa, J. Appl. Phys., Vol. 51, 4022 (1980)
[13] D. Walker, X. Zhang, A. Saxler, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. , Vol. 70, 949 (1997)
[14] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett., Vol. 64, 1687 (1994)
[15] S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 1620 (1991)
[16] M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett., Vol. 72, 350 (1998.)

Chapter3
[1] S. Nakamura and G. Fasol, Berlin, Germany: Springer-Verlag (1997).
[2] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett. Vol. 67, 1868 (1995)
[3] L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, J. F. Chen, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen, and J. K. Sheu, IEEE J. Quantum. Electronics., Vol. 38, 446 (2002).
[4] S. Nakamura, M Senoh, S. I. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M.Sano and K.l Choucho, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, 309 (1998).
[5] X. Z. Dang, C. D. Wang, E. T. Yu, K. S. Boutros and J. M Redwing, Appl. Phys. Lett. , Vol. 72, 2745 (2001)
[6] C. H. Chen, D. R. Hang, W. H. Chen, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. Vol. 82, 1884 (2003)
[7] C. Johnson, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett., Vol. 68, 1808 (1996).
[8] H. C. Yang, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett., Vol. 78, 338 (2001)
[9] K. C. Zeng, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, A. Salavador, G. Popovici, H. Tang, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett., Vol. 71, 1368 (1997)
[10] T. Deguchi, A. Shikanai, K. Torii, and T. Sota, S. Chichibu, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., Vo. 72, 3329 (1998).
[11] C. V. Reddy, K. Balakrishnan, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett., Vol. 73, 244 (1998).
[12] N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett., Vol. 68, 43 (1991)
[13] J. Z. Li, J. Y. Lin, and H.X. Jiang, J. F. Geisz and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett., Vol. 75, 1899 (1999).
[14] J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys., Vol. 82, 1227 (1997)
[15] Y. C. Lee, G. W. Shu, W. C. Chou, J. L. Shen, W. Y. Uen, Solid State Commun., Vol. 123, 421 (2002)
[16] Y. F. Chen, S. F. Huang, and W. S. Chen, Phys. Rev. B, Vol. 44, 12478 (1991)
[17] J. Y. Lin, A. Dissanayake, and H. X. Jiang, Solid State Commun., Vol. 87, 787 (1993).
[18] J. Y. Lin, A. Dissanayake, G. Brown, and H. X. Jiang, Phys. Rev. B, Vol. 42, 5855(1990).
[19] A. Dissanayake, S. X. Huang, H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Phys. Rev. B, Vol. 44, 13343(1991).
[20] D. Redfield and R. H. Bube, Appl phs. Lett., Vol. 54, 1037 (1989)
[21] M. C. Y. Chang, K. O. Tsang, E. H, Li and S. P. DenBaars, MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, Vol. 4, 6d (1999)
[22]L. T. Romano, M. D. McCluskey, B. S. Krusor, D. P. Bour, C. Chua, S. Brennan and K. M. Yu, J. Crystal Growth, Vol. 189, 38 (1998)
[23] S. W. Feng, E. C. Lin, T. Y. Tang, Y. C. Cheng, H. C. Wang and C. C. Yang, Appl. Phys. Lett., Vol. 83,3906 (2003)
[24] Y. C. Lee, G. W. Shu, W. C. Chou, J. L. Shen and W. Y. Uen, Solid State Commun., Vol. 123, 421 (2002)
[25] D. Redfield and R. H. Bube, “Photoinduced Defects in Semiconductors”, Cambridge Univ. Pr., (2006).

