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研究生：	王興焜 Wang, Shing-Kuen
論文名稱：	F(1s)邊界能量光子引發吸附在Si(111)-77之CF2Cl2分子的光解作用研究 Photolysis Study of CF2Cl2 Adsorbed on Si(111)-77 Using Photons Near F(1s) Edge
指導教授：	溫清榕 Wen, Ching-Rung
學位類別：	碩士 Master
系所名稱：	理學院 - 物理學系 Department of Physics
論文出版年：	2004
畢業學年度：	92
語文別：	中文
論文頁數：	79
中文關鍵詞：	光解、歐傑過程、光子激發脫附譜、光電子能譜
外文關鍵詞：	Photon Stimulated Desorption, Photoemission, Si(111)-7*7, Auger, CF2Cl2, photolysis
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　　本實驗以光電子能譜及氟正離子光子激發脫附譜技術研究吸附在溫度為30K的Si(111)-7×7表面的CF2Cl2分子。我們主要在探討此氣體分子吸附在Si表面上，是以何種形態吸附的，以及當它受光子激發後所產生的光解作用(photolysis)與脫附機制。我們從光電子能譜中發現此分子是以分子性的物理吸附在Si表面上的。用不同能量的光子照射在次單層CF2Cl2吸附的Si表面上時，皆顯示吸附的CF2Cl2分子具有很高的光解截面。從測得的一系列之F+離子PSD譜中，我們發現不論是次單層或多層之CF2Cl2分子吸附的Si表面，在剛開始照光時，F+離子脫附的機制是經由入射光子直接激發分子導致C-F斷鍵，且資料顯示出在光解過程中F+離子信號隨光子能量變化的情形，而在更高光子曝露量時，可得到幾乎完全光解之表面，此時F+離子脫附機制則是經由光子激發SiF之F(1s)核層電子導致Si-F斷鍵。

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摘 要............................................Ⅰ
誌 謝............................................II
目 錄...........................................III
表目錄...........................................VI
圖目錄..........................................VII
第一章 前言.......................................1
第二章 光電子譜技術之基本原理.....................3
2-1 簡介..........................................3
2-2 光電子譜技術(PES).............................3
2-3 PES之分類、特性及應用.........................4
第三章 光子激發脫附之基本原理....................10
3-1 簡介.........................................10
3-2 脫附機制(Desorption Mechanism)...............11
3-2-1 MGR(Menzel-Gomer-Redhead)模型..............11
3-2-2 KF(Knotek-Feibelman)模型...................12
3-2-3 AID(Auger Induced Desorption)模型..........13
3-2-3-1 DI(Dissociative Ionization)機制..........15
3-2-3-2 DD(Dipolar Dissociation)機制.............16
3-2-3-3 DA(Dissociative Electron Attachment)機制.17
3-3 影響脫附之因素...............................18
第四章 同步輻射光源..............................25
4-1 簡介.........................................25
4-2 同步輻射設備.................................25
4-3 同步輻射光的特性.............................27
4-4 同步輻射的研究與應用.........................29
第五章 實驗系統介紹..............................35
5-1 實驗系統.....................................35
5-2 實驗過程.....................................40
第六章 實驗結果與分析............................50
6-1 光電子能譜分析(PES)..........................50
6-1-1 CF2Cl2分子吸附Si表面之光電子能譜...........51
6-1-2 價層光電子能譜.............................53
6-1-3 蕊層光電子能譜.............................54
6-1-4 CF2Cl2與SiF之氟的F(1s)蕊層電子束縛能不同的原
      因.........................................55
6-2 氟正離子之光子激發脫附譜(PSD)................56
6-2-1 次單層CF2Cl2分子之氟正離子光子激發脫附譜...57
6-2-2 多層CF2Cl2分子之氟正離子光子激發脫附譜.....59
第七章 總結......................................76
7-1 光電子能譜(PES)..............................76
7-2 光子激發脫附譜(PSD)..........................77
參考文獻.........................................78

                                    

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校內：立即公開
校外：2004-08-10公開

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