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研究生： 謝育秦
Shai, Yi-Chyn
論文名稱： CF3Br分子吸附在Si(111)-7×7之光電子 及光子激發脫附研究
Photoemission and Photon-Stimulated Desorption Studies on the CF3Br Adsorbed on Si(111)-7×7
指導教授： 溫清榕
Win, Ching-Rong
學位類別： 碩士
Master
系所名稱： 理學院 - 物理學系
Department of Physics
論文出版年： 2004
畢業學年度： 92
語文別： 中文
論文頁數： 75
中文關鍵詞： CF3Br分子 、光電子及光子激發脫附
外文關鍵詞： CF3Br, PES, PSD
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    • 摘 要

    　　我們以同步輻射Seya-Namioka光束線為光源，在吸附了CF3Br分子的Si(111)-7×7表面，做光電子譜與光子激發脫附的實驗，其中，隨分子注入量變化的光電子譜中，我們發現CF3Br分子是以物理吸附在Si表面上，在與氣相譜圖比較後，我們觀察到七個譜峰，分別是CF3Br分子的5e軌道，5a1軌道，1a2、4e軌道，3e軌道，4a1軌道，2e軌道，3a1軌道，其束縛能分別是-5.1eV，-7.3eV，-9.0eV，-10.5eV，-13.0eV，-14.1eV，-16.9eV。而在不同分子覆蓋量隨光子暴露量變化的光電子譜中，觀察一系列的光電子譜後，我們發現受光照射的CF3Br/Si表面產生的光解作用具有很高的光解截面（photolysis cross section）。此外，在光子激發脫附譜圖的研究方面，我們可以知道 CF3Br分子的12.8eV，15.4eV，19.0eV，22.5eV共振譜峰主要來自CF3Br分子的直接雙極解離（DD）產生的。而12.8eV及15.4eV兩個譜峰的共振機制，則是包含了由鄰近分子發射出的光電子附著於CF3Br分子，之後此帶負電性的CF3Br分子再解離成負離子，最後脫附出F-離子的脫附機制（DA）。

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    目 錄 摘要……………………………………………………………….I 誌謝………………………………………………………………...II 目錄………………………………………………………………..III 圖目錄…………………………………………………………………..VI 表目錄…………………………………………………………………..IX 第一章 前言……………………………………………………………..1 第二章 光電子譜技術（PES）之基本原理………………….………..3 2.1 簡介………………………………………………………….....3 2.2 光電子譜技術（PES）………………………………………..4 2.3 PES之分類、特性及應用……………………………….......5 2.4 光源………………...…………………………………………..6 第三章 光子激發脫附（PSD）之基本原理………………………….15 3.1 簡介…………………………………………………………...15 3.2 脫附機制（Desorption Mechanism）…………………………15 1. MGR（Menzel-Gomer-Redhead）模型…………………….16 2. KF（Knotek-Feibelman）模型……………………………17 3. AID（Auger Induced Desorption）模型……………………18 4. DD（Dipolar Dissociation）模型…………………………...20 5. DA（Dissociative Electron Attachment）模型…………...21 3.3 影響脫附之因素……………………………………………...21 1. 再中性化效應（Reneutralization Effect）…………………22 2. 同位素效應（Isotope Effect）……………………………...22 3. 表面影像效應（Surface Image Effect）…………………...22 第四章 同步輻射………………………………………………………32 4.1 簡介…………………………………………………………...32 4.2 同步輻射設備………………………………………………...32 1. 注射器（Injector；直線加速器及增能環）………………32 2. 傳輸線（Transport Line）………………………………...33 3. 儲存環（Storage Ring）……………..…………………...33 4. 光束線（Beam Line）……………………………………33 4.3 同步輻射特性………………………………………………...34 1. 強度極高……………………………………….…………34 2. 波長連續（為一連續光譜）……………………………...35 3. 具高度偏振性（Polarization）…..…..…………………...35 4. 準直性（Collimation）特佳………………………………35 5. 超高真空（Ultra-High Vacuum，UHV）環境………….35 6. 具時間脈衝性…………………………………………….35 4.4 同步輻射的研究與應用……………………………………...36 第五章 實驗簡介………………………………………………………42 5.1 實驗系統……………………………………………………...42 1. 同步輻射光束線………………………………………….42 2. 實驗站……………..……………………………………...42 5.2 實驗方法……………………………………………………...46 1. 超高真空（UHV）環境的產生……………………………46 2. 樣品之處理方式………………………………………….47 3. 光子激發脫附的測量…………………………………….48 第六章 結果與討論……………………………………………………54 6.1 隨分子注入量變化的光電子譜……………………………...54 6.2 不同分子覆蓋量隨光子暴露量變化的光電子譜…………...57 6.3光子激發脫附譜………………………………………………59 6.4 CF3Br分子脫附機制………………………………………….60 第七章 總結……………………………………………………………72 參考文獻………………………………………………………………..74

    參考文獻

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    下載圖示 校內：立即公開
    校外：2004-08-31公開
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