Chapter4
[1] A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. Vol. 71, 2334 (1997)
[2] J. C. Lin, Y. K. Su, S. J. Chang, W. H. Lan, K. C. Huang, W. R. Chen, C. Y. Huang, W. C. Lai, W. J. Lin and Y. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. Vol. 91, 173502 (2007)
[3] T. K. Ko, S. C. Shei, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, C. K. Wang, J. K. Sheu and W. C. Lai, IEEE Sens. J. Vol. 6, 964 (2006)
[4] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13, 848 (2001)
[5] R. W. Chuang, S. P. Chang, S. J. Chang, Y. Z. Chiou, C. Y. Lu, T. K. Lin, Y. C. Lin, C. F. Kou and H. M. Chang, J. Appl. Phys., Vol. 102, 073110 (2007)
[6] J. Han , K. E. Waldrip, S. R. Lee, J. J. Fiqiel, S. J. Hearne, G. A. Petersen and S. M. Mvers, Appl. Phys. Lett. Vol. 78 1, 67-69 (2001)
[7] F. G. McIntosh, J. C. Roberts, M. E. Aumer, V. A. Joshkin, S. M. Bedair, and N. A. El-Masry, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.1, 43 (1996)
[8] M. Ashif Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska, M. S. Shur and Hans-Conard zur Loye, Appl. Phys. Lett. Vol. 76, 1161 (2000)
[9] J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, . R, Chen and J. J. Kai, J. Appl. Phys. Vol. 86, 4491 (1999)
[10] T. Maeda, Y. Koide and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. Vol. 75, 4145 (1999)
[11] P. C. Chang et al., ”AlGaN/GaN MSM photodetectors with photo-CVD annealed Ni/Au semi-transparent contacts,” Semicond. Sci. Technol. Vol. 19 12, 1354 (2004)
[12] P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, B. R. Huang and P. C. Chen, Thin Solid Films Vol. 498, 1336 (2006)
[13] P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, B. R. Huang and P. C. Chen, ,” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 43, 2008 (2004)
[14] J. K. Sheu, M. L. Lee and W. C. Lai, Appl. Phys. Lett., Vol. 86, 052103 (2005)
[15] M. L. Lee, J. K. Sheu and S. W. Lin、 Appl. Phys. Lett., Vol. 88, 032103 (2006)
[16] T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, C. S. Chang, Y. C. Lin, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. S. Chen and C. F. Shen, Journal of Crystal Growth, Vol. 283, 68 (2005)
[17] E. G Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. , Vol. 74, 2367 (1999)
[18] M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys., Vol. 79, 7433 (1996)
[19] M. Mikulics, M. Marso, P. Javorka, P. Kordos and H. Luth, Appl. Phys. Lett. , Vol. 86, 211110 (2005)
[20] T. Palacios, E. Monroy, F. Calle and F. Omne`s, Appl. Phys. Lett. , Vol. 81, 1902 (2002)
[21] E. Monroy, F. Calle and E Munoz, Appl. Phys. Lett. , Vol. 74, 3401 (1999)
[22] J. L. Pau, C. Rivera, E. Munoz, E. Calleja, U. Schuhle, E. Frayssinet, B. Beaumont, J. P. Faurie and P. Gibart, J. Appl. Phys. , Vol. 95, 8275 (2004)
[23] J. C. Carrano, T Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. , Vol. 83, 6148 (1998)
[24] S. Tomiya, T. Hino, S. Goto, M. Takeya and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Topic Quan. Electron. , Vol. 10, 1277 (2004)
[25] D. Walker, E. Monroy, P. Kung, J. Wu, M. Hamilton, F. J. Sanchez, J. Diaz and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. , Vol. 74, 762 (1999)
[26] D. Cherns, S. L. Sahonta, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. , Vol. 85, 4923 (2004)
[27] A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki and D. Chems, Appl. Phys. Lett. , Vol. 82, 349 (2003)
[28] M. L. Lee, J. K. Sheu, Y. K. Su, S. J. Chang, W. C. Lai and G. C. Chi, IEEE Electron Dev. Lett. , Vol. 25, 593 (2004)
[29] M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, S. J. Chang, Y. K. Su, M. G. Chen, C. J. Kao, G. C. Chi and J. M. Tsai, Appl. Phys. Lett. , Vol. 82, 2913 (2003)
[30] S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi and J. M. Tsai, IEEE Electron. Dev. Lett. , Vol. 24, 212 (2003)
[31] S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu and C. T. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett. , Vol. 16, 1447(2004)
[32] S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, H. Y. Lin and J. C. Ke, IEEE J. Quan. Electron. , Vol. 39 1439 (2003)
[33] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. Vol. 8, (2002) 278
[34] O. M. Nayfeh, S. Rao, A. Smith, J. Therrien, and M. H. Nayfeh, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 16 (2004) 1927
[35] See Newport website on “www.newport.com”.

Chapter5
[1] S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. Vol. 64, 1687 (1994)
[2] I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys. Vol 36, 5393 (1997)
[3] S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. Vol. 8, 278 (2002)
[4] S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quan. Electron. Vol. 8, 744 (2002)
[5] I. A. Pope, P. M. Smowton, P. Blood, J. D. Thomson, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. Vol. 82, 2755 (2003)
[6] E. F. Schubert and J. K. Kim, Science Vol. 308, 1274 (2005)
[7] S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber. T. Suski, J. W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E. R. Weber, H. Amano and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. Vol. 69, 99 (1996)
[8] E. F. Schubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. Vol. 71, 921 (1996)
[9] P. A. Grudowski, C. J. Eiting, J. Park, B. S. Shelton, D. J. H. Lamber and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. Vol. 71, 1537 (1997)
[10] J. K. Sheu, C. J. Tun, M. S. Tsai, C. C. Lee, G. C. Chi, S. J. Chang and Y. K. Su, J. Appl. Phys. Vol. 91, 1845 (2002)
[11] S. Bindnyk, T. J. Schmidt, Y. H. Cho, G. H. Gainer, J. J.Song, S. Keller, U. K. Mishra and S. P. DenBarrs, Appl Phys. Lett. Vol. 72, 1623 (1998)
[12] S. Salvador, G. Liu, W. Kim, P. Aktas, A. Botchkarev and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. Vol. 67, 3322 (1995)
[13] L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen and J. K. Sheu, IEEE J. Quan. Electron. Vol. 38, 446 (2002)
[14] K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, G. Popovicic, H. Tang, W. Kim and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. Vol. 71, 1368 (1997)
[15] S. J. Chang, C. H. Chen, P. C. Chang, Y. K. Su, P. C. Chen, Y. D. Jhou, H. Hung, C. M. Wang and B. R. Huang, IEEE Tran. Electron. Dev. Vol. 50, 2567 (2003)
[16] S. J. Chang, M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, C. S. Chang, C. J. Kao, G. C. Chi and J. M. Tsai, IEEE Electron. Dev. Lett. Vol. 24, 212 (2003)
[17] S. J. Chang, C. H. Chen, Y. K. Su, J. K. Sheu, W. C. Lai, J. M. Tsai, C. H. Liu and S. C. Chen, IEEE Electron. Dev. Lett. Vol. 24, 129 (2003)
[18] S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu and C. T. Lee, IEEE Photon. Technol. Lett. Vol. 16, 1447 (2004)
[19] E. Alekseev and D. Pavlidis, Solid-State Electron. Vol. 44, 245 (2000)
[20] V. F. Mymrin, K. A. Ulashevich, N. I. Podolskaya, I. A. Zhmakin, S. Yu. Karpov and Y. N. Makarov, Phys. Stat. Sol. C Vol. 2, 2928 (2005)
[21] L. T. Romano, C. G. Van de Walle, J. W. Ager III, W. Götz and R. S. Kern, J. Appl. Phys. Vol. 87, 7745 (2000)
[22] E. Zielińska-Rohozińska, M. Regulska, V.S. Harutyunyan, K. Pakuła and J. Borowski, Mat. Sci. Eng. B-Solid. Vol. 91, 441 (2002)
[23] T. L. Tsai, C. S. Chang, T. P. Chen and K. H. Huang, Phys. Stat. Sol. C, Vol. 1, 263 (2002)
[24] P. Perlin, M. Osinski, P. G. Eliseev, V. A. Smagley, J. Mu, M. Banas and P. Sartori, Appl. Phys. Lett. Vol. 69, 1680 (1996)
[25] I. Martil, E. Redondo and Ojeda, Appl. Phys. Lett. Vol. 81, 2442 (1997)
[26] X. A. Cao, E. B. stokes, P. M. Sandvik, S. F. Leboeuf, J. Kretchmer and D. Walker, IEEE Electron. Dev. Lett. Vol. 23, 535 (2002)
[27] A. Chitnis, A. Kurmar, M. Shatalov, V. Adivarahan, A. Lunev, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. Vol. 77, 3800 (2000).
[28] J. M. Shah, Y. L. Li, T. Gessmann and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. Vol. 94, 2627 (2003)
[29] C. K. Choi, Y. H. Kwon, B. D. Little, G. H. Gainer, J. J. Song, Y. C. Chang, S. Keller, U. K. Mishra and S. P. DenBaars, Phys. Rev. B. Vol. 64, 245339 (2001)
[30] P. Kozodoy, Y. P. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, A. W. Saxler, R. Perrin and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. Vol. 75, 2444 (1999)
[31] O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, A Mitchell and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. Vol. 87, 334 (2000)